半導(dǎo)體快速溫變測試的溫度循環(huán)控制標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體材料簡介

半導(dǎo)體材料是一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力（電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間）的材料，廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路。

根據(jù)化學(xué)組成，半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體，以及特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。這些材料以結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、電學(xué)特性優(yōu)異和成本低廉著稱，是制造現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的場效應(yīng)晶體管的理想材料。

快速溫變?cè)囼?yàn)箱的應(yīng)用

快速溫變?cè)囼?yàn)箱是適用于電子零組件、半成品、半導(dǎo)體等產(chǎn)品的測試設(shè)備，用于進(jìn)行溫度快速變化或漸變條件下的適應(yīng)性試驗(yàn)和應(yīng)力篩選試驗(yàn)。

半導(dǎo)體溫度循環(huán)控制要求

在進(jìn)行半導(dǎo)體樣品表面溫度控制的溫度循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，需遵循以下要求：

1. 半導(dǎo)體樣品與空氣之間的溫差應(yīng)盡可能小。

2. 在升降溫過程中，溫度變化應(yīng)超過設(shè)定值，但不得超過規(guī)范要求的上限。

3. 半導(dǎo)體樣品表面應(yīng)盡可能快地達(dá)到浸泡時(shí)間（注意浸泡時(shí)間與駐留時(shí)間的區(qū)別）。

溫度循環(huán)試驗(yàn)的特點(diǎn)

1. 可以根據(jù)不同的測試規(guī)范要求，選擇空氣溫度控制或待測品表面溫度控制。

2. 可以選擇合適的升降溫溫變率，如等均溫或平均溫。

3. 可以分別設(shè)定升溫和降溫的溫變率偏差。

4. 可以設(shè)定升降溫的過溫偏差，以符合規(guī)范要求。

5. 溫度循環(huán)和溫度沖擊測試都可以選擇表面溫度控制。

IPC對(duì)半導(dǎo)體測試的要求

對(duì)PCB的要求：溫度循環(huán)的最高溫度應(yīng)低于PCB板材的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)溫度（Tg）值25℃。

對(duì)PCBA的要求：溫變率需達(dá)到15℃/min。

對(duì)車規(guī)的要求：依據(jù)AECQ-104標(biāo)準(zhǔn)，使用TC3(40℃←→+125℃)或TC4(-55℃←→+125℃)，以符合汽車引擎室的使用環(huán)境。