9月24日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在連續(xù)5年增長(zhǎng)之后,全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模在去年有下滑,但研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),今年又將恢復(fù)增長(zhǎng)。
從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來看,全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模在今年將達(dá)到677億美元,較去年的570億美元增加107億美元,同比增長(zhǎng)19%。
研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球純晶圓代工市場(chǎng)今年增至677億美元,也就意味著在他們看來,這一市場(chǎng)在今年將恢復(fù)增長(zhǎng)。2019年,全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模曾有下滑,當(dāng)年的規(guī)模為570億美元,較2018年的578億美元減少8億美元,同比下滑1.38%。
在2019年之前,全球純晶圓代工市場(chǎng)已連續(xù)5年增長(zhǎng)。研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)就顯示,2014年全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模為427億美元,同比增長(zhǎng)18%;2015年增至456億美元;2016年超過500億美元,達(dá)到504億美元;2017年進(jìn)一步增加,增至548億美元。
具體來看,存儲(chǔ)器工廠將以300億美元的設(shè)備支出領(lǐng)先全球半導(dǎo)體領(lǐng)域;其次是領(lǐng)先的邏輯和代工廠,預(yù)計(jì)其將以290億美元的投資排名第二。再者是3D NAND memory細(xì)分市場(chǎng),報(bào)告指出,3D NAND memory將在今年推動(dòng)30%的投資激增,從而推動(dòng)支出狂潮,在2021年實(shí)現(xiàn)17%的增長(zhǎng)。
另一方面,在2020年DRAM Fab廠的投資在2020年下降11%之后,明年將激增50%,而在前沿邏輯和代工廠的支出,在今年下降11%之后,到2021年將增長(zhǎng)16%。
此外,2020年全球Fab廠設(shè)備支出低谷將從第一季度轉(zhuǎn)移到第二季度。
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