在美國的步步緊逼下,華為面臨越來越嚴(yán)格的出口限制, 就連中芯國際都在近日表示:他們未來給某個(gè)客戶代工可能會受到限制。其實(shí)美國對他國進(jìn)行專利封鎖制裁的手段并非首次出現(xiàn),三十年前美國日本也發(fā)生過類似的貿(mào)易爭端。
在美國的步步緊逼下,華為面臨越來越嚴(yán)格的出口限制, 就連中芯國際都在近日表示:他們未來給某個(gè)客戶代工可能會受到限制。
其實(shí)美國對他國進(jìn)行專利封鎖制裁的手段并非首次出現(xiàn),三十年前美國日本也發(fā)生過類似的貿(mào)易爭端。
戰(zhàn)后初期受美國援助,日本電子制造業(yè)開始復(fù)蘇,1950年之后日本政府重點(diǎn)發(fā)展以半導(dǎo)體為代表的電子制造業(yè),采用政策與資金雙結(jié)合的“舉國體制”,同時(shí)日本廠商大力模仿美國同類產(chǎn)品,直到1985年的30多年時(shí)間日本電子制造業(yè)產(chǎn)值從1955年的0.02萬億日元增長到1985年的17.7萬億日元,同期出口從近乎為0增長到9.9萬億日元,日本DRAM在全球市占率一度高達(dá)80%。
日美電子貿(mào)易戰(zhàn)從1984年持續(xù)到1991年,措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關(guān)稅再到“最低價(jià)格協(xié)定”以及“最低市場份額協(xié)定”。貿(mào)易戰(zhàn)后日本電子行業(yè)出現(xiàn)兩層分化,首先是低端組裝業(yè)務(wù)開始海外遷移,只有集成電路和元器件在全球競爭力持續(xù)強(qiáng)勢,另一層分化是集成電路行業(yè)內(nèi)只有設(shè)備與材料一騎絕塵,DRAM等產(chǎn)品從全球霸主地位不斷衰落。
為了從日美電子貿(mào)易摩擦中尋求芯片突圍經(jīng)驗(yàn),民生證券公司發(fā)布了題為《日美電子貿(mào)易摩擦啟示錄》的研究報(bào)告,從電子及制造業(yè)發(fā)展的大歷史周期角度,分析了日本電子產(chǎn)業(yè)的興衰,為現(xiàn)在中美貿(mào)易爭端出謀劃策。
美日本貿(mào)易摩擦
美國對日貿(mào)易摩擦的時(shí)間跨度大約為 1985~1991 年,從 1975 年~1991 年,美國共向日本發(fā)起了 15 次 301 調(diào)查。在電子制造業(yè)領(lǐng)域美國對日本的貿(mào)易摩擦一直持續(xù)不斷,前有收音機(jī)進(jìn)口數(shù)量限制后有彩電反傾銷政策,但是美國對日本電子制造業(yè)最擔(dān)憂的也是貿(mào)易摩擦中最激烈的領(lǐng)域發(fā)生在半導(dǎo)體行業(yè)。
1、美國對日貿(mào)易摩擦在電子制造業(yè)領(lǐng)域具體政策
起因:日本在全球半導(dǎo)體市場份額持續(xù)上升 。在全球半導(dǎo)體市場上,美國半導(dǎo)體收入在全球半導(dǎo)體總收入中所占的比重由1978 年的 55%下降到 1984 年的 30%,而同期日本由 28%上升到 46%,1985 年后,日本的企業(yè)首次成為世界最大的半導(dǎo)體銷售商,到 1986 年,世界半導(dǎo)體銷量排行榜前三位均為日本企業(yè)。此外,上世紀(jì) 80 年代,日本高科技出口已經(jīng)超過進(jìn)口,日本電子計(jì)算機(jī)在美國市場的占有率由 1980 年的 1%增加到 1984 年的 7.2%,電子部件由 3.2%上升到 7.2%。與此同時(shí)在機(jī)器人、集成電路、光纖通訊、激光、陶瓷材料等技術(shù)方面處于世界領(lǐng)先水平。
美國對日半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦措施:知識產(chǎn)權(quán)委員會+最低價(jià)格協(xié)定+超級 301 條款 。 1984 年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會,限制本國技術(shù)外流。1983 年美國商務(wù)部認(rèn)定, “對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本,目前雖僅限少數(shù)的高技術(shù)領(lǐng)域,但預(yù)計(jì)將來這種挑戰(zhàn)將涉及更大的范圍”,以后,美國就開始在高技術(shù)方面對日本采取防范措施,并加大對知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)力度,1984 年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會,限制本國技術(shù)外流。
1986 年初,日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導(dǎo)體保證協(xié)定》。在美國政府強(qiáng)力施壓之下,1986 年初日美兩國簽訂了為期 5 年的《日美半導(dǎo)體保證協(xié)定》,該協(xié)議的主要內(nèi)容為:美國暫停對日本 DRAM 傾銷訴訟,但作為交換條件,要求日本政府促進(jìn)日本企業(yè)購買美國生產(chǎn)的半導(dǎo)體,加強(qiáng)政府對價(jià)格的監(jiān)督。
《協(xié)定》的具體內(nèi)容包括:1)在市場準(zhǔn)入方面:日本擴(kuò)大外國半導(dǎo)體加入日本市場的機(jī)會,要求在日本市場必須有 20%的美國半導(dǎo)體產(chǎn)品占有率;2)在傾銷方面,美國暫停對 DRAM 的反傾銷調(diào)查,并根據(jù)日本生產(chǎn)商提供的成本資料確立了外國市場價(jià)格。當(dāng)銷售價(jià)低于外國市場價(jià)水平時(shí),就可以斷定該生產(chǎn)商正在以低于平均成本的價(jià)格進(jìn)行傾銷(在美國的反傾銷法中,允許加上 8%的邊際利潤)。
加征關(guān)稅以及“超級 301”條款。1987 年 3 月,美國政府以日本未能遵守協(xié)議為由,就微機(jī)等日本有關(guān)產(chǎn)品采取了征收 100%進(jìn)口關(guān)稅的報(bào)復(fù)性措施。1988 年美國通過“綜合貿(mào)易與競爭法”,祭出“超級 301”條款,使日本所有出口商品都處于美國貿(mào)易制裁風(fēng)險(xiǎn)之中。1989 年美國認(rèn)定日本在大型計(jì)算機(jī)、衛(wèi)星和林業(yè)產(chǎn)品方面封閉市場,動(dòng)用“超級 301”條款進(jìn)行調(diào)查。
新半導(dǎo)體協(xié)議。之后,日美兩國政府于 1991 年 6 月簽定了五年期的新半導(dǎo)體協(xié)議,其主要內(nèi)容為:擴(kuò)大市場準(zhǔn)入條款,削減并修改了反傾銷條款。
廣場協(xié)定:日本 DRAM 成本優(yōu)勢不再的直接原因。盡管美國迫使日本簽訂廣場協(xié)定不是只針對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但是不得不提廣場協(xié)定對日本半導(dǎo)體的出口影響是巨大的。1985 年 9 月,日元匯率在 1 美元兌 250 日元上下波動(dòng),在“廣場協(xié)議”生效后不到 3 個(gè)月的時(shí)間里,快速升值到 1 美元兌 200 日元附近,升幅 20%。1986年底,1 美元兌 152 日元,1987 年最高達(dá)到 1 美元兌 120 日元。1985 年后日本電子制造業(yè)的貿(mào)易順差開始掉頭向下,DRAM 產(chǎn)品的市場占有率也開始急劇下降,時(shí)間點(diǎn)與廣場協(xié)議簽訂時(shí)間高度相關(guān)。
2、 貿(mào)易摩擦后的日本電子制造業(yè)的兩層分化
第一層分化:終端產(chǎn)品萎縮,零部件與設(shè)備占比提升 。
1985 年后集成電路、零部件出口持續(xù)增長,視頻、音頻、計(jì)算機(jī)持續(xù)萎縮。出口是衡量一個(gè)國家某種產(chǎn)品在全球競爭力最有效的方式之一。我們對日本電子行業(yè)每種細(xì)分品類在 1985 年之后的出口額進(jìn)行了詳細(xì)統(tǒng)計(jì),以此來觀察在 1985 年貿(mào)易摩擦之后日本電子行業(yè)哪些產(chǎn)品衰落了,哪些產(chǎn)品競爭力提升了。從下圖中可以看出在 1985 年之后出口額能持續(xù)增長的只有集成電路產(chǎn)品,零部件產(chǎn)品在 1985 年后2000 年之前仍然保持高速增長,視頻產(chǎn)品、音響設(shè)備、計(jì)算機(jī)及相關(guān)設(shè)備等產(chǎn)品在1985 年之后出口額持續(xù)萎縮。
零部件與設(shè)備成為出口創(chuàng)匯主力。1985 年之后日本電子制造業(yè)中零部件與設(shè)備的產(chǎn)值占比持續(xù)提升,從 1985 年的 30%提升到 2013 年的 60%,出口創(chuàng)收占比更是從不到 30%提升到接近 80%,同時(shí)占電子行業(yè)進(jìn)口額的比重持續(xù)下降到 40%,說明日本本土零部件與設(shè)備廠商的競爭力不斷提升,不光實(shí)現(xiàn)了實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代,更是成為了出口創(chuàng)匯的主力產(chǎn)業(yè)。
第二層分化:半導(dǎo)體領(lǐng)域 DRAM 開始衰敗,設(shè)備與材料興起 。
除了終端電子產(chǎn)品之外,日本半導(dǎo)體領(lǐng)域也同樣出現(xiàn)分化趨勢。日本 DRAM 行業(yè)在 1985 年之后在全球市場份額持續(xù)下滑,但是日本半導(dǎo)體行業(yè)中核心設(shè)備在全球的份額持續(xù)提升,80 年代是日本半導(dǎo)體設(shè)備及材料崛起的黃金十年。在 1980 年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商中,美國占有 9 席,日本僅僅占 1 席;而到 1990 年全球前十大廠商中,日本占有 5 席,美國占有 5 席。
根據(jù) SEMI 的預(yù)測,在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,日本企業(yè)全球市場占有率約為 52%,其中歐洲與北美占比都為 15%左右。在全球該領(lǐng)域中日本行業(yè)占據(jù)了絕對優(yōu)勢,此時(shí)期日本半導(dǎo)體材料在光刻膠、模壓樹脂、硅晶圓、鍵合引線及引線框架等重要材料方面占了非常高的份額,日本半導(dǎo)體材料企業(yè)在全球行業(yè)中地位舉足輕重。像日立化學(xué)、京瓷化學(xué)、信越、三菱佳友株式會社 SUMCO、佳友電木等日本企業(yè)幾乎壟斷了全球半導(dǎo)體材料。靶材領(lǐng)域,市場占有率超 90%的全球 6 大廠商中前兩大就是日本的廠商 Shin-Etsu 和 SUMCO,兩家市場占有率合計(jì)超過 50%。硅片領(lǐng)域被日本信越化學(xué)、三菱住友、中國臺灣地區(qū)環(huán)球晶圓、德國世創(chuàng)和韓國 LG 五大供應(yīng)商壟斷,全球硅片供應(yīng)占比超 90%。其中日本的信越化學(xué)、三菱住友分別占比 27%、26%。
日本集成電路行業(yè)整體貿(mào)易順差在 1985 年之后曾經(jīng)歷短暫快速下跌,主要是由于之前順差貢獻(xiàn)的主力 DRAM 出現(xiàn)較大滑坡所致,但是日本集成電路行業(yè)并未一蹶不振,從 87 年開始恢復(fù)增長一直持續(xù)到金融危機(jī)前的 2007 年,這其中設(shè)備和材料的貢獻(xiàn)功不可沒。
3、 貿(mào)易摩擦加速了日本電子制造業(yè)的第一層分化,但并不影響第二層分化
貿(mào)易摩擦的確加速了第一層分化 。貿(mào)易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進(jìn)規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設(shè)備的進(jìn)化,其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進(jìn)化的過程,日美貿(mào)易摩擦不是這一進(jìn)化的根本原因,但具有加速作用。1985 年之后日本電子制造業(yè)的貿(mào)易順差開始急速下降,日本彩電以及曾經(jīng)的貿(mào)易順差主力產(chǎn)品 VTR 從 1985 年開始下滑。日本電子制造業(yè)從彩電出口為主到液晶面板出口為主,從終端組裝產(chǎn)品出口為主到集成電路出口占比持續(xù)上升,貿(mào)易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進(jìn)規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設(shè)備的進(jìn)化,其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進(jìn)化的過程。
日美貿(mào)易摩擦只是影響了日本部分終端產(chǎn)品的出口,相反,日美貿(mào)易摩擦卻是日本電子制造業(yè)升級轉(zhuǎn)型的催化劑。從一國產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律來看,日本電子制造業(yè)的這一升級并不是遭受了貿(mào)易摩擦的日本一國獨(dú)有的專利,從全球來看,雖然美國從來不是被貿(mào)易摩擦的國家,但是美國電子制造業(yè)的歷史其實(shí)就是一部低端產(chǎn)品生產(chǎn)不斷向日本以及亞洲四小龍?jiān)傧驏|南亞國家遷移而美國本土制造業(yè)不斷升級的歷史。只是因?yàn)橘Q(mào)易摩擦的影響使得日本電子制造業(yè)在 1985 年就開始被迫需要升級。
第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新潮流 。日本 DRAM 行業(yè)的潰敗最根本原因在于錯(cuò)過了個(gè)人 PC 的興起。DRAM 是日本半導(dǎo)體行業(yè)最具代表性的產(chǎn)品,考察日本 DRAM 產(chǎn)品的興衰可以一窺日本半導(dǎo)體行業(yè)的整體興衰。日美半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦在 1991 年以簽訂《新半導(dǎo)體保證協(xié)議》結(jié)束,新條款當(dāng)中對日本 DRAM 的最低價(jià)格決定者已經(jīng)從美國變更為日本,由日本廠商參考全球 DRAM 平均價(jià)格自行決定最低售價(jià),相比由美國決定最低售價(jià)已經(jīng)寬松很多,但此時(shí)日本 DRAM 的全球市占率還有接近 70%,貿(mào)易摩擦可以解釋日本 DRAM 市占率從 80%下降到 70%,但是無法解釋為何后來日本 DRAM 在全球的市占率從 70%下降到 10%以及后續(xù)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合的爾必達(dá)的倒閉。我們認(rèn)為日本 DRAM 行業(yè)失敗的根本原因在于日本廠商錯(cuò)過了個(gè)人 PC 的興起。
日本 DRAM 廠商錯(cuò)失個(gè)人 PC 創(chuàng)新潮流。20 世紀(jì) 90 年代,電腦界開啟了換代潮流,從大型機(jī)向個(gè)人 PC 轉(zhuǎn)變,這一換代也導(dǎo)致了 DRAM 需求的變化,DRAM 的主力需求從大型機(jī)生產(chǎn)商向 PC 生廠商切換。伴隨著這一轉(zhuǎn)變,日本 DRAM 市占率不斷萎縮,韓國開始后來居上,在 1992 年超過日本成為霸主。主要是大型機(jī)和 PC需要的 DRAM 規(guī)格是完全不同的,PC 需要的 DRAM 的制造要求就是低成本而不是 25 年的質(zhì)量保證,而韓國廠商生產(chǎn)的 DRAM 切合了低成本的要求最終打敗了日本。
但是,處于潮流轉(zhuǎn)變中的日本廠商肯定也感受到了 PC 的興起,但日本廠商的追求極致的文化告訴他們可以將大型機(jī)高質(zhì)保要求的理念用于生產(chǎn) PC 用 DRAM 當(dāng)中,于是日本廠商堅(jiān)持生產(chǎn) 25 年質(zhì)保的 PC 用 DRAM,而這種 DRAM 對于 PC 來說質(zhì)量明顯過剩。結(jié)果,大量生產(chǎn)低成本 PC 用 DRAM 的韓國廠商崛起,而日本失去了霸主地位。
日本半導(dǎo)體行業(yè)的文化過于追求極限。半導(dǎo)體制造需要精密的技術(shù),而這些技術(shù)并不是一朝一夕能形成的。當(dāng)時(shí) DRAM 多用于大型電腦和電話交換機(jī)設(shè)備,其立下的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)是要求大型電腦用的 DRAM 有 25 年的質(zhì)保,日本半導(dǎo)體制造商的工匠精神生產(chǎn)出了這種可靠性要求極其嚴(yán)格的DRAM,由此日本DRAM開始橫掃全球。
此時(shí),在技術(shù)上追求極限,生產(chǎn)高品質(zhì)的 DRAM 這一技術(shù)文化開始扎根于日本半導(dǎo)體企業(yè)的方方面面,而這種技術(shù)文化正是日本半導(dǎo)體行業(yè)競爭力的源泉。
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合的爾必達(dá)也未能挽救日本的 DRAM 行業(yè)。1999 年底,日立和 NEC 合資成立專門生產(chǎn) DRAM 的公司爾必達(dá),當(dāng)時(shí)普遍認(rèn)為爾必達(dá)是“強(qiáng)大技術(shù)研發(fā)實(shí)力的日立”和“強(qiáng)大生產(chǎn)技術(shù)的 NEC”合二為一,由此將誕生世界上最強(qiáng)大的 DRAM制造商。甚至后來還有三菱電機(jī)的加入,但是爾必達(dá)的命運(yùn)卻以破產(chǎn)倒閉而告終。
爾必達(dá)最根本的問題在于公司固守生產(chǎn)大型機(jī) DRAM 思維而缺乏用低成本來生產(chǎn)低價(jià)格 PC DRAM 的意識。金融危機(jī)之后 DRAM 曾經(jīng)跌破了 1 美元,當(dāng)時(shí)爾必達(dá)高管在公開場合認(rèn)為 1 美元的 DRAM 是無稽之談,爾必達(dá)還是堅(jiān)持了早年日本DRAM 行業(yè)走高端高價(jià)格的路線,必然遭到時(shí)代的淘汰。
日元升值并不是日本 DRAM 喪失地位的主因。部分研究認(rèn)為主要是貿(mào)易摩擦導(dǎo)致的日元匯率升值使得日本成本優(yōu)勢降低,于是韓國的 DRAM 后來居上,我們認(rèn)為不應(yīng)高估匯率變動(dòng)對日本 DRAM 產(chǎn)品競爭力的影響,85 年之后的韓國在 DRAM 市場可謂一騎絕塵,但 97 年韓元在短暫貶值后開啟了 10 年的升值周期,升值幅度接近一倍,但這期間韓國 DRAM 的全球市占率卻從 35%上升到接近 50%,而且在 08年金融危機(jī)后韓元同樣持續(xù)升值,但 DRAM 市占率一路沖到最高接近 70%。并且以美元計(jì)價(jià)的日本和韓國兩國制造業(yè)平均工資水平韓國曾一度與日本相當(dāng),但日本卻再也沒能重拾當(dāng)年的雄風(fēng),在 DRAM 市場一路潰敗。
4、 鷸蚌相爭,漁翁得利:日美半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦最大的贏家是韓國
1984 年才成立知識產(chǎn)權(quán)委員會限制對日技術(shù)輸出的意義不大。1983 年美國認(rèn)定,對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本。以后,美國就開始在高技術(shù)方面對日本采取防范措施,并加大對知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)力度于 1984 年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會,限制本國技術(shù)外流。而此時(shí)的日本半導(dǎo)體技術(shù)雖然無法完全與美國抗衡,但關(guān)鍵技術(shù)都已經(jīng)獲得突破。1980 年,日本宣布為期四年的“VLSI”項(xiàng)目順利完成,期間申請實(shí)用新型專利 1210 件,商業(yè)專利 347 件。更重要的是,到了 64K DRAM 大規(guī)模集成電路時(shí)代,富士通公司的研發(fā)進(jìn)度開始與 IBM、德州儀器等美國企業(yè)并駕齊驅(qū),而到了 256KDRAM 時(shí)代,美國才剛研制出來,日本富士通和日立的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市??梢哉f此時(shí)的日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不需要依靠美國技術(shù)。
對日本 DRAM 反傾銷犧牲了日本卻成全了韓國。到了 1985 年眼看限制對日技術(shù)輸出也無法阻止日本 DRAM 一統(tǒng)天下,美國開始對其進(jìn)行更直接的反傾銷調(diào)查直至后續(xù)逼迫日本簽訂《日美半導(dǎo)體協(xié)議》。盡管我們認(rèn)為日本 DRAM 衰敗更多原因來自于日本企業(yè)自身,不可否認(rèn)美國的反傾銷調(diào)查加速了日本 DRAM 的下滑,但美國沒有想到的是韓國的 DRAM 廠商卻趁勢崛起,以三星為代表的廠商獲得了全球 70%左右份額。
韓國DRAM廠商崛起而美國無力阻止。1985年之后韓國DRAM份額逐漸上升,此時(shí) DRAM 的消費(fèi)主力逐漸從大型機(jī)轉(zhuǎn)向個(gè)人 PC,而個(gè)人 PC 的生產(chǎn)主力地區(qū)在中國臺灣,因此韓國DRAM主要銷往臺灣等地,美國無法阻止臺灣廠商進(jìn)口韓國DRAM。當(dāng)然美國進(jìn)口的 PC 當(dāng)中也有使用韓國 DRAM 的,但是這些進(jìn)口 PC 中大部分都是美國自己的品牌,并且,在 1980 年之后由于受日本 DRAM 沖擊太大,美國本土企業(yè)已經(jīng)逐漸撤出 DRAM 生產(chǎn),此時(shí)美國對韓國 DRAM 進(jìn)行貿(mào)易摩擦已經(jīng)沒有意義。
貿(mào)易摩擦后日本電子制造業(yè)的演進(jìn)對中國的啟示
既沒有富士康,更沒有蘋果與高通。日本電子制造業(yè)在二戰(zhàn)后因?yàn)槊绹姆龀忠约氨緡e國體制發(fā)展半導(dǎo)體,曾經(jīng)取得了輝煌的成就,但近年來日本電子制造業(yè)卻持續(xù)萎靡,只在半導(dǎo)體材料和設(shè)備領(lǐng)域維持著領(lǐng)先的市場份額,日本電子制造業(yè)60 多年的發(fā)展史既沒有產(chǎn)生富士康這種代工領(lǐng)導(dǎo)者,更沒有產(chǎn)生蘋果與高通這類核心設(shè)計(jì)品牌,偏居上游的日本電子制造業(yè)有逐漸空心化的趨勢。
日本電子制造業(yè)衰落主要原因沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的趨勢。貿(mào)易摩擦并不是日本電子制造業(yè)的這一空心化趨勢的核心因素,究其原因,主要是日本沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的潮流,在 1985 年之前大型機(jī)時(shí)代,日本電子制造業(yè)逐漸崛起,但是從 2000 年互聯(lián)網(wǎng) 1.0 時(shí)代開始日本逐漸與行業(yè)最新潮流脫鉤,以至于持續(xù)錯(cuò)過了互聯(lián)網(wǎng) 1.0 以及 2.0 時(shí)代,當(dāng)前處于互聯(lián)網(wǎng) 2.0 向 AI、5G 以及智能駕駛變革的關(guān)鍵時(shí)期,能否抓住這一潮流對日本以及當(dāng)前的中國都至關(guān)重要。
中國當(dāng)前雖有貿(mào)易摩擦,但基本卡位了科技創(chuàng)新的每一波潮流。當(dāng)前中國雖然處于貿(mào)易摩擦的陰霾籠罩下,但是我們緊扣科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的節(jié)奏,中國科技公司緊跟互聯(lián)網(wǎng) 2.0 以及移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的步伐,并且在新能源車領(lǐng)域整體水平不輸國外公司,在這過程中涌現(xiàn)出一大批領(lǐng)導(dǎo)者企業(yè)如 5G 領(lǐng)域的華為、AI 領(lǐng)域的??低?/u>、商湯科技以及智能駕駛領(lǐng)域的百度。我們持續(xù)看好中國科技企業(yè)今后的創(chuàng)新,在這之前日本公司的一些經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)值得我們學(xué)習(xí)。
1、 加大核心零部件與設(shè)備的自制,降低對產(chǎn)品組裝的依賴
貿(mào)易摩擦不可否認(rèn)對日本電子制造業(yè)的出口額造成了巨大影響,尤其是對于部分電子產(chǎn)品如電視機(jī)以及家庭錄像設(shè)備(VTR)而言幾乎是毀滅性的打擊,但日本電子制造業(yè)當(dāng)中零部件的出口卻一直處于上升態(tài)勢,相對于終端產(chǎn)品需要大量的組裝工序,零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動(dòng)日本電子制造業(yè)的毛利率水平。類似案例在電視機(jī)行業(yè)尤為顯著,日本彩電行業(yè)在 1985 年之后出口銳減,但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加,一直到 2003 年日本液晶面板占據(jù)了全球市場的 40%以上。
2008 年之前我國半導(dǎo)體設(shè)備基本全靠進(jìn)口,因此國家設(shè)立了 02 專項(xiàng)研發(fā)國產(chǎn)化設(shè)備。但是,由于設(shè)備制造對技術(shù)和資金需求要求比較高,只有北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、上海微電子等少數(shù)重點(diǎn)企業(yè)能夠承擔(dān) 02 專項(xiàng)研發(fā)工作,整個(gè)行業(yè)集中度相對較高。雖然在 02 專項(xiàng)的支持下,我國半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從無到有,但相比國內(nèi)龐大的市場規(guī)模而言,自給率不足 15%。
即使在發(fā)展水平相對較高的 IC 封裝測試領(lǐng)域,我國與先進(jìn)國際水平相比仍然存在較大差距。尤其是單晶爐、氧化爐、 CVD 設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備、 CMP 設(shè)備、光刻機(jī)、涂布/顯影設(shè)備、 ICP 等離子體刻蝕系統(tǒng)、探針臺等設(shè)備市場幾乎被國外企業(yè)所占據(jù)。
2、 注重水平分工,降低生產(chǎn)成本
水平分工分為兩個(gè)層次:一個(gè)是產(chǎn)業(yè)內(nèi)的從 IDM 模式到 Fabless 模式,另外是地域性的從國內(nèi)到國外的水平分工。
忽視產(chǎn)業(yè)內(nèi)的水平分工是日本半導(dǎo)體企業(yè)失敗的重要原因之一。貿(mào)易摩擦對日本電子制造業(yè)低端產(chǎn)品影響較大,而相對高端的日本半導(dǎo)體企業(yè)之所以衰退的第一個(gè)重要原因就是堅(jiān)持垂直一體化的生產(chǎn)模式(IDM)。早期日本半導(dǎo)體企業(yè)都是和Fabless 的模式背道而馳,與此同時(shí)日本半導(dǎo)體企業(yè)也在節(jié)節(jié)敗退,從 2000 年開始,日本半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)無法繼續(xù)堅(jiān)持IDM 的模式開始向 Fabless 模式轉(zhuǎn)變。
收入增長時(shí)設(shè)備投入也增加。日本半導(dǎo)體企業(yè)在銷售額增加的時(shí)候,當(dāng)年的設(shè)備投資額也會相應(yīng)增加,銷售額減少的時(shí)候設(shè)備投資額也會減少,結(jié)果是當(dāng)銷售額減少的時(shí)候,由于前期投資持續(xù)增加,帶來設(shè)備的折舊也是在增加的,導(dǎo)致企業(yè)的盈利忽高忽低。而采用 Fabless 模式的高通公司營收與折舊增長基本同步,就連需要重資產(chǎn)投入的代工廠臺積電的營收與折舊增長相關(guān)性也遠(yuǎn)高于日本的情況。
1985-1986 年,由于剛受到貿(mào)易摩擦的影響,日本半導(dǎo)體企業(yè)的出口受到一定影響,銷售額開始下滑,但是折舊卻大幅度上升,折舊金額和銷售下降疊加,企業(yè)利潤壓力增大。
忽視地理上的水平分工是日本半導(dǎo)體企業(yè)失敗的另一重要原因。日本企業(yè)主張“設(shè)計(jì)部門和生產(chǎn)部門必須屬于同一個(gè)地區(qū)同一個(gè)企業(yè)”,這是因?yàn)樵O(shè)計(jì)部門和生產(chǎn)部門需要密切交流,共享信息,否則就無法做出優(yōu)秀的產(chǎn)品。這樣的企業(yè)文化導(dǎo)致日本很少考慮地理上的水平分工。
我們用一國對外 FDI 總額與本國當(dāng)年 GDP 的比重來衡量地理上水平分工的程度。1980 年代美國 FDI 與 GDP 的比重略超 5%,到近兩年一路提升到 30%左右,而日本的數(shù)據(jù)卻一直在 5%以下徘徊。同為后起之秀的韓國的 FDI 比重在 1992 年首次超過日本之后一直到 2014 年才重新被日本超越,一方面說明過去 20 年日本對 FDI 確實(shí)過于保守,也說明了近年來日本對 FDI 開始更加重視。
地理上的水平分工有利于企業(yè)降低生產(chǎn)成本,1985 年之后日元持續(xù)升值,日本DRAM 廠商完全可以對外進(jìn)行 FDI,將生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移至國外,由于日元升值,廠商的海外購買力其實(shí)不斷增強(qiáng),一方面利用國外廉價(jià)勞動(dòng)力,一方面購買國外廉價(jià)零部件,但 90 年代前幾乎沒有日本半導(dǎo)體廠商這么做。
貿(mào)易摩擦背景下中國電子制造業(yè)的突圍
貿(mào)易摩擦后的日本電子制造業(yè)出現(xiàn)了兩層分化,日美貿(mào)易摩擦對日本電子制造業(yè)的第一層分化只是催化劑的作用,而對于第二層分化,其主要原因是日本自身沒有把握住科技創(chuàng)新的趨勢。對當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦背景下中國電子行業(yè)會如何發(fā)展這個(gè)問題,我們首先從中日電子行業(yè)比較開始入手。
1、 美國對中國限制措施持續(xù)升級
本輪中美貿(mào)易摩擦開始于特朗普于 2018 年 3 月 22 日簽署備忘錄,宣布依據(jù) 1974年貿(mào)易法第 301 條指示美國貿(mào)易代表對從中國進(jìn)口的商品征收關(guān)稅,以“懲罰中國偷竊美國知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)秘密”,涉及商品總計(jì)達(dá) 600 億美元。中國商務(wù)部其后作出反制措施向 128 種美國進(jìn)口商品征稅,其中包括美國向中國出口最多的貨品大豆。中美雙方曾一度于 2018 年 5 月達(dá)成暫停貿(mào)易摩擦的共識,并發(fā)表聯(lián)合聲明尋求和解。但美國貿(mào)易代表辦公室仍于 6 月 16 日公布對華加征關(guān)稅清單,中國國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會其后作出對等報(bào)復(fù),中國商務(wù)部亦重啟對美輸華多項(xiàng)產(chǎn)品的反傾銷調(diào)查。
2018 年 7 月 6 日,特朗普政府正式對來自中國價(jià)值 340 億美元的商品加征 25%關(guān)稅,標(biāo)志著特朗普對華關(guān)稅政策正式實(shí)施。中國商務(wù)部其后在聲明中指出,“美國違反世貿(mào)規(guī)則,發(fā)動(dòng)了迄今為止經(jīng)濟(jì)史上規(guī)模最大的貿(mào)易摩擦”。中國海關(guān)總署指,中方的報(bào)復(fù)措施已在美方加征關(guān)稅措施生效后即行實(shí)施。
2、 遭受貿(mào)易摩擦前中日兩國電子制造業(yè)實(shí)力對比
日本電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度遠(yuǎn)高于中國。我們用電子制造業(yè)的出口金額與行業(yè)總產(chǎn)值的比來衡量對外貿(mào)易依存度。日本電子行業(yè)對外貿(mào)易依存度自 1950 年來一直呈上升態(tài)勢,而中國的情況恰恰相反。1985 年貿(mào)易摩擦前日本電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度達(dá)到 56%,而當(dāng)前中國電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度僅為 39.32%,貿(mào)易摩擦開始后日本為了減少對對外貿(mào)易的依賴加大內(nèi)需的開發(fā),日本電子行業(yè)從 1985 年到 2000 年期間對外貿(mào)易依存度呈現(xiàn)持平狀態(tài),到 2000 年該數(shù)字為 55%,由于日本電子制造業(yè)本身發(fā)展迅速,并且在全球市場競爭力較強(qiáng),我們認(rèn)為這 15 年間日本電子制造業(yè)的對外貿(mào)易依存度能保持持平說明開發(fā)內(nèi)需確實(shí)效果顯著。
然而中國近年來的情況與日本當(dāng)時(shí)的情況完全相反,08 年金融危機(jī)之后中國電子制造業(yè)的出口比重一路下滑,造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升。生產(chǎn)總額從 08 年來增幅接近 300%,而出口總額增幅只有 40%,說明中國內(nèi)需增長旺盛,內(nèi)需消化的產(chǎn)值遠(yuǎn)高于出口。1985 年之前日本之所以出現(xiàn)貿(mào)易依存度不斷提高主要是因?yàn)槌隹谠龇h(yuǎn)高于總產(chǎn)值增幅,1985 年的出口金額和總產(chǎn)值分別是1955 年的 1980 和 885 倍。1985 年之后日本出口基本維持零增長態(tài)勢,但是生產(chǎn)總值在 2000 年達(dá)到頂峰后一路下滑,導(dǎo)致貿(mào)易依存度被動(dòng)性提高。
總結(jié)來看,中國當(dāng)前電子制造業(yè)主要是內(nèi)需拉動(dòng),與日本高貿(mào)易依存度的需求結(jié)構(gòu)相比有著更強(qiáng)的抵御貿(mào)易摩擦的能力。
中國電子制造業(yè)在全球是“參與者”而不僅僅是“供給者”角色。我們以集成電路行業(yè)為例,中國 2016 年集成電路進(jìn)口 2270 億美元,本土產(chǎn)值 652 億美元,出口 614 億美元,本土總產(chǎn)值與出口額相近,說明本土產(chǎn)品或服務(wù)基本都是用于出口,中國集成電路行業(yè)封裝環(huán)節(jié)產(chǎn)值占比達(dá)到 36%,封裝占比高說明中國集成電路出口基本都是給國際廠商提供封裝服務(wù),同時(shí)中國每年進(jìn)口 2270 億美元,出口額與進(jìn)口額相差較大與中國集成電路行業(yè)本身產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)有關(guān),中國一方面提供封裝服務(wù),同時(shí)從國際市場進(jìn)口大量集成電路成品,說明中國集成電路在全球市場是“參與者”的角色。日本集成電路行業(yè)在 1985 年時(shí)總產(chǎn)值達(dá)到 80 億美元,而出口和進(jìn)口分別只有不到 30 億美元和 6 億美元,極少的進(jìn)口額和極高的總產(chǎn)值說明日本半導(dǎo)體產(chǎn)品基本不需要參與國際分工,其 IDM 的模式可以實(shí)現(xiàn)自給自足,同時(shí)日本當(dāng)年的出口額是進(jìn)口額的接近 5 倍,如此大的差額比中國當(dāng)前的結(jié)構(gòu)更容易遭受貿(mào)易摩擦,而事實(shí)上日本集成電路行業(yè)當(dāng)年就遭到了美國的多次反傾銷調(diào)查。
當(dāng)前中國集成電路的產(chǎn)值與貿(mào)易結(jié)構(gòu)相比日本當(dāng)年在抵御反傾銷調(diào)查上具有優(yōu)勢,同時(shí)因?yàn)槲覀兪菄H分工“參與者”,在“禁運(yùn)”(美國對中國出口)方面對方又不得不考慮對其本土企業(yè)生產(chǎn)的影響。
3、 與日美電子貿(mào)易摩擦相比,美國對中國打擊力度加大
當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦針對電子制造業(yè)美國已出臺措施的打擊力度不亞于當(dāng)年日美貿(mào)易摩擦。80 年代日美貿(mào)易摩擦從 1984 年開始一直延續(xù)到 1991 年,期間出臺多項(xiàng)限制日本電子制造業(yè)的合約,1986 年簽署的《日美半導(dǎo)體保證協(xié)定》決定對日本出口的半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行監(jiān)督,一般認(rèn)為 1986 年《日美半導(dǎo)體保證協(xié)定》是左右日后日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)命運(yùn)的重要因素。當(dāng)時(shí)日本最擅長的存儲行業(yè),因?yàn)閷γ绤f(xié)定的制約,被中國臺灣、韓國趕超上來,風(fēng)光不再。
當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦美方已經(jīng)出臺的措施主要有禁運(yùn)和加征關(guān)稅兩種。我們統(tǒng)計(jì)了美方三次加征關(guān)稅的清單當(dāng)中涉及電子制造業(yè)的部分,從加征關(guān)稅的名單來看主要是對 160 億美元加征關(guān)稅的清單二涉及較多集成電路板塊出口,但對上市公司涉及金額較小,受影響程度較小。此外,中美貿(mào)易摩擦美方已出臺的措施最為嚴(yán)厲的當(dāng)屬去年 4 月份的中興通訊和福建晉華禁運(yùn)事件。
中興事件雖然和解,但卻為中國電子制造業(yè)敲響警鐘。中興通訊全線產(chǎn)品過多依賴于美國芯片和光模塊廠商,美國實(shí)施完全禁運(yùn)的情況下,中興通訊及關(guān)聯(lián)公司不能直接或者間接購買美國零部件、商品、軟件和技術(shù),從上述分析看,基站側(cè)FPGA、高速 AD/DA、功率放大器、高速光模塊等都會受到美國制裁影響,而且沒有辦法從其他國家獲得替代性產(chǎn)品,這些核心元器件無法供應(yīng)的情況下,公司產(chǎn)品的交付能力會面臨比較大的挑戰(zhàn)。
華為、晉華事件凸顯核心設(shè)備和材料國產(chǎn)化迫在眉睫。2020 年 5 月 15 日,美國商務(wù)部宣布一項(xiàng)新計(jì)劃,將通過修改出口管理?xiàng)l例(EAR),要求全世界所有公司,只要利用到美國的設(shè)備和技術(shù)幫華為生產(chǎn)產(chǎn)品,都必須經(jīng)過美國政府批準(zhǔn)。此次升級繼續(xù)針對華為。自 2019 年 5 月 17 日美國 BIS 將華為及附屬公司超過 70 家納入實(shí)體名單以來,華為芯片核心產(chǎn)業(yè)鏈去 A 化進(jìn)展已取得顯著成效,在 IC 設(shè)計(jì)端的移動(dòng)處理器、存儲、模擬、傳感器、射頻前端、功率半導(dǎo)體等部件都已經(jīng)具備繞開美國供應(yīng)商的可行性路徑。但國內(nèi)半導(dǎo)體核心環(huán)節(jié)依然受制于人,本次美國對華為的限制升級新規(guī)主要集中芯片設(shè)計(jì)所需的 EDA 軟件和半導(dǎo)體設(shè)備。
日本怕反傾銷,中國怕出口禁運(yùn)。我們認(rèn)為中日兩國的貿(mào)易結(jié)構(gòu)決定了兩國在貿(mào)易摩擦方面的軟肋,日本的電子制造業(yè)主要是出口導(dǎo)向型,對外貿(mào)易依存度不斷提升,近年來更是達(dá)到了最高的 80%,日本的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)注定了其容易遭受反傾銷的調(diào)查,而歷史上日美貿(mào)易摩擦?xí)r美方使用的手段也基本都是圍繞反傾銷和最低價(jià)格協(xié)定等諸如此類的限制日本出口的措施。而中國電子行業(yè)對貿(mào)易依存度較低,最新數(shù)據(jù)不到 40%,尤其在集成電路行業(yè)進(jìn)口額達(dá)到出口額的 4 倍左右,中國的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)注定了高端材料和設(shè)備以及芯片是軟肋,從華為、中興事件和晉華事件來看,中國對禁運(yùn)幾乎毫無還手之力。
4、 中美貿(mào)易摩擦對中國電子制造業(yè)的長期影響
中美貿(mào)易摩擦的解決不會一蹴而就,反復(fù)摩擦將是常態(tài)。日美貿(mào)易摩擦從 1960年開始一直延續(xù)到 1990 年,其中電子制造業(yè)戰(zhàn)爭集中發(fā)生在 1985 年到 1991 年,美國用 6 年時(shí)間改變了日本電子制造業(yè)的生產(chǎn)和出口結(jié)構(gòu),我們認(rèn)為中美之間貿(mào)易摩擦將是主流,尤其對于電子制造業(yè)而言,近年來中美貿(mào)易順差總額為 2500 億美元左右,電子信息行業(yè)貢獻(xiàn)占比 45%,因此電子行業(yè)必將成為中美貿(mào)易雙方最為矚目的行業(yè),有可能會招來美方更多的限制措施。
終端產(chǎn)品生產(chǎn)下降,零部件占比提升。參考當(dāng)時(shí)日本的案例,日本電子制造業(yè)當(dāng)中零部件的出口卻一直處于上升態(tài)勢,相對于終端產(chǎn)品需要大量的組裝工序,零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動(dòng)日本電子制造業(yè)的毛利率水平。類似案例在電視機(jī)行業(yè)尤為顯著,日本彩電行業(yè)在 1985 年之后出口銳減,但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加,一直到 2003 年日本液晶面板占據(jù)了全球市場的 40%以上。日本消費(fèi)電子終端產(chǎn)品產(chǎn)值與行業(yè)總產(chǎn)值占比從 2000 年以來基本處于下降通道,2019 年的比例已經(jīng)不足 4%。
當(dāng)前中國智能機(jī)、計(jì)算機(jī)等整機(jī)產(chǎn)品在全球市占率第一,而關(guān)鍵零部件以及高端設(shè)備基本都是依賴進(jìn)口,日美貿(mào)易摩擦的案例告訴我們在當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦的背景下我們的終端產(chǎn)品在全球的成本優(yōu)勢會下降,提高核心零部件以及設(shè)備的研發(fā)與自制是保證中國電子制造業(yè)擁有下一個(gè)增長點(diǎn)的關(guān)鍵。
加大對外直接投資力度。1985 年之前日本制造業(yè)對外直接投資金額維持在 4000億日元上下,總體增速較為平穩(wěn),制造業(yè)對外直接投資與制造業(yè)國內(nèi)總產(chǎn)值的比例保持在 1%左右。在 1985 年之后的對外直接投資金額開始迅速增長,1988 年開始達(dá)到 17679 億日元,與總產(chǎn)值的占比攀升到 2%,此后日本制造業(yè)對外直接投資波動(dòng)上升,在 2013 年達(dá)到最高點(diǎn),與總產(chǎn)值的占比為 7%。預(yù)計(jì)中美貿(mào)易摩擦?xí)铀僦袊K端產(chǎn)品生產(chǎn)的海外直接投資力度。當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦當(dāng)中的加稅措施預(yù)計(jì)會提升中國電子制造業(yè)在國內(nèi)生產(chǎn)的出口成本,如果后續(xù) 2000 億美元加征關(guān)稅措施出臺,以及加稅力度提升,預(yù)計(jì)偏終端產(chǎn)品的海外轉(zhuǎn)移會加大。盡管終端產(chǎn)品生產(chǎn)的海外轉(zhuǎn)移是一國產(chǎn)業(yè)升級必然會出現(xiàn)的現(xiàn)象,但加稅等措施會對這一轉(zhuǎn)移過程起到加速的作用。
加大舉國體制力度,實(shí)現(xiàn)核心設(shè)備與材料的自制。相對于加稅等措施,出口禁運(yùn)是當(dāng)前中國電子制造業(yè)面臨的最嚴(yán)重的問題。我們認(rèn)為舉國體制是后發(fā)國家突破核心設(shè)備自制最好的方式,日本以及韓國都在舉國體制下實(shí)現(xiàn)了核心設(shè)備的突破。我國半導(dǎo)體行業(yè)在 02 專項(xiàng)以及大基金項(xiàng)目的幫助下核心設(shè)備自給率尚不足 20%,預(yù)計(jì)后期政府會持續(xù)加大對半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)的投入,并且晶圓廠會加大與設(shè)備廠的合作力度,改變以往雙方合作水平較低的狀態(tài)。
結(jié)語:新型“舉國體制”有望助力國產(chǎn)半導(dǎo)體突圍
貿(mào)易戰(zhàn)后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進(jìn)規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件和設(shè)備的進(jìn)化,其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利產(chǎn)品進(jìn)化的過程。我們認(rèn)為貿(mào)易戰(zhàn)作為催化劑加速了這一分化進(jìn)程,同時(shí)日本電子制造業(yè)分化過程中部分高端產(chǎn)品(如DRAM)的衰退是日本電子制造業(yè)本身特點(diǎn)所致,貿(mào)易戰(zhàn)不是衰退主因。
日本電子制造業(yè)大多采用IDM模式,并且日本企業(yè)不注重地理位置上的水平分工,沒有利用最低勞動(dòng)力成本生產(chǎn)最具價(jià)格優(yōu)勢產(chǎn)品。此外,日本半導(dǎo)體企業(yè)堅(jiān)持生產(chǎn)大型機(jī)使用的高價(jià)高性能DRAM,當(dāng)個(gè)人PC時(shí)代來臨時(shí)日本廠商沒有重視高性價(jià)比DRAM的生產(chǎn),最終難逃倒閉命運(yùn)。
當(dāng)前中美兩國在電子制造業(yè)領(lǐng)域差距已經(jīng)在不斷縮小,目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域,我們所需的設(shè)備與材料基本都依賴進(jìn)口,而當(dāng)年日本1976 年開始半導(dǎo)體的舉國體制之前與中國當(dāng)前情況類似,但是經(jīng)過多年的發(fā)展,1985 年貿(mào)易摩擦前的日本半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)了核心設(shè)備的自制,甚至在部分核心產(chǎn)品上領(lǐng)先于美國同行量產(chǎn)上市??梢钥闯?,同樣在面對美國開打貿(mào)易摩擦?xí)r日美電子制造業(yè)的差距是小于中美之間的差距,值得欣慰的是,中國目前已經(jīng)出現(xiàn)一批優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體公司,如中微公司、瀾起科技、匯頂科技等。此外,日本半導(dǎo)體的舉國體制之路給我們發(fā)展半導(dǎo)體制造提供了可復(fù)制的案例,我們應(yīng)該加大舉國體制的力度,力爭用最短的時(shí)間實(shí)現(xiàn)核心設(shè)備與材料的突破。
相比日本,我們有著龐大的內(nèi)需市場,但目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備與材料仍然受制于海外,近期美國對華為的新一輪管制又一次為我們敲響警鐘,中美之間摩擦必將是未來一段時(shí)間的主旋律,我們要做好長期應(yīng)戰(zhàn)準(zhǔn)備。半導(dǎo)體自主可控是國家意志體現(xiàn),政策持續(xù)加碼,科創(chuàng)板的開通為優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體公司上市提供快速通道,同時(shí)撬動(dòng)資金達(dá)6000億元的大基金二期已經(jīng)開始投資,我們預(yù)計(jì)將率先在存儲領(lǐng)域取得突破,新型“舉國體制”有望助力國產(chǎn)半導(dǎo)體突圍。
責(zé)任編輯:pj
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