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溢泰半導(dǎo)體國內(nèi)首個化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)預(yù)計1月底建成

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2020-01-15 15:34 ? 次閱讀

據(jù)中國化工報報道,由大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱“溢泰半導(dǎo)體”)投資建設(shè)的國內(nèi)首個化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目預(yù)計1月底全部建成達產(chǎn)。

報道指出,該化合物半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園是大慶市重點招商引資項目,其中一期年產(chǎn)240萬片4英寸光電用砷化鎵晶片項目,目前已進入邊安裝、邊調(diào)試、邊投入使用階段。

根據(jù)溢泰半導(dǎo)體2019年4月公布的年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目公眾參與說明顯示,年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目總投資2.5億元。

當(dāng)前,作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場平均增長近年都在40%以上,砷化鎵射頻器件市場具有30%的年增長,加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車載雷達用砷化鎵單晶的潛在市場,半絕緣砷化鎵的需求前景較好。

溢泰半導(dǎo)體表示,年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目產(chǎn)品是砷化鎵拋光片,砷化鎵高速半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的物理性能,其在微波集成電路領(lǐng)域、高壓和高功率領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本項目的投資建設(shè),順應(yīng)了國家集成電路產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向,符合國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實際需求。

據(jù)黑龍江日報此前報道,溢泰化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園計劃投資21億元,規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)240萬片4英寸光電用砷化鎵晶片、36萬片6英寸微電用砷化鎵晶片、120萬片2英寸磷化銦晶片、6萬片6英寸碳化硅晶片、120萬片2英寸鉭酸鋰晶片、化合物半導(dǎo)體新材料研發(fā)中心等6個子項目,全部投產(chǎn)年可實現(xiàn)銷售收入28億元。
責(zé)任編輯:wv

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