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壓電MEMS超聲波換能器設計—從概念驗證到產(chǎn)品

電子設計 ? 來源:電子設計 ? 作者:電子設計 ? 2020-12-26 00:14 ? 次閱讀

本文為OnScale與Mentor合作推出,由行業(yè)專家撰寫,文章詳細介紹了壓電MEMS超聲波換能器產(chǎn)品的設計過程,包括傳感器仿真、設計以及它與整個系統(tǒng)的集成。

了解系統(tǒng)

我們正在開發(fā)一種槽罐液位監(jiān)測系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以安裝在啤酒廠、釀酒廠和其他飲料廠的物聯(lián)網(wǎng)邊緣設備中,用以收集液位的狀態(tài),并可主動通知技術人員是否存在任何問題(例如泄漏)。我們對系統(tǒng)進行了改良(圖1),利用壓電MEMS超聲波換能器(PMUT)來監(jiān)測水箱中的液位,并定期將測量結果上傳到網(wǎng)關設備中。

圖1:槽罐液位監(jiān)測系統(tǒng)框圖

壓電MEMS超聲波換能器在罐體中發(fā)射超聲波,然后測量被液體表面反射的波,從而得到一個很小的模擬機械波(需要放大)。發(fā)射波與反射波之間的時間差與液體的距離成正比。模擬前端(AFE)將MEMS波形放大并將信號轉換為表示飛行時間(或液體深度兩倍)的積分電壓。模數(shù)轉換器ADC)將該電壓轉換成數(shù)字信號,以作為運行軟件的微控制器的輸入。時鐘、PLL和振蕩器電路是數(shù)字電路的支持模塊,偏置電流發(fā)生器、電壓調節(jié)器和帶隙基準是模擬電路的支持模塊。射頻RF)發(fā)送器將數(shù)據(jù)發(fā)送到網(wǎng)關。Arm Cortex-M3微控制器與模擬電路和RF發(fā)送器相連。如果將來我們計劃增加溫度傳感器,還需要多路復用器,但對于本白皮書,我們不考慮這兩個元素。

了解傳感器

據(jù)麥姆斯咨詢介紹,超聲波換能器使用超聲波來探測傳感器與其他物體之間的距離。它們能夠將電能轉換為機械能,并且在大多數(shù)情況下,還能將機械能轉換回電能。正是這種功能的二元性使得超聲波換能器可以向物體或界面發(fā)射壓力波,并可以在這些波被反射回源時探測它們。雖然在日常生活中有著廣泛的應用,但與其它競爭技術相比,傳統(tǒng)的超聲波換能器更笨重、更耗電、更昂貴。這限制了它們的應用,特別是在消費領域,但這種情況由于MEMS技術的應用而正在快速改變。

即將上市的新一代小型化超聲波換能器的功耗比前代產(chǎn)品低了一個數(shù)量級。沒有什么比當前我們開發(fā)并實施在系統(tǒng)中的PMUT更合適的例子了。PMUT由一個懸浮在腔體上的壓電薄膜組成,壓電薄膜通常為鋯鈦酸鋅(PZT)或氮化鋁(AlN)材料。當在膜上施加電脈沖時,膜會振動并直接在它接觸的介質中產(chǎn)生聲波。當設計剛好為共振頻率時,PMUT可以用非常小的功率產(chǎn)生大量的能量。圖2顯示了PMUT橫截面示意圖,可以通過調整膜厚度和直徑大小來優(yōu)化給定介質的共振頻率。PMUT可以使用成熟的硅基半導體制造工藝來生產(chǎn)。因而與許多競爭技術相比,它們可以適用于低成本的大批量應用,更重要的是,它們還可以與CMOS無縫集成,從而在一顆芯片上實現(xiàn)完整的傳感系統(tǒng)。

圖2:PMUT換能器的橫截面示意圖(來源:OnScale)

使用有限元分析進行PMUT仿真

PMUT設計的第一步,我們使用被稱作“有限元分析(FEA)”的技術來進行PMUT仿真。通過有限元分析,可以將描述結構行為的復雜的微分方程轉換為代數(shù)表達式,以簡化成數(shù)值求解。在設計中我們可以采用多種FEA方法:用于探索設計概念、執(zhí)行設計性能的功能驗證,以及優(yōu)化設計。FEA可以探究真實世界里非理想幾何形狀、制造加工和材料屬性的變化,非常適合處理邊界條件復雜的問題。

FEA工具依賴于將仿真結構劃分為低階有限元或網(wǎng)格來近似求解。此過程通過自動網(wǎng)格函數(shù)的輔助,可有效地對結構進行分區(qū)。在需要的地方進行網(wǎng)格細化,設計人員可以獲得一組精確的仿真結果。通過將網(wǎng)格與來自電、機械和熱域的其他信息相結合,耦合的場模塊可用于同時求解靜電、耦合電機械學、壓電、壓阻、阻尼效應和其他特性。

可以為超聲波換能器仿真許多重要的器件特性,包括:

·電阻

·振型

·壓力和位移水平

·波束圖形

·指向性指數(shù)

·效率

·脈沖回波響應

·串擾

·帶寬

·材料特性

·機械沖擊

·粘合效應

我們此次設計使用的多物理FEA工具為OnScale。OnScale功能強大且支持云技術,它不僅提供上述所有功能,并且可在云計算基礎架構上大規(guī)模并行處理它們,將設計研究從幾周縮短到幾小時內完成。當然COMSOL、ANSYS也可以勝任。

設計傳感器

使用諸如FEA的仿真技術,在對壓電MEMS超聲波換能器的特性仿真時,需要解決一系列獨特的挑戰(zhàn)。最基本的挑戰(zhàn)之一是確定所需計算域的相對大小。要精確地捕捉波傳播時所產(chǎn)生的應力在小空間的梯度,就得在長路徑(例如10-250波長)上部署精細網(wǎng)格(例如每波長8-12個單元)。結果將產(chǎn)生高效仿真網(wǎng)格所需的大量單元。OnScale具有高效的求解器和先進的混合網(wǎng)格技術,因而非常適合這種尺寸的模型。

本文設計的PMUT的單個換能器3D建模結構如下:標稱腔寬度為400μm、頂部電極直徑為200μm,空腔深度為40μm。PMUT的激發(fā)是通過施加在膜頂部電極上的一系列電壓脈沖。圖3顯示了當脈沖為32V時膜的形變程度。為了看得更清楚,形變有所夸大。

圖3:電刺激期間PMUT膜的形變(來源:OnScale)

為了優(yōu)化本設計,我們需要最大化PMUT接收到的從液體表面反射回的機械能量。我們需要構建一個實驗設計(DoE),可以覆蓋足夠的設計空間以包含我們的最佳解決方案。具體而言,我們通過改變設計參數(shù)(如表1)以確定最佳設計。

表1:PMUT優(yōu)化之參數(shù)掃描

壓電層厚度和膜厚度均以0.1μm的步長從1.0μm掃描至2.5μm,總共產(chǎn)生256個設計仿真結果。圖4顯示了結果的一個子集,其中共振頻率與掃描參數(shù)相對應。在原型設計之前,這些結果為我們給定的環(huán)境條件提供了設計的最佳尺寸。在這種情況下,仿真結果表明,由于空氣損耗,反射波的能量在較低頻率下是最佳的。我們選擇壓電層厚度為1.2μm和膜厚度為1.2μm,在該條件下可產(chǎn)生122kHz的低諧振頻率,同時保持在制造工藝能力所限制的范圍內。使用傳統(tǒng)的FEA軟件工具難以探索這種尺寸的設計空間,這也是我們這次選擇OnScale進行分析的原因之一。

圖4:PMUT優(yōu)化之諧振頻率(來源:OnScale)

設計模擬前端

圖5顯示了此設計的模擬前端。在S-Edit中捕獲PMUT的原理圖,其使用的電壓源的屬性和參數(shù)與FEA研究的輸出相匹配。

圖5:PMUT換能器的模擬前端

審核編輯:符乾江
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