雙列存貯器組件(DIMM)是什么意思
DIMM模塊是目前最常見的內(nèi)存模塊,它是也可以說是兩個SIMM(如圖1所示)。它是包括有一個或多個RAM芯片在一個小的集成電路板上,利用這塊電路板上的一些引腳可以直接和計算機主板相連接。一個DIMM有168引腳,這種內(nèi)存條支持64位的數(shù)據(jù)傳輸。DIMM是目前使用的內(nèi)存的主要封裝形式,比如SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM,其中SDRAM具有168線引腳并且提供了64bit數(shù)據(jù)尋址能力。DIMM的工作電壓一般是3.3v,并且分為無緩沖(unbuffered)和全緩沖(buffered)兩種。
DIMM是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條,DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道,因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳,故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些,并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言,適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外),適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片),二者不能混合使用。
DIMM與SIMM相當類似,不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的,它們各自獨立傳輸信號,因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號的傳送需要。同樣采用DIMM,SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同,SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面為84Pin,金手指上有兩個卡口,用來避免插入插槽時,錯誤將內(nèi)存反向插入而導致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu),金手指每面有92Pin,金手指上只有一個卡口??跀?shù)量的不同,是二者最為明顯的區(qū)別。
為了滿足筆記本電腦對內(nèi)存尺寸的要求,SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也開發(fā)了出來,它的尺寸比標準的DIMM要小很多,而且引腳數(shù)也不相同。同樣SO-DIMM也根據(jù)SDRAM和DDR內(nèi)存規(guī)格不同而不同,SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳,而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。
圖1 DIMM模塊圖
下圖為筆記本電腦用的SO-DIMM外形圖.
圖2 144Pin SO-DIMM筆記本內(nèi)存
在DIMM內(nèi)存中的顆粒采用了DIP(Dual Inline Package:雙列直插封裝)封裝。早期的內(nèi)存顆粒是直接焊接在主板上面的,這樣如果一片內(nèi)存出現(xiàn)故障,那么整個主板都要報廢了。后來在主板上出現(xiàn)了內(nèi)存顆粒插槽,這樣就可以更換內(nèi)存顆粒了,但是熱膨脹的緣故,每使用一段時間你就需要打開機箱把內(nèi)存顆粒按回插槽。
在SIMM和DIMM內(nèi)存之間不僅僅是引腳數(shù)目的不同,另外在電氣特性、封裝特點上都有明顯的差別,特別是它們的芯片之間的差別相當?shù)拇?。因為按照原來?nèi)存制造方法,制造這種內(nèi)存的時候是不需要把64個芯片組裝在一起構(gòu)成一個64bit的模塊的,得益于今年來生產(chǎn)工藝的提高和改進,現(xiàn)在的高密度DRAM芯片可以具有不止一個Din和Dout信號引腳,并且可以根據(jù)不同的需要在DRAM芯片上制造4、8、16、32或者64條數(shù)據(jù)引腳。在Pentium級以上的處理器是64位總線,使用這樣的內(nèi)存更能發(fā)揮處理器的性能。
如果一個DRAM芯片具有8個數(shù)據(jù)引腳,那么這個基本儲存單元一次就可以輸出8bit的數(shù)據(jù),而不像是在原來的TM4100GAD8 SIMM芯片中每次僅僅能輸出1bit數(shù)據(jù)了。這樣的話,如果我們需要制造一個同TM4100GAD8一樣容量的內(nèi)存,那么我們可以不使用前面所使用的4M * 1bit芯片,而是采用1M x 8bit芯片,這樣僅僅需要4片芯片就可以得到一個容量為4MB,位寬為32bit的模組。芯片數(shù)目減少最直接的好處當然是可以減少功耗了,當然也簡化了生產(chǎn)過程。 "
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對
(0) 0%
相關(guān)閱讀:
( 發(fā)表人:admin )