合肥長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存終于對(duì)外供貨 未來(lái)將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬(wàn)喚始出來(lái)，前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來(lái)了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對(duì)外供貨了。

嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。

所以合肥長(zhǎng)鑫是首個(gè)真正具備量產(chǎn)能力的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，他們現(xiàn)在已經(jīng)可以供應(yīng)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動(dòng)內(nèi)存，頻率可達(dá)2666MHz、2666MHz、3733MHz，也是比較主流的水平了。

目前長(zhǎng)鑫生產(chǎn)的內(nèi)存芯片使用的還是10G1工藝，也就是10nm級(jí)第一代工藝，具體來(lái)說(shuō)是19nm工藝，相比三星來(lái)說(shuō)落后了兩三代水平。

不過(guò)長(zhǎng)鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了，預(yù)計(jì)還會(huì)有10G3、10G5工藝，目前具體水平不確定，大概率會(huì)是1X、1Y、1Znm工藝的演進(jìn)，相當(dāng)于16-19、14-16、12-14的水平，具體看長(zhǎng)鑫的能力。

產(chǎn)品方面，除了目前的DDR4、LPDDR4之外，未來(lái)還會(huì)有DDR5、LPDDR5、GDDR6等，覆蓋桌面、移動(dòng)及圖形三大市場(chǎng)，產(chǎn)品線齊全。

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