中芯國(guó)際或直接跳過(guò)10nm工藝節(jié)點(diǎn) 今年有望看到國(guó)產(chǎn)7nm工藝

作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)最薄弱但也是最重要的環(huán)節(jié)，芯片工藝一直是國(guó)內(nèi)的痛點(diǎn)，所以國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際任重而道遠(yuǎn)。此前中芯國(guó)際已經(jīng)表態(tài)14nm工藝已經(jīng)試產(chǎn)，今年就會(huì)迎來(lái)一輪爆發(fā)，年底的產(chǎn)能將達(dá)到目前的3-5倍，同時(shí)今年內(nèi)還有可能試產(chǎn)更先進(jìn)的7nm工藝。

中芯國(guó)際的14nm工藝從2015年開(kāi)始研發(fā)，已經(jīng)進(jìn)行了多年，在2019年就已經(jīng)解決技術(shù)問(wèn)題了，之前有報(bào)道援引中芯國(guó)際高管的表態(tài)，稱(chēng)14nm工藝的良率已經(jīng)達(dá)到了95%，技術(shù)成熟度還是很不錯(cuò)的。

不過(guò)良率達(dá)標(biāo)之后，大規(guī)模量產(chǎn)還是個(gè)一道坎，這個(gè)過(guò)程需要有14nm工藝客戶(hù)的支持，精英代工是看客戶(hù)需求的，客戶(hù)需求高，產(chǎn)能才有可能建設(shè)的更大。在這一點(diǎn)上，中芯國(guó)際相比臺(tái)積電、三星是有劣勢(shì)的，后兩家的14nm同級(jí)工藝都已經(jīng)過(guò)了折舊期了，成本優(yōu)勢(shì)明顯，中芯國(guó)際只能依靠國(guó)內(nèi)的客戶(hù)。

截至2019年底，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)能據(jù)悉只有3000到5000晶圓/月，不過(guò)2020年14nm產(chǎn)能會(huì)增長(zhǎng)很快，年底的時(shí)候?qū)⑦_(dá)到15000片晶圓/月，是目前的3-5倍，最多能增長(zhǎng)400%。

14nm之后還有改進(jìn)型的12nm FinFET工藝，根據(jù)中芯國(guó)際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%，預(yù)計(jì)今年上半年就會(huì)貢獻(xiàn)收入。

再往后中芯國(guó)際表示還會(huì)有N+1及N+2代FinFET工藝，其中今年內(nèi)有望小規(guī)模量產(chǎn)N+1代工藝。

只是中芯國(guó)際沒(méi)有明確這里的N指代的是哪種工藝，考慮到他們很有可能會(huì)跳過(guò)10nm工藝節(jié)點(diǎn)，那么N+1代應(yīng)該就是7nm節(jié)點(diǎn)了，意味著我們今年就有可能看到國(guó)產(chǎn)的7nm工藝。

即便中芯國(guó)際不跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，那么今年國(guó)內(nèi)的工藝也能追趕到10nm節(jié)點(diǎn)，跟臺(tái)積電、三星還是會(huì)落后一到兩代，但是已經(jīng)足夠先進(jìn)了。

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