NAND內(nèi)置NAND Flash中壽命最長，性能最穩(wěn)定的SLC NAND晶圓。擦寫壽命可達(dá)到10萬次，更耐高低溫，電流沖擊。一致性非常好：統(tǒng)一的Flash晶圓，統(tǒng)一的控制器，統(tǒng)一的Firmware
2019-09-24 15:07:41
）晶圓，它的擦寫壽命可以達(dá)到10萬次。內(nèi)置了Flash控制器和針對(duì)NAND Flash管理的Firmware,對(duì)外采用通用性最強(qiáng)的SD接口（幾乎MCU都帶有SD接口）?！ 某杀痉矫嬲f，客戶可以根據(jù)
2022-07-12 10:34:24
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
什么是NAND Flash？NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的作用是什么？如何去使用NAND Flash控制器？
2021-06-21 06:56:22
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無感電阻、圓柱型電阻、無引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
+TLC NAND Flash晶圓，當(dāng)初是為了用戶更快的享受到TLC NAND晶圓的價(jià)格紅利（8年前）?！?tSD和qSD的封裝形式有 BGA和TSOP兩種，那個(gè)時(shí)候也有人稱之為TSOP/BAG封裝的SD
2022-06-09 14:46:21
半導(dǎo)體
晶圓（晶片）的直徑為4到
10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
Flash產(chǎn)品呢？ CS品牌SD NAND就是這樣一款產(chǎn)品。內(nèi)部使用壽命最長、性能最穩(wěn)定的SLC NAND Flash晶圓,擦寫次數(shù)可以達(dá)到10萬次。另外，內(nèi)置了特定的Flash控制器
2019-10-15 17:01:27
, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污區(qū)域 - 任何在晶圓片表面的外來粒子或物質(zhì)。由沾污、手印和水滴產(chǎn)生的污染
2011-12-01 14:20:47
再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不斷，然而好景象并沒有如期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3DNAND Flash新增產(chǎn)能支持，市場(chǎng)需求卻成長平緩，這也加速了2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。 受到
2021-07-13 06:38:27
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽，以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。提供晶圓劃片服務(wù)，包括多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質(zhì)晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:43:15
`據(jù)***媒體報(bào)道，全球12吋硅晶圓缺貨如野火燎原，不僅臺(tái)積電、NAND Flash存儲(chǔ)器廠和大陸半導(dǎo)體廠三方人馬爭相搶料，加上10納米測(cè)試晶圓的晶棒消耗量大增，臺(tái)積電為鞏固蘋果（Apple
2017-02-09 14:43:27
``揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成芯片就是由這些晶圓切割而成。但是究竟“晶圓”長什么樣子，切割晶圓又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具體應(yīng)用，這些可能對(duì)于大多數(shù)非專業(yè)人士來說并不是十分
2011-12-01 15:02:42
采用使用壽命最長、性能最穩(wěn)定的NAND Flash（SLC NAND Flash）晶圓，它的擦寫壽命可以達(dá)到10萬次。內(nèi)置了Flash控制器和針對(duì)NAND Flash管理的Firmware，對(duì)外采用
2019-10-10 16:55:02
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
長期收購藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 替代普通TF卡/SD卡，尺寸6x8mm毫米，內(nèi)置SLC晶圓擦寫壽命10萬次，通過1萬次隨機(jī)掉電測(cè)試耐高低溫，支持工業(yè)級(jí)溫度-40°~+85°，機(jī)貼手貼都非常方便，速
2023-05-28 15:46:27
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:23
1163 根據(jù)調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運(yùn)算商機(jī)，市場(chǎng)對(duì)第3季NAND Flash市場(chǎng)看法偏向吃緊，晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動(dòng)
2017-10-30 08:36:4415 連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià)，在2018年第一季可望暫時(shí)回跌，然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù)，會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑，故NAND Flash顆粒的供應(yīng)量在2018年仍難看到明顯成長，下半年NAND Flash報(bào)價(jià)可能會(huì)再度因供需緊張而走強(qiáng)。
2018-07-09 09:07:00481 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估，此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力，第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855 初步估計(jì)NAND Flash價(jià)格調(diào)漲約為10%至15%
2019-07-11 15:56:072573 根據(jù)外媒報(bào)道，NAND Flash 價(jià)格去年跌到今年，第三季初雖然出現(xiàn)短暫止跌回升，但 11 月報(bào)價(jià)又跌回第二季末低點(diǎn)，包括三星、美光等上游原廠第三季獲利大幅下滑。不過，下半年智慧型手機(jī)銷售成績不差
2019-12-20 16:19:46540 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁
2020-07-22 11:56:265264 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
移動(dòng)電話的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL（NAND Flash Translation Layer）和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲(chǔ)的問題。
2021-07-30 10:41:299 1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
半年和2023年上半年的低迷市況后，NAND Flash在2023年下半年實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)的逆轉(zhuǎn)。合約報(bào)價(jià)開始逐季上漲，漲幅甚至高達(dá)雙位數(shù)百分比，這一強(qiáng)勁的反彈要?dú)w功于三星、美光、SK海力士和鎧俠等主要內(nèi)存制造商的共同努力減產(chǎn)，導(dǎo)致市場(chǎng)供給減少，從而推動(dòng)價(jià)
2024-01-24 15:24:53152 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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