1.問題:
WSON package是什么類型封裝?
回復(fù):
SON和DFN的封裝本身沒有區(qū)別...區(qū)別的是腳趾是否外露本體。
2.問題:
一顆IC decap后看到有個地方有這樣像燒毀的現(xiàn)象,這大概會是什么因素造成的呢,靜電,還是其他的呢?Pin IV如下面這樣:藍色是正常的,綠色和紅色是內(nèi)部有燒現(xiàn)象的不良IC的。
回復(fù):
要考慮這個區(qū)域是什么block(功能區(qū)),通常是過電壓現(xiàn)象。
從圖片看,是EOS,因為只有EOS才能看到burn mark痕跡,因為EOS是長時間通電,如果是ESD的話,是瞬時的,不可能有burn mark的。
靜電不會這么恐怖,應(yīng)該是EOS。
Curve沒有線性段,看著不像短路問題,只是漏電變大了。
Curve的形狀與failure mode息息相關(guān)。
如果Curve出現(xiàn)了線性區(qū)域,那肯定是電流回路里面出現(xiàn)了電阻和diode并聯(lián)的情況,缺陷是電阻,電路是Diode或者MOS管。
如果是非線性的漏電流增大,肯定是diode本身發(fā)生了問題,但還沒有發(fā)生Gate diode擊穿。
導(dǎo)電通路形成之前還有SILC和軟擊穿階段
擊穿還會有鼓包,DBIE。有正電壓擊穿和負電壓擊穿,電流流動的方向不一樣,缺陷狀態(tài)也不一樣。這也是為什么有些ESD Defect在芯片表面,有些在Si上面的原因。
3.問題:
Wafer的pad是金pad,在金pad上鍍上Sn+Ag, 通過錫膏倒扣在基板上。針對這種貼片方式,在封裝上會有哪些可靠性風(fēng)險?
回復(fù):
這種封裝通過錫膏,可能會存在基板變型,出現(xiàn)虛焊,連錫等問題,這個對基板錫膏材料要求很高,最好在wafer上先長柱形突點,按CSP封裝來做。貼裝過程出現(xiàn)的隱裂也是需要考慮的方面。
4.問題:
單管雪崩擊穿測試儀知道有什么進口品牌嗎?
回復(fù):
ITC55100.
品牌官網(wǎng): http://www.inttechcorp.com/ 大部分跟IGBT有關(guān)。
5.問題:
單獨的芯片可以做EMC測試嗎?
回復(fù):
沒見過這樣做的,都是在整機做EMC的,否則結(jié)果不能夠repeat,或者采用系統(tǒng)板。
責(zé)任編輯:xj
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