全球首個(gè),西數(shù)發(fā)布UFS3.1閃存芯片
幾周前JEDEC宣布了UFS3.1標(biāo)準(zhǔn)，針對(duì)高性能、低功耗移動(dòng)應(yīng)用提供一系列增強(qiáng)特性。昨日西數(shù)搶先發(fā)布全球首個(gè)UFS3.1閃存芯片iNAND EU521，瞄準(zhǔn)5G智能手機(jī)，提供128GB和256GB兩種容量。
根據(jù)西數(shù)的調(diào)研結(jié)果，UFS3.0以上規(guī)格才能實(shí)現(xiàn)5G時(shí)代所需數(shù)據(jù)吞吐量。UFS3.1標(biāo)準(zhǔn)在UFS3.0標(biāo)準(zhǔn)之上增加了寫(xiě)入加速（SLC Cache）、深度睡眠（增強(qiáng)節(jié)能）和性能限制通知（讓CPU了解UFS閃存當(dāng)前是否處于過(guò)熱狀態(tài)）三種新特性。
在UFS閃存芯片中使用模擬SLC緩存提升寫(xiě)入效能的方法已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，UFS3.1實(shí)現(xiàn)了寫(xiě)入加速的標(biāo)準(zhǔn)化。iNAND EU512使用了西數(shù)與鎧俠合作研發(fā)
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