InGaAs被發(fā)現可用于制造更小更節(jié)能的非硅基晶體管
麻省理工新聞報道稱：科學家們已經找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料給人留下的印象，就是其性能會在較小的尺度下出現滑坡。不過新研究已經找到了問題關鍵，即所謂的氧化物陷阱，該現象會導致電子在流過晶體管時遭遇限制。
研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱，晶體管應該可以像開關那樣工作，并在接通電壓后產生預期中的大量電流。
但若遭遇電子束縛，就會發(fā)生即使接通了電壓，其中也只有相當有限的電流經過的情況。當遇到這種氧化物陷阱時，晶體管的性能就會受到極大的影響。
好消息是，通過審視晶體管的頻率依賴性（即電子脈沖通過晶體管的傳輸速率），我們得以找到問題所在。
盡管在較低的頻率下，納米級 InGaAs 晶體管的性能似乎出現了滑坡，但它還是能夠在 1GHz 或更高頻率下正常工作。
Cai 補充道，當以很高的頻率操作這些設備時，我們留意到其性能表現確實相當出色，較硅晶體管展現出了相當高的競爭潛力。
據悉，Cai 將在本月的 IEEE 國際電子設備會議上詳細介紹這項新發(fā)現。不過受 COVID-19 大流行的影響，會議形式已改成了在線上舉辦。
責編AJX
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發(fā)表于 01-21 13:47
工商網監(jiān)
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