FinFET發(fā)明人胡正明 獲頒“潘文淵獎”

“潘文淵獎”今年邁入第10屆，今年得獎?wù)邽槊绹又荽髮W柏克萊分校講座教授胡正明，他也曾是臺積電前技術(shù)長，主辦單位表示，胡研發(fā)的3D鰭式電晶體（FinFET），突破物理極限，使元件更小，能源使用效率提高，堪稱半導體工業(yè)40多年來最大變革，也使得摩爾定律得以延續(xù)至今，他對半導體產(chǎn)業(yè)貢獻卓著，今下午將獲頒獎。

?

胡正明（左）今獲“潘文淵獎?。（記者洪友芳攝）

第10屆“潘文淵獎?頒獎典禮于今天下午在香格里拉臺北遠東國際飯店三樓宴會廳舉行，典禮中并安排高峰論壇，主要由得獎人胡正明與清華大學講座教授劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育—邁向科技新世代”為主題，共同探討***科技新生代人才培育的關(guān)鍵力量與未來的機會發(fā)展。

胡正明擁有榮譽事項與諸多頭銜，獲選過美國國家工程院院士、中研院院士、中國科學院外籍院士，也曾回***擔任臺積電首任技術(shù)長，也曾獲得IEEE Jack Morton獎、IEEE Paul Rappaport獎、美國華裔工程師杰出終身成就獎、美國國家科學獎?wù)?、潘文淵基金會杰出研究獎等獎項，今年11月還獲選為工研院新任院士，他擁有百余項專利，發(fā)表過900多篇論文。

胡正明11月1日回臺接受工研院新任院士授證時，他雖有兩岸三地的院士頭銜，對***提出建言，他認為現(xiàn)在社會民眾感到最急迫問題是經(jīng)濟成長與就業(yè)機會，“認清目標，學有所用”八個字是他的建言。他認為，只要能在本地創(chuàng)造附加價值與創(chuàng)造大量提供高薪工作機會就是好的產(chǎn)業(yè)。

胡正明并指出，***教育政策長期沒有做到學有所用，他建議，科技部與教育部應針對現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)每年需求人才進行調(diào)查，讓產(chǎn)業(yè)有足夠人才數(shù)帶動成長；政府的責任不是要創(chuàng)造新產(chǎn)業(yè)，就他花幾十年時間觀察，沒有一個國家是這樣做的。