中國移動集采700M天線！華為5G基站芯片儲備充足！

1. 中國移動集采700M天線！

10月13日消息，中國移動集團浙江公司日前啟動2020年700M多頻天線采購項目。共5000套，其中“4+4+8+8”900/1800/FA/D獨立電調(diào)智能天線（非標產(chǎn)品）2600套，“4+4”900/1800雙頻電調(diào)天線（非標產(chǎn)品）2400套。

據(jù)悉，該采購項目劃分1個標包，中標2名，第一名中標份額70%、第二名中標份額30%。

2. 外媒：華為5G基站所用芯片儲備充足，零部件去美化明顯

10月14日消息，據(jù)外媒最新報道稱，雖然禁令已經(jīng)執(zhí)行，但華為5G基站受影響并不是很大，因為其所需的芯片儲備充足，可支持其未來數(shù)年的經(jīng)營發(fā)展。

報道中提到，華為去年就開始為其B2B業(yè)務(wù)做半導(dǎo)體儲備工作，相較于智能機所用的麒麟芯片，基站芯片所需的生產(chǎn)周期更長，而相較于企業(yè)級、運營商業(yè)務(wù)的影響，華為智能手機業(yè)務(wù)是這次禁令升級后最慘的領(lǐng)域，遭遇了最嚴重的芯片斷供。

對于這樣的消息，之前華為方面也曾表示，目前To B業(yè)務(wù)（基站等）芯片的儲備還比較充分。

此外，外媒還拆解并分析了華為的最新5G基站中被稱為基帶的核心裝置，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在基站的1320美元估算成本中，中國企業(yè)設(shè)計的零部件比例約為48%，其中四分之一是華為委托臺積電（TSMC）生產(chǎn)的被稱為中央處理器的半導(dǎo)體。

華為基站美國零部件的使用比例達到了 27.2%。其中 “FPGA”半導(dǎo)體為美國萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）和賽靈思（Xilinx）公司的產(chǎn)品。對基站不可缺少的電源進行控制的半導(dǎo)體是美國德州儀器（TI）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）等的產(chǎn)品。

韓國零部件的使用數(shù)量僅次于美國，內(nèi)存由三星電子制造，日本企業(yè)的零部件只有 TDK 和精工愛普生等的產(chǎn)品。

據(jù)上游供應(yīng)鏈的消息，從今年6月份開始，華為就已經(jīng)開始對相應(yīng)核心產(chǎn)品進行了重新設(shè)計，主要是核心元器件去美化，不過這主要在5G基站等品類中，由于智能手機涉及的元器件過多，所以華為還沒有辦法完全撇開美廠商。

據(jù)悉，華為已經(jīng)啟動代號“南泥灣”的新項目，意在規(guī)避含有美國技術(shù)的產(chǎn)品，同時加速推進筆記本、智慧屏業(yè)務(wù)。華為以“南泥灣”的名義啟動新項目，自然是要通過“自力更生、艱苦奮斗”，“在困境期間，希望實現(xiàn)自給自足”。

隨著打擊力度不斷加強，華為方面的態(tài)度也越發(fā)明確，將全方位扎根，突破物理學(xué)材料學(xué)的基礎(chǔ)研究和精密制造。在終端器件方面，比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面，華為正大力加大材料與核心技術(shù)的投入，實現(xiàn)新材料+新工藝緊密聯(lián)動，突破制約創(chuàng)新的瓶頸。

3. 中芯 國際“N+1”工藝：全球首發(fā)！成功流片！

今天（10月11日），中國領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)芯動科技（INNOSILICON）官宣：已完成了全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過，這是過去數(shù)月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

“N+1”是中芯國際對其第二代先進工藝的代號，其與現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%， 也被稱為“國產(chǎn)版”的7nm芯片技術(shù)。

芯動科技持續(xù)聚焦全球先進工藝芯片IP和定制，擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術(shù)，多次在先進工藝上填補國內(nèi)空白，核心技術(shù)支持了全球客戶數(shù)十億顆高端SOC量產(chǎn)。

自2019年始，芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團隊全程攻堅克難，投入數(shù)千萬元設(shè)計優(yōu)化，率先完成NTO流片?；贜+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產(chǎn)IP生態(tài)共建的合作， 為大量國內(nèi)和全球客戶實現(xiàn)從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm等）到先進工藝（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不斷跨越，在各先進工藝中規(guī)模IP授權(quán)和定制批量生產(chǎn)高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先進技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)，連續(xù)多年獲得中芯國際“最佳IP合作伙伴”獎。

如今，芯動科技基于國產(chǎn)N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗證成功， 為國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。

來源：濾波器

責(zé)任編輯：haq