為了分析電容在電路中合適的數(shù)學(xué)模型,進(jìn)行此次的電容原理和性質(zhì)探索。
(1)電容定義
電容決定式:C=εS/(4πkd)
注意:電容C由電容器本身的構(gòu)造因素決定,與Q、U無(wú)關(guān)。
電容是描述電容器儲(chǔ)存電荷本領(lǐng)大小的物理量。
4. Xc=1/(2πfC) (Xc是容抗) [1]
(2)電容一般結(jié)構(gòu)模型
圖1 Mutara的DATASHEET里面圖片
電容基本上主要是由金屬片、電介質(zhì)、導(dǎo)電聚合物組成。
1) 金屬片通常是陽(yáng)極,在電路上正電荷的累積的一邊;
2) 電介質(zhì)是絕緣(并非絕對(duì)),將正負(fù)電荷的流通進(jìn)行隔絕;
3) 負(fù)極通常是導(dǎo)電聚合物。
(3)電解電容內(nèi)部的實(shí)物圖,拆解見(jiàn)識(shí)下
有這樣的一個(gè)工作經(jīng)歷,有一個(gè)客戶的線和電解電容靠在一起,線路高溫把電容的絕緣皮融化,電容的鋁殼漏出來(lái)。供應(yīng)商銷售經(jīng)理是說(shuō)其一鋁殼是和負(fù)極接在一起(我測(cè)量過(guò)其實(shí)不是直接導(dǎo)通,有2V左右的電壓,后來(lái)有一次工作碰到外殼被電過(guò)),其二電線不要噴到電容外圍,或者電容就要做兩層絕緣。后來(lái)我找到了供應(yīng)商技術(shù)部長(zhǎng),部長(zhǎng)建議:電容是不允許高溫烘烤,哪怕還能正常用也要更換,電源的引腳和PCB的焊盤(pán)能加上絕緣墊片更好。
為了探究電容原理,拆了好幾個(gè)電容,里面一股化學(xué)味道兒,里面的結(jié)構(gòu)和圖2所示基本一樣。
(4)電容性質(zhì)
1、在零電勢(shì)時(shí),電容的陽(yáng)極和陰極不帶電性,呈中性。
2、存在電勢(shì)差時(shí),高電動(dòng)勢(shì)指向低電勢(shì)(高往低流),正電荷不移動(dòng),電子從高電勢(shì)往低電勢(shì)移動(dòng)。此時(shí)由于電介質(zhì)絕緣阻擾電容陽(yáng)極和陰極內(nèi)層間的電子穿透,所以陽(yáng)極的電子被驅(qū)趕通過(guò)電纜往陰極走,陰極的電子被累積。此時(shí)陽(yáng)極呈現(xiàn)電的正性,陰極呈現(xiàn)電的負(fù)性。
3、電勢(shì)差加在電容兩端的充放電時(shí)間,Uo=Ui-Ui*e^(-t/(RC)),RC是積分時(shí)間常數(shù)。通常上是取Uo=Ui*95%(估算95%-98%)為充滿的時(shí)間,工作上通常選3RC-4RC為充滿電時(shí)間。這里軟件仿真的充電是5.03ms = 5RC=5*1000*10,是5倍,放電時(shí)間是2.5倍。
(圖4 軟件:tian-ti )
(圖5 軟件:LTspice )
5、電容兩端的電壓不會(huì)突變。電容的充電和放電與電勢(shì)差有關(guān),一旦充電飽和,電容就不會(huì)再充電(隔直通交),通過(guò)不斷不同的充放電形式,輸出不同波形?!倦娙莩潆娺^(guò)程不等效于短路,充滿電后不等效于開(kāi)路】
6、電容內(nèi)層結(jié)構(gòu)上是絕緣的,但由于存在工藝性能、電介質(zhì)的極化效益和離子漂移情況,出現(xiàn)少電流在電容內(nèi)部通過(guò),這個(gè)在電路上應(yīng)該是漏電流現(xiàn)象。
7、電容的種類很多,材料不一樣,電容差異性有時(shí)會(huì)有些大。
8、一個(gè)普通貼片電容的寄生電感主要由幾個(gè)方面組成:
(1)由于電容器需要通過(guò)引線與電路連接,由引線帶來(lái)的寄生電感;
(2)由于電極表面存在的電流,而電流必然帶來(lái)電感使電極表面分布有一個(gè)串聯(lián)電感(ESL);
(3)由于材料的介電損耗帶來(lái)的電感。[2]
9、集成電路可看成一個(gè)等效電流或電壓源,為了使噪聲最低,供電網(wǎng)絡(luò)的阻抗應(yīng)該盡可能小。在一定的頻率范圍內(nèi),加大去耦電容可以有效減小網(wǎng)絡(luò)阻抗。但在實(shí)際應(yīng)用中,由于電容器固有的寄生電感和電阻,并且這些寄生參數(shù)隨著頻率的增大也會(huì)增大,尤其在高頻高速的工作狀態(tài),電容的這種退耦作用甚至?xí)?。并且通常電容越大體積也越大,所帶來(lái)的寄生電感也越大。為了減少供電網(wǎng)絡(luò)的阻抗,,理想去耦電容是電容值越大越好,寄生電感越小越好,體積也越小越好,以利于靠近集成電路的電源和接地入口。[3]
10、電容理論上是不產(chǎn)生也不消耗能量,是儲(chǔ)能元件。實(shí)際上是發(fā)熱的,不同產(chǎn)品發(fā)熱量自然不同,我以前在某一個(gè)的烤機(jī)過(guò)程,測(cè)過(guò)溫度有達(dá)到40攝氏度。
11、電容能夠提高效率、提高功率因數(shù)。其一比如LCC電路,拓?fù)渖献儔浩鞯穆└泻碗娙菥涂梢越M成一個(gè)諧振電路,當(dāng)然再多幾個(gè)電容和電感都是可以的,看如何計(jì)算。減少損耗,提高效率,按照按照能量守恒和定積分分析,如果在關(guān)斷過(guò)程中,如果電壓和電流都是最小值投影到區(qū)域內(nèi),他們的面積就會(huì)更小,損耗就小。如果在導(dǎo)通過(guò)程中,如果電壓和電流都是最大值投影到區(qū)域內(nèi),他們的面積就會(huì)更大,能量轉(zhuǎn)換就更加有效。其二比如感性負(fù)載,感性負(fù)載的電壓超前,可以并上電容的電流超前來(lái)補(bǔ)償,最終使得電壓和電流投影得面積更大,減少不必要得無(wú)功功率,提高有功功率分比,功率因數(shù)數(shù)學(xué)理論上100%是滿足得,但是實(shí)際受到限制,經(jīng)常見(jiàn)到產(chǎn)品是0.85。
12、電容必然存在漏電流,沒(méi)有電介質(zhì)是完全絕緣的。漏電流過(guò)大可能出現(xiàn)“雪崩現(xiàn)象”,電容會(huì)失效,甚至短路,會(huì)使用如前面的電路,串聯(lián)一個(gè)3V/歐姆電阻阻抗匹配。
等等。
(5)電容擺放位置不同,有不同的叫法
【1】 去耦,在電源的輸出端并聯(lián)一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娙?,猶如水庫(kù)的緩沖作用,可以大大減小負(fù)載等的波動(dòng)對(duì)電源的影響,這就是退耦作用。[4]
【2】 諧振,如單片機(jī)外界無(wú)源晶振和負(fù)載電容組成諧振電路,給單片機(jī)提供時(shí)鐘信號(hào)。
【3】 移相,全橋的ZVS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
【4】 旁路,IC電源旁邊的104或者105電容。
【5】 濾波,射頻電路、高頻信號(hào)的串接電容,如組成基本的LPF、HPF、BPF、BEF濾波電路等。
【6】 儲(chǔ)能,超級(jí)電容維持?jǐn)嚯姾蟮睦m(xù)能作用。
等等。
(6)電容應(yīng)用
(圖6 Mutara的DATASHEET里面)
此圖來(lái)源于Mutara datasheet,主要特點(diǎn)就是電流上升過(guò)程,當(dāng)供能不足時(shí),電壓會(huì)被拉低。
1、地和大地PE并聯(lián)電阻和電容。102、103 1KV 1M經(jīng)典配置。
2、104、105、106,擺放位置以濾除高頻優(yōu)先。
3、相位補(bǔ)償、功率補(bǔ)償?shù)鹊取?/p>
總結(jié):
1、一般電容內(nèi)部模型構(gòu)想,整體有兩個(gè)儲(chǔ)存電能的容器,中間絕緣,理論上是沒(méi)有電子通往,受到電場(chǎng)作用。工作時(shí)是一個(gè)充電和放電的過(guò)程。2、充放電公式:Uo=Ui-Ui*e^(-t/(RC))3、Xc=1/(2πfC) (Xc是容抗)
4、沒(méi)有新發(fā)現(xiàn)。
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