年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。 該機構指出，SiC功率半導體市場主要在中國和歐洲擴張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設備領域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預計將進一
2019-06-25 11:22:42
7827 Si之后的新一代功率半導體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務。
2013-04-19 09:08:311795 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:041532 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專利掌握在日本、美國和德國廠商手中。有鑒于專利與材料種種問題，開發(fā)矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術遂能擺脫關鍵原料、技術受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
2013-12-30 09:15:35797 隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉換系統(tǒng)不斷要求高效率與低耗能設計，使得性能更加優(yōu)異的碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等高規(guī)格功率元件有了用武之地。##進一步降低SiC成本。
2014-10-03 15:53:225438 市場研究機構IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范圍內(nèi)5G技術的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
半導體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當然關注SiC之類的新材料，但是，目前占有極大市場份額和應用領域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
的AC/DC轉換和功率轉換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-29 14:39:47
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
Si功率組件發(fā)展的相對成熟的情況下，GaN與SiC功率組件雖具有特性上的優(yōu)勢，但在工藝上，其開發(fā)成本的花費要求仍較高，也因此GaN與SiC功率器件的應用至今仍未真正的普及?！ ≠N片型橋式整流器的優(yōu)勢
2018-10-23 16:12:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向長期
2019-08-20 08:01:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
取決于準確和預測SPICE模型的可用性。本演示文稿為包括寬帶隙器件在內(nèi)的功率電子半導體提出了新穎的物理和可擴展SPICE模型。這些模型基于工藝和布局參數(shù)，通過SPICE，物理設計和工藝技術之間的直接鏈接實現(xiàn)
2018-10-29 08:57:06
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
友恩半導體開關電源芯片基于高低壓集成技術平臺進行技術升級，未來三年將持續(xù)開發(fā)高功率、低功耗、高集成度等產(chǎn)品，公司在研項目正穩(wěn)步推進：公司處于驗證完成逐步批量生產(chǎn)階段的在研項目技術水平較高；例如
2020-10-30 09:39:44
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
半導體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風帶雨，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。未來半導體技術的提升，除了進一步
2019-07-05 04:20:06
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發(fā)展預測中認為，隨著技術和體系結構推進“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
的發(fā)展中，Si功率器件已趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會對于高 頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC為代表的 第三代半導體材料憑借其優(yōu)異屬性，將成為突破口，正在迅速
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
和高頻場效應晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導體可用于可擴展的汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片
2019-05-09 06:21:14
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點如表1所示，其絕緣擊穿電場強度較高。只要利用這個性質，就可提高與Si元件相同結構時的耐壓性能。只要實現(xiàn)有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
“功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 氮化鎵（GaN） 半導體行業(yè)在摩爾定律的魔咒下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風帶雨的，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩，為獲得更細小線寬
2017-10-11 08:21:008540 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
關鍵詞：GaN , 5G技術 , 5G網(wǎng)絡 來源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC與GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色，并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢，其可使芯片
2018-11-09 11:44:01220 今年9月，意法半導體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進展，并宣布將建設一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質外延。
2018-12-18 16:52:144894 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導體的潛力，并且在射頻應用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3111724 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個階段，第一代半導體材料是硅(Si)，第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48911 尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223 功率半導體的研發(fā)生產(chǎn) 電裝至今為止為了將SiC功率半導體（二極管、晶體管）應用在車載用途中，一直在進行SiC技術“REVOSIC＊2”的研發(fā)。SiC是一種半導體材料，與以往的Si（硅）相比，在高溫、高電波、高電壓環(huán)境下具備更優(yōu)秀的性能，對減少系統(tǒng)的電力消耗、小
2020-12-21 16:20:263192 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
億日元。 該調(diào)查針對使用SiC、GaN（氮化鎵）、Ga 2 O 3（氧化鎵）和 Si 功率半導體（例如 MOSFET 和 IGBT）的下一代功率半導體。我們還調(diào)查了與功率半導體相關的組件和制造設備市場
2021-06-23 14:25:032039 和 SiC”，從當天的主題演講中汲取靈感，包括新產(chǎn)品開發(fā)、技術挑戰(zhàn)和晶圓制造。? 由于尺寸、重量和成本的節(jié)省以及更高的效率，GaN 和 SiC 功率器件正在大力推動超越快速充電器和可再生能源，進入
2022-07-29 18:06:26391 
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規(guī)半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15677 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350 
NI宣布收購 SET GmbH(簡稱“SET”)。SET是長期專注于航空航天和國防測試系統(tǒng)開發(fā)的專家，也是功率半導體可靠性測試領域的創(chuàng)新者。加入NI后，將共同縮短關鍵的、高度差異化的解決方案的上市時間，并以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等功率電子材料為切入點，加速從半導體到汽車的供應鏈融合。
2023-03-15 17:42:56917 功率半導體技術經(jīng)過 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導體材料為大功率半導體技術及器件帶來了新的發(fā)展機遇。
2023-05-09 14:27:552718 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
解更多公司，建議查詢相關網(wǎng)站。 sic功率半導體技術如何實現(xiàn)成果轉化 SIC功率半導體技術的成果轉化可以通過以下途徑實現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導體技術的企業(yè)，與他們合作，共同研究開發(fā)新產(chǎn)品，將技術轉化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042
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