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如何將霍爾效應(yīng)鎖存器A1262用于獨(dú)立于氣隙的速度和方向感應(yīng)

電子設(shè)計(jì) ? 來源:eeweb ? 作者:Allegro MicroSystems ? 2021-04-27 11:30 ? 次閱讀

本文介紹了雙通道,超靈敏霍爾效應(yīng)鎖存器A1262,以及如何將其用于獨(dú)立于氣隙的速度和方向感應(yīng)。它顯示了兩個(gè)案例研究,例如多環(huán)形磁體和徑向環(huán)形磁體。

介紹

A1262集成電路是一個(gè)超靈敏的雙通道霍爾效應(yīng)鎖存器。與傳統(tǒng)的雙通道鎖存器一樣,A1262的正交輸出指示旋轉(zhuǎn)環(huán)形磁鐵靶的旋轉(zhuǎn)方向和位置/速度。然而,它的獨(dú)特之處在于它使用垂直霍爾技術(shù)來感應(yīng)除振幅之外的磁場(chǎng)方向。

A1262包含一個(gè)常規(guī)的平面霍爾元件以導(dǎo)出一個(gè)通道,并包含一個(gè)垂直霍爾元件以導(dǎo)出另一通道。結(jié)果是,A1262能夠產(chǎn)生正交輸出信號(hào)(≈90°相位差),其中相分離在很大程度上與氣隙,環(huán)形磁體尺寸或磁極間距無關(guān)。這為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在選擇環(huán)形磁體及其相對(duì)于傳感器的位置和方向時(shí)提供了前所未有的靈活性。它的小型(SOT23-5)封裝替代了一對(duì)傳統(tǒng)的霍爾效應(yīng)鎖存器,從而節(jié)省了空間并減少了元件數(shù)量。

實(shí)例探究

本應(yīng)用筆記將重點(diǎn)介紹許多可能的系統(tǒng)配置中的兩種。在這兩種情況下,均假定A1262LLHLT?T設(shè)備將Z感測(cè)方向用于平面霍爾元件,將Y用作垂直霍爾元件(參見圖1)。還提供了A1262的替代版本A1262LLHLT?X?T,它在Z和X方向均具有靈敏度。有關(guān)A1262的詳細(xì)信息,請(qǐng)參見A1262數(shù)據(jù)表和其他相關(guān)應(yīng)用筆記。

o4YBAGCHhYaAT148AAB82g8R35c229.png

圖1 A1262感測(cè)方向

在這兩種情況下,靶都是整體尺寸相同的鐵氧體環(huán)形磁體。在情況1中,磁體是多極環(huán)形磁體。在情況2中,它是直徑磁化(1極對(duì))的環(huán)形磁體。

情況1:多個(gè)環(huán)形磁鐵

在這種情況下,目標(biāo)是具有以下特征的環(huán)形磁體:

pIYBAGCHhZGAbtavAAGaANG64LI455.png

圖2情況1的機(jī)械配置

案例1環(huán)形磁體周圍的徑向和切向磁場(chǎng)與氣隙的關(guān)系如圖3和圖4所示。徑向磁場(chǎng)分量激勵(lì)A(yù)1262平面霍爾元件,并顯示為Z方向。垂直霍爾元件響應(yīng)切向磁場(chǎng);顯示為Y方向。

o4YBAGCHhZuAFKChAAFWc84iU7A455.png

圖3徑向B場(chǎng)多極環(huán)形磁鐵與氣隙的關(guān)系

o4YBAGCHhbaAL_TSAAFSbHON0yM869.png

圖4切向B場(chǎng)多極環(huán)形磁鐵與氣隙的關(guān)系

pIYBAGCHhaeACHwBAAEYY2wDg6Q403.png

圖5徑向/切向B場(chǎng)多極環(huán)形磁體與氣隙的關(guān)系

如圖3和圖4所示,兩個(gè)通道中每個(gè)通道的磁峰位置相對(duì)于另一個(gè)通道非常一致。氣隙幾乎沒有變化。圖5通過僅顯示最小和最大氣隙分別為1.5和5.0 mm的結(jié)果更清楚地說明了這一點(diǎn)。

編輯:hfy

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