IEEE給BCD工藝開創(chuàng)者意法半導體頒發(fā)里程碑獎

2021年5月18日，IEEE給BCD工藝開創(chuàng)者意法半導體（STM）頒發(fā)IEEE里程碑獎（IEEE Milestone），旨在表彰意法半導體在超級集成硅柵半導體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。 該牌匾將放置在意法半導體在意大利米蘭市近郊曾經(jīng)承擔BCD開發(fā)工作的Agrate工廠Castelletto工廠的大門口。

牌匾上寫著： IEEE里程碑單片多硅技術(shù)Multiple Silicon Technologies on a Chip，1985年SGS（現(xiàn)為意法半導體）率先采用單片集成Bipolar-CMOS-DMOS器件（BCD）的超級集成硅柵極工藝，解決復雜的、大功率需求的應用設計難題。首個BCD超級集成電路L6202可以控制最高60V/5A的功率，開關(guān)頻率300kHz。隨后的汽車、計算機和工業(yè)自動化廣泛采用了這項工藝技術(shù)，讓芯片設計人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。

IEEE里程碑獎充分肯定了BCD技術(shù)的歷史貢獻，對單片集成大功率器件、精確模擬功能和復雜數(shù)字邏輯控制的開創(chuàng)性研究成果表示高度認可 1

什么是BCD？

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半導體率先研制成功。隨著集成電路工藝的進一步發(fā)展，BCD工藝已經(jīng)成為PIC的主流制造技術(shù)。

1950年代出現(xiàn)了適合生產(chǎn)模擬功能器件的雙極（Bipolar）工藝，雙極器件一般用于功率稍大的電路中，具有截止頻率高、驅(qū)動能力大、速度快、噪聲低等優(yōu)點，但其集成度低、體積大、功耗大。

1960年代，出現(xiàn)了適合生產(chǎn)數(shù)字功能電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝，CMOS器件具有集成度高、功耗低、輸入阻抗高等優(yōu)點，驅(qū)動邏輯門能力比其他器件強很多，也彌補了雙極器件的缺點。1970年代，出現(xiàn)了適合生產(chǎn)功率器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）工藝，DMOS功率器件具有高壓、大電流的特點。 BCD工藝把Bipolar器件、CMOS器件、DMOS功率器件同時制作在同一芯片上，綜合了雙極器件高跨導、強負載驅(qū)動能力和CMOS集成度高、低功耗的優(yōu)點，使其互相取長補短，發(fā)揮各自的優(yōu)點；同時DMOS可以在開關(guān)模式下工作，功耗極低。不需要昂貴的封裝和冷卻系統(tǒng)就可以將大功率傳遞給負載。低功耗是BCD工藝的一個主要優(yōu)點之一。BCD工藝可大幅降低功率耗損，提高系統(tǒng)性能，節(jié)省電路的封裝費用，并具有更好的可靠性。 經(jīng)過35年的發(fā)展，BCD工藝已經(jīng)從第一代的4微米發(fā)展到了第九代的0.11微米，線寬尺寸不斷減小的同時，也采用了更加先進的多層金屬布線系統(tǒng)，使得BCD工藝與純CMOS工藝發(fā)展差距縮小，目前的BCD工藝中的CMOS與純CMOS可完全兼容。另一方面，BCD工藝向著標準化模塊化發(fā)展，其基本工序標準化，混合工藝則由這些基本工序組合而成，設計人員可以根據(jù)各自的需要增減相應的工藝步驟。

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BCD首創(chuàng)者-意法半導體

1987年6月，意大利SGS微電子（SGS Microelettronica，始于1957年）和法國湯姆森半導體（Thomson Semiconducteurs，始于1962年）合并成立了意法半導體（SGS-Thomson Microelectronics），1998年5月英文名稱更名為STMicroelectronics。 1980年代初期，當時的SGS微電子（SGS Microelettronica）的工程師為了解決各種電子應用問題，提出了一個革命性的構(gòu)想：

1）創(chuàng)造一種將晶體管和二極管集成在一顆芯片上的技術(shù)，并能夠提供數(shù)百瓦功率；

2）用邏輯控制功率，實現(xiàn)方式需要遵循摩爾定律；

3）最大限度地降低功耗，從而消除散熱器；

4）支持精確的模擬功能；

5）以可靠的實現(xiàn)方式滿足廣泛的應用需求。 1984年SGS的工程師成功將Bipolar/CMOS/DMOS/Diodes通過硅柵集成在一起。BCD首個器件是L6202電動機全橋驅(qū)動器，采用4微米技術(shù)，12層光罩，工作電壓60V，電流1.5A，開關(guān)頻率300kHz，達到所有設計目標。這個新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設計人員能夠在單個芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號處理電路。

經(jīng)過35年的發(fā)展，意法半導體開發(fā)了一系列對全球功率IC影響深遠的BCD工藝，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。 意法半導體目前提供三種主要的BCD技術(shù)，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工藝將采用90納米。 BCD6和BCD8還提供SOI工藝選項。 據(jù)悉，意法半導體從1985年BCD推出工藝，至今已經(jīng)過去35年并經(jīng)歷了九次技術(shù)迭代，產(chǎn)出500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，第十代BCD技術(shù)即將開始投產(chǎn)。

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國內(nèi)各晶圓制造公司BCD工藝情況

華虹半導體

華虹半導體基于成熟的CMOS工藝平臺，目前提供的BCD工藝平臺電壓涵蓋1.8V到700V，工藝節(jié)點涵蓋90納米/0.13微米/0.18微米/0.35微米/0.5微米/0.8微米/1.0微米，在0.5微米、0.35微米、0.18微米節(jié)點上積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗。未來，華虹半導體將繼續(xù)發(fā)揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術(shù)優(yōu)勢，提供二者的集成方案，為智能化電源產(chǎn)品，打造高端電源管理系統(tǒng)級芯片(SoC)。 2007年華虹半導體推出BCD350工藝平臺（0.35微米）；2009年推出非外延PMU350工藝平臺；2010年推出BCD180工藝平臺（0.18微米）；2013年700V BCD工藝平臺；2018年第二代BCD180工藝平臺推出；2020年5月90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，也為未來65/55納米的12英寸工藝技術(shù)的研發(fā)與市場拓展打開了空間。 華虹半導體還將持續(xù)8英寸生產(chǎn)線的研發(fā)創(chuàng)新，優(yōu)化升級現(xiàn)有滿足車規(guī)要求的180納米BCD技術(shù)，在相同的擊穿電壓下，導通電阻平均降低約25%，技術(shù)性能顯著提升，達到業(yè)界先進水平，未來180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V。

華潤微

華潤微基于自有的主流工藝平臺，在功率模擬工藝技術(shù)方面推出的BCD工藝解決方案，廣泛應用于各新興市場，包括電源管理、LED驅(qū)動、汽車電子以及音頻電路等。 華潤微的BCD工藝平臺始于2007年推出的700V CDMOS工藝，2011年推出700V HV BCD工藝，2013年完成600V HVIC工藝平臺研發(fā)，到2020年一共完成了五代硅基700V HV BCD工藝的研發(fā)和量產(chǎn)。華潤微BCD工藝平臺電壓涵蓋5V到700V，工藝節(jié)點涵蓋0.18微米/0.25微米/0.8微米/1.0微米，可滿足高電壓、高精度、高密度不同應用的全方位需求，同步提供200-600V SOI基BCD工藝選項。

士蘭微

在BCD工藝技術(shù)平臺研發(fā)方面，士蘭微依托于5/6英寸、8英寸和12英寸晶圓生產(chǎn)線，建立了新產(chǎn)品和新工藝技術(shù)研發(fā)團隊。 基于士蘭集成的5/6英寸生產(chǎn)線開發(fā)0.8微米和0.6微米的BCD電路工藝平臺已經(jīng)穩(wěn)定運行15年，2007年1月士蘭微發(fā)布首款采用士蘭集成BCD工藝制造的高效率功率LED驅(qū)動電路。 基于士蘭集昕8英寸生產(chǎn)線的0.25微米的BCD電路工藝平臺和0.18微米的BCD電路工藝平臺相繼建成，開始批量產(chǎn)出。 基于士蘭集科12英寸生產(chǎn)線BCD電路工藝平臺也在研制中。

中芯國際

中芯國際有超過10年的模擬芯片/電源管理芯片大規(guī)模生產(chǎn)經(jīng)驗，技術(shù)涵蓋了0.35微米到0.15微米。除了保持面向手機和消費類電子的低壓BCD工藝平臺持續(xù)升級外，針對工業(yè)和汽車應用的中高壓BCD平臺和車載BCD平臺也在開發(fā)中，同時開展了90納米BCD工藝平臺開發(fā)，為高數(shù)字密度和低導通電阻的電源管理芯片提供解決方案。

原文標題：BCD工藝緣何入選IEEE里程碑獎

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責任編輯：haq