臺(tái)積電3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間推遲 蘋果、英特爾被殃及池魚

8月30日，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)外正式確認(rèn)其3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間將延遲大約3到4個(gè)月，并且這一問題已經(jīng)嚴(yán)重影響到了相關(guān)客戶。目前臺(tái)積電的5nm制程工藝量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)超過1年，按照原定的計(jì)劃，3nm工藝將在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并且在明年下半年正式量產(chǎn)。

雖然目前臺(tái)積電已經(jīng)正式確認(rèn)3nm制程工藝量產(chǎn)時(shí)間推遲，但此前其CEO魏哲家卻表示該工藝進(jìn)展良好。此次意外推遲，并未透露具體原因。

當(dāng)前全球只有臺(tái)積電與三星在推進(jìn)3nm工藝的量產(chǎn)，哪家先完成3nm工藝無疑能夠搶占到先機(jī)，獲得更多的訂單。而在今年6月份，已經(jīng)有相關(guān)消息顯示，三星電子的3nm芯片制程工藝已順利流片。

如果臺(tái)積電推遲量產(chǎn)時(shí)間，那么將意味著3nm制程，三星或許將拔得頭籌。不過近期有消息傳來，三星的3nm工藝之路走得并不順利。

有消息顯示，三星電子的3nm GAA工藝目前仍然面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)的問題，并且這一技術(shù)在性能與成本方面可能也不如臺(tái)積電的3nm FinFET工藝。

三星的計(jì)劃是在2022年開始量產(chǎn)3nm GAA工藝，但由于成本與性能暫未達(dá)到理想目標(biāo)，或許很難比得過臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

不過隨著臺(tái)積電的推遲，那么已經(jīng)訂購了臺(tái)積電3nm工藝的客戶卻要感到難受了，目前提前簽訂臺(tái)積電3nm工藝的客戶有蘋果、英特爾等。

其中蘋果已經(jīng)計(jì)劃在明年下半年量產(chǎn)300萬顆芯片，采用臺(tái)積電3nm工藝制程，按照蘋果芯片的發(fā)展計(jì)劃來看，這枚芯片可能是搭載在iPhone 14上的A16芯片。一旦臺(tái)積電無法按時(shí)交付訂單，那么蘋果很難在明年就實(shí)現(xiàn)搭載3nm芯片愿望。

不僅是蘋果，高通同樣會(huì)受到影響。盡管高通888選擇了三星的5nm工藝，但有外媒爆料，高通的下一款旗艦產(chǎn)品驍龍895將采用臺(tái)積電的3nm工藝。不過從臺(tái)積電如今的情況來看，高通想要排到訂單的日期看來還需要推遲，這將意味著高通可能依舊會(huì)選擇三星的工藝，不過受到技術(shù)限制，在成本與性能上，或許會(huì)做出一定的妥協(xié)。

當(dāng)然，臺(tái)積電3nm的推遲，最大的受害者可能是英特爾。此前有消息傳出，英特爾已經(jīng)是臺(tái)積電3nm工藝最大的客戶，有兩個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)確定采用3nm工藝，分別是下一代的移動(dòng)處理器與服務(wù)器處理器。

英特爾方面也希望借助3nm工藝所帶來的優(yōu)勢(shì)，重新超越AMD，但這一計(jì)劃看來是要暫時(shí)擱淺了。

盡管目前并沒有具體的消息顯示，臺(tái)積電為何要推遲3nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間，但無非是幾大原因，一個(gè)是目前技術(shù)已經(jīng)走到了無人區(qū)，盡管臺(tái)積電在近些年每一代工藝制程上都領(lǐng)先，但沒辦法保證每一代技術(shù)都能夠成功，翻車也是正常的。

另一個(gè)原因則是3nm性能沒有達(dá)到預(yù)期，臺(tái)積電的3nm采用的仍然是FinFET工藝，雖然這樣可以讓臺(tái)積電的成熟技術(shù)得以延續(xù)，但以英特爾10nm為例，F(xiàn)inFET微縮的極限大約在3倍左右，后續(xù)必須使用GAA工藝，3nm工藝恰好就處于FinFET極限的點(diǎn)上。這意味著工藝的微縮，并不意味著性能也能得到同步的提升。

后面那種原因可能才是臺(tái)積電推遲量產(chǎn)的主因，雖然臺(tái)積電已經(jīng)將3nm性能預(yù)期的很保守，但3nm工藝?yán)^續(xù)使用FinFET，哪怕性能與5nm一致都很難，更別說提升了。如果無法解決這一問題，或許可能會(huì)看到臺(tái)積電將盡早的轉(zhuǎn)向GAA。