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半導體固態(tài)量子器件取得突破

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半導體技術知識:晶格振動的量子化與聲子#半導體

半導體技術量子振動
學習電子發(fā)布于 2022-11-10 12:31:33

半導體物理與器件量子力學基礎#半導體

半導體量子
學習電子發(fā)布于 2022-11-10 15:17:25

半導體物理與器件量子力學的基本原理#半導體

半導體量子
學習電子發(fā)布于 2022-11-10 15:18:06

量子力學基礎2#半導體

半導體量子
學習電子發(fā)布于 2022-11-10 15:35:58

雙極型與MOS半導體器件原理_黃均鼐

雙極型與MOS半導體器件原理_黃均鼐.
2012-04-25 14:52:110

固態(tài)量子研究取得新進展

最近,位在美國和歐洲的實驗室,都分別宣布了在應用固態(tài)材料儲存自旋量子態(tài)方面的研究進展,而這一直是在量子運算中使用自旋電子學的關鍵障礙。 許多研究人員認為,自旋電子學
2012-06-30 11:30:42787

常用半導體器件基礎知識

常用半導體器件常用半導體器件常用半導體器件常用半導體器件常用半導體器件
2015-11-13 15:47:240

半導體量子芯片研究再現(xiàn)“黑科技”

由于固態(tài)系統(tǒng)環(huán)境復雜,量子比特的超快操控與長相干往往不可兼得。為了提高半導體量子芯片雜化量子比特的可控性,郭國平研究組將非對稱思想運用到研究中,把原有的雙量子點結構擴展成線性耦合三量子點系統(tǒng)。他們
2018-02-10 11:21:120

半導體量子芯片研制方面再獲新進展,首次實現(xiàn)三量子比特邏輯門

開發(fā)與現(xiàn)代半導體工藝兼容的半導體全電控量子芯片,是當前量子計算機研制的重要方向之一。郭光燦團隊中的郭國平教授研究組長期致力于半導體量子芯片研發(fā),近年來曾先后實現(xiàn)半導體單電荷量子比特普適邏輯門、兩電荷量子比特控制非邏輯門等成果。
2018-06-26 14:10:00667

半導體光電器件有哪些

半導體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉化的新型半導體器件。即利用半導體的光電效應(或熱電效應)制成的器件。光電器件主要有,利用半導體光敏特性工作的光電導器件,利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發(fā)光器件等。
2019-01-09 15:06:1624950

取得突破,霍尼韋爾將發(fā)布全球最強大的量子計算機

霍尼韋爾3月3日宣布在量子計算領域取得突破,將提升量子計算機的性能,公司將在未來三個月內(nèi)發(fā)布全球最強大的量子計算機。
2020-03-04 14:03:472069

我國半導體部分中高端領域取得可喜突破 不確定因素增加但仍將篤定前行

半導體新結構、新器件的開發(fā)提供了新的思路。2019年,國內(nèi)半導體材料在各方共同努力下,部分中高端領域取得可喜突破,國產(chǎn)化進一步提升。
2020-03-26 15:54:282473

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡技術取得重大突破

近日,我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡技術方面取得重大突破,在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443089

中國量子計算機取得新的突破

隨著中國在科技領域上的進步,中國量子計算機也取得了新的突破。兩個月前,中國科技大學宣布了一項喜訊,包括潘建偉在內(nèi)的該校幾人,成功構建76個光子的量子計算機原型機“九章”。這一突破使我國成為了僅次于美國的全球第二個實現(xiàn)“量子優(yōu)越性”的國家。
2021-02-22 10:48:363372

中科大在微波諧振腔探測半導體量子芯片上取得重要進展

5月9日消息 據(jù)中國科學技術大學網(wǎng)站,中國科大郭光燦院士團隊在微波諧振腔探測半導體量子芯片上取得重要進展。 該團隊郭國平、曹剛等人與本源量子計算有限公司合作,利用微波超導諧振腔實現(xiàn)了對半導體量子
2021-05-13 09:32:241715

IBM和三星在半導體設計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯(lián)合宣布,他們在半導體設計方面取得一項重大突破。
2022-03-16 09:56:02357

本源量子與中國科大合作在硅基半導體量子比特調(diào)控上取得新進展

當前,量子計算發(fā)展進入飛速期,各國研究團隊分別通過超導電路、離子阱、半導體、金剛石色心,或者光子等各種介質來構建量子比特體系,實現(xiàn)量子計算。在這些技術思路中,硅基自旋量子比特具有較長的量子退相干
2022-05-12 09:42:31305

淺談功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別

功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于,其在設計的時候,需要多一塊區(qū)域,來承擔外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:211170

拓撲量子器件突破性進展

1月18日,德累斯頓和維爾茨堡的量子物理學家們取得了顯著的科技突破。他們研發(fā)出一種半導體器件,其卓越的魯棒性和敏感度得益于一種量子現(xiàn)象——拓撲保護作用,能夠免受外部干擾,實現(xiàn)前所未有的精準測量功能。
2024-01-23 14:59:21232

華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破

近日,華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破。經(jīng)過公司研發(fā)團隊持續(xù)地科研攻關,華光光電成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片,進一步鞏固了公司在半導體激光領域的領先地位,并為國內(nèi)半導體激光芯片產(chǎn)業(yè)升級注入了新的活力。
2024-04-26 10:54:42206

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