半導體巨頭臺積電/三星/Intel下半年支出或激增9成

　　半導體業(yè)終于迎來支出旺季！據(jù)海外媒體報道，在臺積電、三星電子與英特爾三巨頭的帶動下，2016年下半年半導體業(yè)的資本支出有望較上半年跳增2成，2016年全球半導體資本支出將達671億美元，較2015年的648億美元增長3%。

　　科技市調(diào)機構IC Insights 3日發(fā)表研究報告指出，今（2016）年全球半導體的資本支出雖然僅會年增3%、優(yōu)于去年的2%年減率，但由于臺積電、三星與英特爾都集中在下半年投資， 因此下半年的資本支出總額有望較上半年跳增20%，而三巨頭的支出成長率更將高達90%。相較之下，其他半導體業(yè)者下半年的資本支出卻將比上半年萎縮 16%。

　　整體來看，臺積電、三星與英特爾合計占整體半導體業(yè)支出額的45%，其中臺積電上半年的支出只有34億美元、下半年估計得支出66億美元才能完成100億美元的全年預算目標，等于是成長92%。

　　三星上半年的資本支出也只達34億美元，占今年總預算（110億美元）的31%，估計下半年會比上半年跳增120%。英特爾上半年則僅支出36億美元，估計下半年還要再花59億美元，以達成95億美元的全年度預算目標，等于下半年的支出比上半年高61%。

　　下表為IC Insights預測的今年下半年半導體巨頭的資本支出狀況：

　　臺積電2016年有三大投資重點

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所認為，在上述半導體三巨頭中臺積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無直接競爭關系，可專注于制程技術的開發(fā)。2016年臺積電資本支出約70%用于先進制程的開發(fā)，其中大部分用在10納米制程技術，可見臺積電對10納米制程研發(fā)的重視。

　　臺 積電資本支出的10%則將持續(xù)投入InFO技術的開發(fā)；InFO技術有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢，已有少數(shù)大客戶開始投單，預期未來將 有更多客戶陸續(xù)投入。為了就近服務廣大的中國市場，臺積電規(guī)劃30億美元用于中國南京12吋廠的建置，預期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠計劃先投入5億美 元，2017與2018年將增加投資力道。

　　三星2016年以半導體事業(yè)為重心

　　智 能手機是三星最重要的業(yè)務，在終端市場需求趨緩、手機差異化縮小的情況下，三星受到蘋果（Apple）與中國品牌的激烈競爭。根據(jù)三星財報顯示，2015 年營收年衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智能手機，去年三星半導體營收年成長20%、存儲器年成長17%，LSI業(yè)務年成長則約27.7%，表現(xiàn) 十分亮眼。

　　拓墣指出，2016年三星的智能手機業(yè)務拓展仍不樂觀，除加速開發(fā)創(chuàng)新業(yè)務，將更加重視晶圓代工業(yè)務，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，LSI業(yè)務會維持與2015年35億美元的相同水準。

　　英特爾擴展存儲器相關業(yè)務

　　英特爾雖然在14/16納米制程技術開發(fā)上領先，但臺積電與三星若在10納米的技術上趕超，將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強大的競爭壓力，嚴重挑戰(zhàn)英特爾自1995年來的領先地位。2016年英特爾將持續(xù)擴大資本支出以維持制程領先，相關資本支出約達80億美元。

　　在資料中心的競爭中，2015年英特爾與美光（Micron）聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于存儲器的技術，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成存儲器制造廠。估計2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在存儲器相關業(yè)務。