場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
絕緣柵場效應(yīng)管是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱MOS場效應(yīng)管。
絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
場效應(yīng)管的工作方式有兩種:所謂的增強還是耗盡,主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下,反型層不存在,電壓加到一定程度后,反型層才出現(xiàn),(當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個就是增強。相反,如果反型層一開始就存在,隨著電壓強弱,反型層會出現(xiàn)增加或者衰減,(當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的)這個就是耗盡。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
首先我們介紹增強型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強型,我們下面都會介紹到。
發(fā)表于 02-22 16:55
?3534次閱讀
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式,N溝道和P溝道都有增強型和耗盡型兩種。耗盡
發(fā)表于 01-15 15:39
增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分
發(fā)表于 03-05 15:34
?2448次閱讀
什么是耗盡型MOS晶體管
據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡
發(fā)表于 03-05 15:35
?1.9w次閱讀
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制構(gòu)成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但理論應(yīng)用的只需增強型的N溝道
發(fā)表于 11-06 11:00
?6526次閱讀
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道
發(fā)表于 06-18 14:18
?1.3w次閱讀
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道
發(fā)表于 07-08 15:30
?4.7w次閱讀
MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種,可以被制造為增強型或者耗盡
發(fā)表于 10-24 11:08
?2.7w次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供增強型、耗盡型MOS場效應(yīng)管資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計
發(fā)表于 04-24 08:40
?7次下載
MOSFET有增強和耗盡型兩大類,增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS.
發(fā)表于 03-29 13:59
?11次下載
首先,MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵
發(fā)表于 10-21 11:35
?2642次閱讀
耗盡型MOS管(也稱為增強型MOS管)是一種常用的場
發(fā)表于 12-19 09:44
?3368次閱讀
特性和控制方式,可以將其分為增強型和耗盡型兩大類。這兩種類型的MOS管在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場景等方面都存在顯著的差異。本文將對
發(fā)表于 05-12 17:13
?3317次閱讀
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和良好的線性特性等優(yōu)點。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強型和耗盡
發(fā)表于 07-14 11:32
?3735次閱讀
增強型MOS管(Enhancement MOSFET)是一種重要的場效應(yīng)晶體管,具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。以下是對
發(fā)表于 07-24 10:51
?1540次閱讀
評論