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新興封裝技術:小型化趨勢永無止境 - 全文

2016年05月10日 16:15 eettaiwan 作者:佚名 用戶評論(0

  從MCM、ECP到2.5D的TSV等持續(xù)整合電子元件于更小封裝的創(chuàng)新技術出現(xiàn),主要的驅動力量就來自于永無止境地追求更輕薄短小的智慧型手機

  半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合電子元件于更小封裝的創(chuàng)新能力,不斷締造出令人贊嘆的成果。我很早就是一個業(yè)余的愛好者,曾經(jīng)將封裝于T-05金屬罐的電晶體布線開發(fā)板上。這些分離式的電晶體后來已經(jīng)被早期“電晶體—電晶體邏輯電路”(TTL)晶片中所用的8接腳DiP封裝取代了。

  一眨眼幾十年過去了,封裝整合技術的進展令人印象深刻。例如,圖1顯示從蘋果(Apple) iPhone 5s智慧型手機拆解而來的村田(Murata)天線開關。其封裝尺寸為3.7mm x 6.0mm,內含6個SAW濾波器、Peregrine天線開關、功率放大器,以及一系列分離式電晶體與電容器的組合。

  這些元件都安裝在類似FR4的電路板上,然后用模塑材料封裝起來,形成完整的多晶片模組(MCM)。

  

  圖1:Murata的天線開關模組(封裝模塑材料已移除)

  但這并不是元件整合于封裝中的唯一方式。從幾年前開始,我們看到嵌入式電容器層疊封裝(PoP)于應用處理器中。這種嵌入式元件封裝(ECP)技術還只是先進系統(tǒng)級封裝(SiP)解決方案使用的幾種競爭策略之一。

  圖2是Apple協(xié)同封裝A9處理器和記憶體(PoP)的照片,右側X光影像圖則顯示封裝基板上的嵌入式電容器。左圖上方可看到APL1022的封裝標識,顯示這款晶片是臺積電(TSMC)制造的A9處理器。當然,大家都知道三星(Samsung)也為Apple供應另一款A9晶片。

  

  圖2:Apple以PoP封裝的處理器與記憶體(左)與X-ray封裝圖(右)

  圖3是Apple A9基板其中一款嵌入式電容器的掃描式電子顯微鏡(SEM)橫截面圖。該基板包含底層、中間層與頂層。我們猜測中間層經(jīng)過沖壓過程,從而為電容器形成腔室。

  底層與頂層是以交錯金屬走線和電介質的方式層層堆壘起來。連接至電容器的觸點可能被制造為1st與2nd銅走線形成的一部份,并以雷射鉆孔方式穿過樹脂封裝的電容器進行過孔。填充這些過孔成為銅金屬化的一部份。

  在FR4基板嵌入電容器,并緊靠著A9處理器排放,這么做的目的可能是為了減少A9密集開關電晶體而產(chǎn)生的電雜訊。

  新興封裝技術:小型化趨勢永無止境

  圖3:Apple A9晶片封裝橫截面

  TDK將晶片嵌入于其藍牙模組基板中,使得元件嵌入過程則更進一步進展。該晶片位于圖4嵌入FR4基板的32KHz晶體振蕩器之下,因此無法直接看到,但可透過圖5的封裝圖看到。

  

  圖4:TDK藍牙模組

  圖5是TDK封裝基板的SEM橫截面圖,顯示嵌入式藍牙晶片的一部份以及連接至FR4頂層銅走線的銅帶。圖片左側的大型過孔表示采用2階段蝕刻進行過孔,例如采用雷射鉆孔。第一次雷射鉆孔在晶片上形成過孔開口,以暴露其焊墊,并打開FR4層過孔較寬的上層部份。第二次雷射鉆孔步驟則完成深層的過孔開口,以接觸至FR4層上的銅走線。

  新興封裝技術:小型化趨勢永無止境

  圖5:TDK藍牙模組橫截面

  至于制造模組的順序,圖6提供了更多的線索。從圖中可看到在晶片與第一層FR4之間沿著第一層填充樹脂表面的細縫。在晶片下方未另外連接晶片附加層,顯示該晶片在樹脂仍是液體形式時即已固定至玻璃填充樹脂。

  我們猜測其步驟是先凝固第1層樹脂,接著沈積封裝晶片的第2層玻璃填充樹脂。此時進行上述的雷射鉆孔過孔,接著可能是以電沈積銅走線、第3層填充樹脂,最后連接第2層結構。

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  圖6:TDK T2541藍牙模組橫截面

  討論封裝技術時當然也不容錯過2.5D 與矽穿孔(TSV)封裝整合,例如AMD的Fury X繪圖卡。圖7顯示在其2.5D整合方案中的GPU覆晶封裝至晶片中介層,周圍并圍繞4個海力士(Hynix)高頻寬記憶體(HBM) DRAM模組。該HBM模組利用中介層表面頂部形成的銅互連以電連接至GPU。

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  圖7:AMD Fury X GPU

  圖8是AMD Fury X GPU的封裝橫截面圖,顯示連接至矽中介層與底層FR4基板的Hynix HBM模組部份。AMD GPU也以覆晶封裝至相同的中介層,但連接至HBM右側(超出此圖范圍之外)。矽中介層連同4個HBM模組與GPU依次嵌入于FR4基板上。

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  圖8:AMD Fury X封裝橫截面

  圖9可以看到用于連接HBM模組至FR4基板與GPU的銅走線,這些都是使用傳統(tǒng)65nm雙金屬鑲嵌制程形成的。我們還可以看到用于連接中介層至FR4基板的銅填充TSV。

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  圖9:矽中介層與銅互連

  本文簡要地介紹了三種主要的封裝整合方案:多晶片模組(MCM)、嵌入式元件封裝(ECP)以及 2.5D的TSV封裝。這些方案都是針對需要提高封裝整合度的理想解決方案。

  新興封裝技術的出現(xiàn),主要的驅動力量就來自于永無止境地追求更輕薄短小的智慧型手機。如今,業(yè)界盛傳Apple將為即將推出的iPhone 7取消耳機孔,目的就是為了打造更纖薄的手機。然而我們并不確定元件制造商將會采用哪一種封裝技術來搭配。iPhone 7預計要到今年九月才會發(fā)布,這漫長的等待時間怎不教人心急?

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( 發(fā)表人:方泓翔 )

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