晶圓的重要性不言而喻,因此我們需要對晶圓具備一定的認識。前兩篇文章中,小編對晶圓到CPU的轉換過程、晶圓和硅片的區(qū)別有所探討。為增進大家對晶圓的了解程度,本文將對晶圓制造業(yè)的特點予以闡述。如果你對晶圓具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。
一、基本原料
硅是由石英砂所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,經(jīng)過照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。硅片廣泛用于集成電路(IC)基板、半導體封裝襯底材料,硅片劃切質(zhì)量直接影響芯片的良品率及制造成本。硅片劃片方法主要有金剛石砂輪劃片、激光劃片。激光劃片是利用高能激光束聚焦產(chǎn)生的高溫使照射局部范圍內(nèi)的硅材料瞬間氣化,完成硅片分離,但高溫會使切縫周圍產(chǎn)生熱應力,導致硅片邊緣崩裂,且只適合薄晶圓的劃片。超薄金剛石砂輪劃片,由于劃切產(chǎn)生的切削力小,且劃切成本低,是應用最廣泛的劃片工藝。由于硅片的脆硬特性,劃片過程容易產(chǎn)生崩邊、微裂紋、分層等缺陷,直接影響硅片的機械性能。同時,由于硅片硬度高、韌性低、導熱系數(shù)低,劃片過程產(chǎn)生的摩擦熱難于快速傳導出去,易造成刀片中的金剛石顆粒碳化及熱破裂,使刀具磨損嚴重,嚴重影響劃切質(zhì)量。
二、 晶圓制造
單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉速度決定的,一般來說,上拉速率越慢,生長的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關,雖然半導體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成,但是晶圓的厚度一般要達到1 mm,才能保證足夠的機械應力支撐,因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。
晶圓制造廠把這些多晶硅融解,再在融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成,此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段,滾磨,切片,倒角,拋光,激光刻,包裝后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這就是“晶圓”。
三、晶圓制造業(yè)的特點
晶圓及芯片制造業(yè)是一個高度技術密集、資金密集的產(chǎn)業(yè)、其生產(chǎn)對環(huán)境要求非常嚴格,例如對電力、水源、燃氣的供應,不僅有很高質(zhì)量要求,還必須采用雙回路,甚至三回路,從而保證在任何時候都能充足、及時供給。另外對空氣環(huán)境、地表微震、廠址地質(zhì)條件也都有嚴格要求。至于其廠區(qū)內(nèi)部,由于工藝條件所決定,許多工序必須在恒溫、恒濕、超潔凈的無塵廠房內(nèi)完成,室內(nèi)環(huán)境的各項參數(shù)均自動調(diào)節(jié),以保證隨時處于最佳狀況,因此,?不僅廠房造價相當高,生產(chǎn)、控制設備也異常先進、昂貴。因此,一般興建一個兩線(即有兩條生產(chǎn)線)8時晶圓廠(指生產(chǎn)的晶圓直徑為8時,即約203mm),需投入人民幣十幾億至數(shù)十億,其占地面積也有十幾萬平方米,員工可以達數(shù)千人。另外,要保證其正常生產(chǎn)還需要很多相關的原材料和配套產(chǎn)品生產(chǎn)廠。所以一個晶圓廠建成后,不僅其生產(chǎn)值能達到幾十甚至幾百億,同時還能帶動一大批相關企業(yè)、產(chǎn)業(yè)。并且由于其工廠擁有眾多的員工(其中高級技術、管理人員占很大比重)。在廠區(qū)周過還能形成一個完整的社區(qū),其對第三產(chǎn)業(yè)的需求也將帶來許多就業(yè)機會,因此,其對當?shù)氐慕?jīng)濟發(fā)展具有相當大的推動作用。
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