12月16日消息,由于在上半年疲軟之后下半年內(nèi)存投資激增,預(yù)計(jì)2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將上調(diào)至566億美元。SEMI數(shù)據(jù)現(xiàn)在表明,從2018年到2019年,晶圓廠設(shè)備投資僅下降7%,與之前預(yù)測(cè)的下降18%相比有明顯改善。對(duì)內(nèi)存(尤其是3D NAND)的投資不斷增加,領(lǐng)先的邏輯和代工廠推動(dòng)了這一轉(zhuǎn)變。
SEMI還將其2020年晶圓廠設(shè)備投資計(jì)劃修訂為更樂觀的580億美元。
反彈迅速帶動(dòng)了全球晶圓廠設(shè)備支出的放緩,如圖1的黃色趨勢(shì)線所示,總投資在2018年下半年下降了10%,在2019年上半年下降了12%。在2019年的前六個(gè)月,由于3D NAND部門的投資受到特別嚴(yán)重的打擊,晶圓廠用于存儲(chǔ)器的設(shè)備支出下降了38%,降至100億美元以下,較2018年下半年暴跌了57%.2018年下半年,DRAM投資下降了12%。今年上半年占12%。
圖1:按半年計(jì)算的晶圓廠設(shè)備支出和主要投資貢獻(xiàn)者的變動(dòng)率
下降趨勢(shì)在2019年底突然轉(zhuǎn)移?,F(xiàn)在,在臺(tái)積電和英特爾的帶動(dòng)下,領(lǐng)先邏輯和代工廠的投資現(xiàn)在預(yù)計(jì)將在2019年下半年增長(zhǎng)26%,而3D NAND支出將比去年同期猛增70%以上。同一時(shí)期。盡管今年上半年DRAM投資持續(xù)下降,但自7月份以來(lái)的下降趨勢(shì)更為緩和。
在索尼的領(lǐng)導(dǎo)下,圖像傳感器支出預(yù)計(jì)在2020年上半年增長(zhǎng)20%,在下半年猛增90%以上,達(dá)到16億美元的峰值。在英飛凌,意法半導(dǎo)體和博世的推動(dòng)下,與電源相關(guān)的設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2020年上半年增長(zhǎng)40%以上,在下半年再增長(zhǎng)29%,達(dá)到近17億美元。
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