美光已流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多達(dá)128個(gè)有源層，并在陣列設(shè)計(jì)方法上繼續(xù)使用CMOS。新型3D NAND存儲(chǔ)器改變了用于柵替換的浮柵技術(shù)，以試圖降低尺寸和成本，同時(shí)提高性能，并簡(jiǎn)化向下一代節(jié)點(diǎn)的過(guò)渡。該技術(shù)完全由美光公司開(kāi)發(fā)，沒(méi)有英特爾任何投入，因此它很可能是針對(duì)美光公司最希望針對(duì)的應(yīng)用量身定制。

美光第四代128層3D NAND成功流片表明，該公司的新設(shè)計(jì)不僅僅是一個(gè)概念。同時(shí)，美光還沒(méi)有計(jì)劃將其所有產(chǎn)品線都轉(zhuǎn)換為最初的RG工藝技術(shù)，因此公司范圍內(nèi)每比特成本明年不會(huì)顯著下降。盡管如此，該公司承諾在其后續(xù)RG工藝節(jié)點(diǎn)廣泛部署之后，到2021財(cái)年將真正開(kāi)始降低成本。

目前，美光科技正在提高96層3D NAND的產(chǎn)量，并于明年開(kāi)始在其絕大部分產(chǎn)品線中使用。 128層3D NAND硬件不會(huì)立即導(dǎo)致每比特成本顯著下降，但是會(huì)隨著時(shí)間推移而下降。后續(xù)工藝節(jié)點(diǎn)（美光第五代3D NAND）可能具有至少128層，并且如果被廣泛使用，它將大大降低產(chǎn)品每比特成本。