湖南三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行

長沙晚報消息，7月20日，湖南三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。湖南三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝。湖南省委常委、長沙市委書記胡衡華宣布項目開工，長沙市委副書記、市長、湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新致辭，三安集團董事長林秀成、總經(jīng)理林科闖出席。

據(jù)三安光電此前公告，6月15日，三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資建設(shè)合同》。三安光電決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。 項目實施主體為擬成立的長沙控股子公司，將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。 三安光電稱，公司在用地各項手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。