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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

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2013-07-05 10:13:443031

NAND FLASH在WINCENET系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計

本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計方案
2016-03-14 16:01:232

NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動分析

NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動分析
2016-03-17 14:14:0137

英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片

英特爾投資 55 億美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工,并于 25 日正式投產(chǎn)。報導(dǎo)指稱,位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠區(qū),為全球首座以 12 寸(300mm)晶圓生產(chǎn) NAND Flash 的制造中心,目前有逾千名英特爾員工與數(shù)千名設(shè)備項目建設(shè)正加緊工作,以期早日量產(chǎn)。
2016-08-17 17:34:52962

Allwinner Technology Nand Flash Support List

Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142

SK海力士砸27億美元擴產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴增有限,供需失衡下,DRAM價格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進3D NAND良率還未提升下,同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381010

中韓NAND Flash軍備競賽再起 2018年或供過于求

儲存型快閃存儲器(NAND Flash)軍備競賽再起,南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲器產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預(yù)定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09572

紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資240美元

 中國紫光集團宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 15:37:52684

NAND Flash非易失閃存技術(shù)系統(tǒng)設(shè)計

引言 NOR FlashNAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因為具有非易失性及可擦除性,在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527

Hynix NAND flash型號指南

Hynix NAND flash型號指南
2017-10-24 14:09:2925

如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動

如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動
2017-10-30 08:36:4415

DRAM市場第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場價格也可稍有反彈

隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開出,且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線,今年以來高容量SSD價格持續(xù)下滑,6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價已降至40~43美元
2018-06-26 15:39:493933

三星意圖拉大與對手間的差距,2019年的NAND Flash資本支出將達90億美元

韓國業(yè)界最近指出,三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達90億美元,預(yù)計將以韓國平澤、中國西安為主,擴大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模,期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421353

5G投資風(fēng)口 中國竟比美國多出240美元

據(jù)CNBC網(wǎng)站北京時間8月7日報道,德勤咨詢公司今天發(fā)布研究報告稱,中國近幾年在5G技術(shù)上的投資比美國多出240美元,有望掀起一波令后者難以追趕的“海嘯”。
2018-08-08 10:54:172934

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

2018年全球NAND Flash價格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術(shù)堆疊,2019年QLC(Quad-Level
2018-08-29 17:46:266586

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278

三星出手,NAND Flash價格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報價后,NAND Flash價格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價。
2019-05-08 08:47:553185

紫光240美元!成都建3D NAND Flash

紫光在四川布局宏大,總投資將超過2000億元
2019-07-01 11:32:082762

三星擴大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報道,三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:202933

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個塊包含多個頁
2020-07-22 11:56:265264

NAND Flash和NOR Flash二者之間的區(qū)別是什么

字節(jié)。 NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址,對NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進行訪問。各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息
2020-11-03 16:17:0529749

NAND Flash 的存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

華為大量備貨推升第三季NAND Flash位元出貨量

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢的消息,2020 年第三季度 NAND Flash 營收達 145 億美元,位元出貨季(bit-shipments )增 9%。 TrendForce 集邦咨詢
2020-12-01 10:30:271575

2020年第四季度NAND Flash市場銷售收入達141億美元

根據(jù)CFM研究顯示,NAND Flash市場規(guī)模在三季度創(chuàng)下近兩年來的收入高峰后,由于服務(wù)器市場主要OEM客戶庫存繼續(xù)調(diào)整使得需求相對疲軟,再加上NAND Flash平均價格的下滑,2020年四季度全球NAND Flash市場銷售收入環(huán)比減少3.3%至141億美元
2021-02-24 08:59:582855

NAND Flash控制器的設(shè)計與驗證

移動電話的功能日益豐富,其對系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲容量的需求正在快速增長。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點,在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用,在各種片上系統(tǒng)芯片中(SOC)集成NAND
2021-03-29 10:07:0819

解讀NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲的問題。
2021-07-30 10:41:299

SPI Nand Flash簡介

1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flash、SPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615

NOR FlashNAND FLASH的區(qū)別是什么

使用FlashMemory作為存儲介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲原理的不同,Flash Memory主要可以分為NOR FlashNAND FLASH兩類。主要的差異如下所示: NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808

Nand Flash工作原理

FLASH芯片分為Nor FlashNand Flash,Nor Flash容量小有獨立的地址線,用于存儲較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù),NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線,Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532

NOR FLASHNAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點介紹

非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASHNAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888

NAND Flash 原理深度解析(上)

Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011626

NAND Flash接口簡單介紹

NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556

NAND Flash 原理深度解析(下)

在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752

為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢?

為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58647

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735

什么是NANDFlash 存儲器?

前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160

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