江蘇徐州市掀起新一輪產(chǎn)業(yè)發(fā)展新熱潮 徐州經(jīng)開區(qū)將實施“1090”重大產(chǎn)業(yè)項目108個

近日，江蘇徐州市舉行一季度重大產(chǎn)業(yè)項目觀摩點評會，掀起新一輪推進項目建設、加快產(chǎn)業(yè)發(fā)展新熱潮。據(jù)金龍湖發(fā)布報道，2020年，江蘇徐州經(jīng)開區(qū)將實施“1090”重大產(chǎn)業(yè)項目108個，其中，包括5個省重在內(nèi)的市級以上重點項目35個，總投資1159.4億元，年度計劃投資399.3億元。

天科合達碳化硅晶片項目

北京天科合達半導體股份有限公司是專業(yè)從事第三代半導體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)，是國內(nèi)第三代半導體碳化硅材料產(chǎn)業(yè)領域唯一一家在“新三板”掛牌的企業(yè)，在碳化硅襯底行業(yè)排名中國第一、全球第四。

產(chǎn)品涵蓋2-6英寸導電型、2-6英寸半絕緣型產(chǎn)品和寶石晶體，出口美、日、德、法、英等近二十個國家和地區(qū)，是我國少數(shù)進入國外知名大企業(yè)的高技術產(chǎn)品。

項目入駐鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園A7廠房，總投資10億元，建筑面積約2.6萬平方米。新建碳化硅晶片及表面處理、封裝等生產(chǎn)線，主要包括碳化硅單晶生長爐及其配套的切、磨、拋和檢測等設備，年產(chǎn)碳化硅晶片6萬片。

項目于2020年3月底正式投產(chǎn)，2020年預計產(chǎn)值3億元，利稅5000萬元。

中科智芯晶圓級封裝芯片項目

江蘇中科智芯集成科技有限公司由中國科學院微電子研究所、華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心聯(lián)合上市公司合資成立，致力于集成電路高端先進封裝技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司核心技術團隊成員擁有承擔國家重大專項課題的研發(fā)經(jīng)驗，攻關多項國家級科技項目，全面掌握集成電路先進封裝領域的工藝制程、系統(tǒng)集成、設備材料等高尖和基礎技術。特別是在晶圓級扇出型先進封裝領域擁有自主知識產(chǎn)權。晶圓級扇出型封裝無須使用印刷電路板，可直接在晶圓上實現(xiàn)芯片封裝，在電氣、熱性能上表現(xiàn)卓越，封裝器件輕、薄、小，成本更低。

項目入駐鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園101廠房，總投資約9億元，建筑面積4萬平方米，一期年產(chǎn)12英寸晶圓級封裝芯片12萬片；二期建設凈化廠房約3萬平方米，年產(chǎn)12英寸芯片120萬片。一期年產(chǎn)值4億元，利稅6200萬元。

目前，生產(chǎn)設備正在安裝調(diào)試，預計2020年5月初正式投產(chǎn)。

鑫晶半導體大硅片項目

鑫晶半導體大硅片項目是由協(xié)鑫集團、國家和地方產(chǎn)業(yè)基金共同投資建設。項目擁有大量完全自主的知識產(chǎn)權，集聚全球行業(yè)頂尖技術人才200余人，主要技術、生產(chǎn)工藝和質(zhì)量團隊均居世界領先水平，具有國內(nèi)唯一的14納米以下硅片量產(chǎn)經(jīng)驗。

2020年1月，通過國家發(fā)改委、工信部集成電路重大項目“窗口指導”審核，是全省唯一進入國家規(guī)劃布局的12英寸硅片項目。

項目一期投資68億元，廠房面積45.4萬平方米，建設國際先進的12英寸半導體大硅片長晶及切磨拋生產(chǎn)線，產(chǎn)品涵蓋12英寸重摻、輕摻的測試片、拋光片、外延片，規(guī)劃產(chǎn)能為360萬片/年。

項目建成后，將徹底打破國外行業(yè)巨頭壟斷的局面，徐州也將成為全國最大的半導體材料生產(chǎn)基地。

目前，項目正在試生產(chǎn)，預計2020年10月量產(chǎn)，預計年銷售超30億元。

新微半導體加速器項目

新微半導體加速器堅持“人才集聚、產(chǎn)業(yè)前沿、重點培育”的發(fā)展理念，以培育高新技術創(chuàng)新集群為發(fā)展目標，圍繞集成電路及ICT、創(chuàng)新型高端醫(yī)療器械等領域，重點招引具有較強抗風險和市場競爭力的行業(yè)“小巨人”企業(yè)。

目前園區(qū)集聚來自美國、新加坡、馬來西亞、臺灣等國內(nèi)外高層次人才53名，創(chuàng)業(yè)團隊7個，多項技術在全球領先，填補國內(nèi)空白，成為經(jīng)開區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新高地。

加速器建筑面積15.8萬平方米，其中一期建筑面積6萬平方米，已入駐富港電子、圣極基因、英迪那米、迅睿生物、光信電子等11家企業(yè)。

新微半導體加速器二期預計2020年5月開工建設。
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