據(jù)digitimes報道,業(yè)內(nèi)人士透漏,近日利基型DRAM價格急單漲幅擴大至10~20%,2021年報價將逐季提升5~10%,預(yù)計明年第3季度價格將有機會較今年同期大幅上漲30~40%。
對于漲價的原因,digitimes指出一方面是存儲大廠三星電子、SK海力士沖刺CMOS圖像傳感器(CIS)產(chǎn)能,陸續(xù)將DRAM制程產(chǎn)線轉(zhuǎn)至生產(chǎn)CIS,尤其以小容量、舊規(guī)格的DDR2或DDR3首當其沖。
業(yè)內(nèi)人士指出,利基型DRAM產(chǎn)品約占全球DRAM比重9~10%左右,屬于少量多樣的應(yīng)用需求。當三星、SK海力士淡出舊規(guī)格產(chǎn)品及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換,盡管對全球DRAM產(chǎn)能影響可能僅有3%,但在利基型DRAM卻可能導(dǎo)致約30%供應(yīng)短缺的沖擊。
三星、SK海力士產(chǎn)能轉(zhuǎn)換后,促使終端應(yīng)用客戶轉(zhuǎn)向臺廠急下訂單,產(chǎn)能吃緊至少將延續(xù)至2021年上半。
另一漲價原因則在于利基型DRAM終端應(yīng)用需求逐漸回暖,包括遠程商機帶動的數(shù)字電視及機頂盒需求,5G基礎(chǔ)建設(shè)帶動的Wi-Fi路由器等網(wǎng)通產(chǎn)品需求。
臺系存儲廠商透漏,近日利基型DRAM客戶訂單爆滿,受限于既有產(chǎn)能規(guī)模,只能選擇性接單或挑單,急單漲幅甚至達到10~20%。該廠商并樂觀看待明年需求,稱由于客戶擔心產(chǎn)能不足,訂單已排至2021年下半年,預(yù)計到2021年第3季價格將有機會較2020年同期大幅上漲30~40%。
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