薄膜太陽(yáng)能電池需要什么材料？首先是制備薄膜電池沉積所用的氣體
硅烷(SiH4)
硅烷(B2H6)
磷烷(PH3)
還有就是沉積基: TCO 導(dǎo)電玻璃
背電極,一般都是鋁.
別的就是
2009-10-31 10:57:54
1046 外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4710448 光電子應(yīng)用正在推動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代！在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
導(dǎo)電橡膠板是將玻璃鍍銀、鋁鍍銀、銀等導(dǎo)電顆粒均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導(dǎo)電顆粒接觸，達(dá)到良好的導(dǎo)電性能。在軍事和商業(yè)上都有應(yīng)用。
2019-10-28 09:12:05
導(dǎo)電膠條是將玻璃纖維鍍銀、鋁鍍銀、銅鍍銀、銀、石墨鍍鎳、鎳鍍銀、低密度銀、高密度銀、純鎳、碳黑等等微細(xì)導(dǎo)電顆粒，均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導(dǎo)電顆粒接觸而達(dá)到良好導(dǎo)電性能的方法制成。
2019-10-25 09:11:07
具有導(dǎo)電功能的薄膜。導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過程中受到表面和界面的散射，當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí)，在表面和界面的影響將變得顯著，這個(gè)現(xiàn)象稱為薄膜的尺寸效應(yīng)。
2019-11-06 09:11:49
閘極,區(qū)域圖樣,隋后玻璃基板經(jīng)光阻剝離洗凈,再以薄膜區(qū)電漿輔助化學(xué)相沉積機(jī)臺(tái)形成用作主動(dòng)區(qū)域,經(jīng)過一系列的協(xié)作.
2020-04-03 09:01:06
正確地進(jìn)行顯示觀察孔的屏蔽設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。 二、透光屏蔽材料大致分為以下三類： （1）薄膜類： 金屬鍍膜玻璃：金屬鍍膜玻璃是采用真空濺射等工藝在普通或鋼化玻璃表面形成致密導(dǎo)電膜而制成的，具有透光率
2014-09-12 17:32:17
`薄膜壓力傳感器廠家-我們的傳感器品牌是WIKON,國(guó)產(chǎn)的，下圖是我們傳感器在壓力觸控筆上的應(yīng)用`
2019-05-04 17:57:54
低電阻，低溫條件下固化的導(dǎo)電性涂料印刷而成。因此，整個(gè)薄膜開關(guān)的組成，具有一定的柔軟性，不僅適合于平面體上使用，還能與曲面體配合。柔性薄膜開關(guān)引出線與開關(guān)體的本身是一體的，在制作群體開關(guān)的聯(lián)機(jī)時(shí)，將其
2015-01-07 13:46:11
薄膜開關(guān)，一般就是一個(gè)很薄的、彈性很好的白鋼片，與下面的極板（電路板銅箔或其它金屬片）之間隔了一層絕緣薄膜，按下薄膜開關(guān)，白鋼片向下變形，與下面的極板接觸導(dǎo)電，手離開后，白鋼片反彈回來(lái)，電路斷開。
2019-10-17 09:01:11
的，如Q值、ESR，絕緣電阻的變化以及電容值在整個(gè)指定的容差范圍內(nèi)的變化。盡管在許多應(yīng)用場(chǎng)合中，這些參數(shù)變化并不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響，目前在薄膜元件生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)突破為，設(shè)計(jì)人員提供了生產(chǎn)高頻微波元件的一種替代
2019-07-10 07:52:18
ITO薄膜在可見光之范圍內(nèi)，鍍膜之透光率與導(dǎo)電鍍率約成反比之關(guān)系；例如，當(dāng)鍍膜面電阻率在10Ω/sq以下時(shí)，可見光透光率可達(dá)80%,但若透光率欲達(dá)到90%以上，則面電阻必須提高至100Ω/sq以上。
2019-11-06 09:01:36
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
膠、底部填充膠、TUFFY膠、LCM密封膠、UV膠、各向異性導(dǎo)電膠、太陽(yáng)能電池導(dǎo)電漿料等九大系列光電膠粘劑具有最高的產(chǎn)品性價(jià)比，公司在全球擁有近百家世界五百?gòu)?qiáng)客戶。最近，UNINWELL國(guó)際與上海常祥
2008-12-05 15:25:06
膠、底部填充膠、TUFFY膠、LCM密封膠、UV膠、各向異性導(dǎo)電膠、太陽(yáng)能電池導(dǎo)電漿料等九大系列光電膠粘劑具有最高的產(chǎn)品性價(jià)比，公司在全球擁有近百家世界五百?gòu)?qiáng)客戶。最近，UNINWELL國(guó)際與上海常祥
2008-12-05 15:21:40
/index.html 摘要：在 GaAs 傳感梁表面的適當(dāng)位置通過空氣橋技術(shù)形成薄膜，它們本身固定在端部的剛性框架上，如圖 1 所示。當(dāng)外部加速度施加到加速度計(jì)時(shí)，地震塊將發(fā)生位移由于慣性力。地震質(zhì)量的這種運(yùn)動(dòng)
2021-07-07 10:22:15
(HVPE)、 氨熱生長(zhǎng)、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長(zhǎng)后，晶體經(jīng)歷晶圓加工，包括切割、研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。機(jī)械加工產(chǎn)生的表面具有密集的劃痕和損壞網(wǎng)絡(luò)。然而，要通過同質(zhì)外延在
2021-07-07 10:26:01
，非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中，我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長(zhǎng)的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
℃下退火1 h并隨爐冷卻至室溫，之后酸洗去除基板表面的銅氧化層．其中熒光玻璃可通過控制薄膜厚度來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)光性能．然后，將p型和n型熱電粒子按照次序擺入放置在熱端上的模具中，并對(duì)準(zhǔn)陶瓷基板上涂覆有
2023-02-22 15:56:12
導(dǎo)電銀漿AS6080P，可以極大的提高生產(chǎn)效率。7）豪華車星空頂制作。以星空全景玻璃為例，在全景玻璃天窗上印刷很多小圖形，推薦善仁新材的低溫導(dǎo)電銀漿AS6087；小圖形要和透明覆蓋層上的線路粘結(jié)導(dǎo)通，推薦善仁新材的低溫固化導(dǎo)電銀膠AS6080H。
2022-04-15 15:38:13
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
改變，從而影響錫須的生長(zhǎng)速度。本文討論在電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）推薦的三個(gè)測(cè)試條件下進(jìn)行的測(cè)試。在一定程度上，這些測(cè)試代表一些常見的實(shí)地應(yīng)用條件。在測(cè)試結(jié)果的基礎(chǔ)上研制減輕錫須生長(zhǎng)的技術(shù)
2015-03-13 13:36:02
MOLECULAR BEAM EPITAXY: PRINCIPLES AND APPLICATIONS個(gè)人覺得不錯(cuò)，拿出來(lái)分享。
2014-07-28 17:16:42
是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系。在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，典型代表是Si氣相外延和GaAs以及固溶體氣相外延。Si氣相外延是以高純氫氣作為輸運(yùn)和還原氣體，在
2018-09-03 09:31:49
`將多壁碳納米管（MWNT）作為導(dǎo)電填充物混入高分子材料SBS中，產(chǎn)生的導(dǎo)電高分子復(fù)合材料具有獨(dú)特的導(dǎo)電性。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證摻雜MWNT濃度約為1wt%的SBS材料具有良好的滲流特性，在外力作用下SBS薄膜
2011-03-08 13:13:50
領(lǐng)導(dǎo)的存儲(chǔ)器研究小組提出了一種通過增強(qiáng)功能層薄膜中的局域電場(chǎng)來(lái)控制導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)位置和方向的方法。通過控制導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)過程，從本質(zhì)上減小導(dǎo)電細(xì)絲生長(zhǎng)的隨機(jī)性，從而減小ReRAM器件轉(zhuǎn)變參數(shù)離散性
2010-12-29 15:13:32
的圖形，包括開關(guān)的聯(lián)機(jī)及其引出線均采用低電阻，低溫條件下固化的導(dǎo)電性涂料印刷而成。因此，整個(gè)薄膜開關(guān)的組成，具有一定的柔軟性，不僅適合于平面體上使用，還能與曲面體配合。柔性薄膜開關(guān)引出線與開關(guān)體的本身
2012-07-27 09:46:32
的，所以在植物生長(zhǎng)時(shí)不需要噴灑農(nóng)藥就可以避免植物受到害蟲的侵害。這種玻璃和無(wú)土栽培技術(shù)相結(jié)合，我們可以讓長(zhǎng)期遠(yuǎn)離陸地的飛行人員吃上新鮮的綠色蔬菜，這種技術(shù)更可以應(yīng)用在艦艇上和沙漠中。我國(guó)LED轉(zhuǎn)光生態(tài)玻璃已經(jīng)獲得了國(guó)家9項(xiàng)專利認(rèn)證。這種技術(shù)只有少數(shù)國(guó)家才有，我國(guó)便是其中一個(gè)。黑龍江建材網(wǎng)
2013-06-06 14:22:54
什么是方塊電阻 方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無(wú)關(guān)，其單位為
2020-06-19 16:40:37
的外延生長(zhǎng)生產(chǎn)，條形(電極)以微米級(jí)可控的光刻法制作?！炯す舛O管的芯片結(jié)構(gòu)】法布里-珀羅型LD:一種最簡(jiǎn)單的激光二極管的結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng):薄膜結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的一種，在原有晶片上進(jìn)行生長(zhǎng)，使之以電路板結(jié)晶面一致的結(jié)晶排列生長(zhǎng)。光刻法:一種將涂敷了感光性物質(zhì)的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術(shù)。
2019-07-04 04:20:44
輻射到另一面時(shí)受到抑制或衰減。 電磁屏蔽薄膜主要是靠具有導(dǎo)電性能的材料(Ag，ITO氧化銦錫等)制成的薄膜，可以鍍?cè)?b class="flag-6" style="color: red">玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材料主要性能指標(biāo)是:透光率，和屏蔽效能，即有
2016-07-13 13:56:14
外延生長(zhǎng)法(LPE)外延生長(zhǎng)法(epitaxial growth)能生長(zhǎng)出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區(qū)域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長(zhǎng)N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
由于透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光電性能，因而被廣泛地應(yīng)用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
透明導(dǎo)電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學(xué)鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而形成的組件。對(duì)于薄膜太陽(yáng)能電池來(lái)說，由于中間半導(dǎo)體層幾乎沒有橫向導(dǎo)電性能，因此必須使用透明導(dǎo)電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
采用真空熱蒸發(fā)法在石英玻璃基片上制備了具有特殊微柱狀結(jié)構(gòu)的碘化銫閃爍薄膜。運(yùn)用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀和熒光光譜儀分別對(duì)碘化銫薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)及發(fā)光性能等進(jìn)
2010-03-05 15:53:12
28 壁厚測(cè)試儀 壁厚測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)玻璃瓶壁厚的專用設(shè)備，對(duì)于瓶罐容器，如安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶和塑料瓶等，厚度測(cè)量同樣至關(guān)重要。在食品和化妝品行業(yè)，包裝容器如啤酒瓶和塑料瓶的厚度
2023-09-19 14:21:54
玻璃瓶壁厚測(cè)量?jī)x 玻璃瓶在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。從食品包裝到化學(xué)試劑，再到醫(yī)療用品，玻璃瓶在其中都扮演著重要角色。為了確保玻璃瓶的品質(zhì)和安全性，對(duì)其壁厚的精確測(cè)量顯得
2023-09-19 14:28:48
玻璃瓶壁厚測(cè)試儀 瓶罐容器大家庭涵蓋了玻璃瓶、安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶、塑料瓶、瓶胚等成員。談到玻璃瓶，我們不得不重點(diǎn)談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">在輕量化過程中，壁厚指標(biāo)這一重要的物理性檢測(cè)項(xiàng)目。生產(chǎn)線
2023-09-19 15:02:04
鈉鈣玻璃熱沖擊強(qiáng)度測(cè)試儀 玻璃瓶熱沖擊試驗(yàn)儀是一種專門用于測(cè)試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環(huán)境下的熱沖擊性能的設(shè)備。它能夠模擬實(shí)際使用中可能出現(xiàn)的各種熱沖擊情況，例如冷熱溫度的交替、室外和室內(nèi)
2023-09-27 15:51:22
抗生素玻璃瓶壁厚測(cè)量?jī)x 在醫(yī)藥行業(yè)中，玻璃瓶作為常用的包裝容器，其質(zhì)量與安全性倍受關(guān)注。而藥用玻璃瓶測(cè)厚儀，則是確保瓶壁厚度均勻性、一致性的關(guān)鍵檢測(cè)工具。 壁厚測(cè)厚儀的基本原理
2023-09-28 13:25:56
在材料科學(xué)和工業(yè)生產(chǎn)中，薄膜的熱縮性能是非常重要的指標(biāo)之一。薄膜在受熱或受冷時(shí)，會(huì)發(fā)生尺寸的變化，這種現(xiàn)象稱為熱收縮。熱縮現(xiàn)象可能會(huì)影響薄膜的性能，如機(jī)械強(qiáng)度、阻隔性能和密封性能等。因此，準(zhǔn)確評(píng)估
2023-10-24 16:44:30
一、引言薄膜熱縮性能試驗(yàn)儀是一種專門用于測(cè)試薄膜熱收縮性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于包裝、材料科學(xué)等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹薄膜熱縮性能試驗(yàn)儀的工作原理、特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景。二、工作原理薄膜熱縮性能試驗(yàn)儀主要
2023-10-30 16:46:15
TVP玻璃容器熱沖擊試驗(yàn)儀TVP玻璃容器熱沖擊試驗(yàn)儀專業(yè)適用于玻璃容器在短時(shí)間內(nèi)經(jīng)受一定溫度沖擊的能力的測(cè)定 選用進(jìn)口優(yōu)質(zhì)不銹鋼板和精密機(jī)械加工工藝制造，具有耐高溫，耐腐蝕的特點(diǎn)。采用微機(jī)
2023-12-18 15:14:02
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 ITO導(dǎo)電玻璃基礎(chǔ)知識(shí)
ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫
2008-10-25 16:00:113456 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太陽(yáng)能電池組件（單片1.1×1.3米）的輕量化技術(shù)可保證硅薄膜組件在滿足IEC標(biāo)準(zhǔn)要求的前提下，將重量降至9.79kg/m2，成為目前世界上重量最輕的玻璃基
2012-05-02 13:40:01850 美國(guó)加利福尼亞大學(xué)伯克利分校（University of California， Berkeley）教授Eli Yablonovitch與美國(guó)Alta Devices公司組成的開發(fā)團(tuán)隊(duì)，開發(fā)出了轉(zhuǎn)換效率為28.3％的單耦合型薄膜GaAs太陽(yáng)能電池。
2012-05-16 09:49:553260 ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)，液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導(dǎo)電玻璃。由于ITO具有很強(qiáng)的吸水性，所以會(huì)吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì)，俗稱“霉變”，因此在存放時(shí)要防潮。
2013-01-28 11:05:433093 來(lái)自美國(guó)普渡大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一種全新的可導(dǎo)電玻璃狀透明聚合物薄膜材料，該材料易于大規(guī)模制造，成本低于氧化銦錫薄膜導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性優(yōu)于普通聚合物。
2018-06-15 11:44:005592 按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶
2018-11-19 08:00:0024 導(dǎo)電膜是具有導(dǎo)電功能的薄膜。 導(dǎo)電薄膜的荷電載流子在輸運(yùn)過程中受到表面和界面的散射，當(dāng)薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時(shí)，在表面和界面的影響將變得顯著，這個(gè)現(xiàn)象稱為薄膜的尺寸效應(yīng)。它等效于載流子的自由程減小，因此與同樣材料的塊體相比，薄膜的電導(dǎo)率較小。
2019-06-04 15:24:5914849 ITO導(dǎo)電薄膜是一種廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴等移動(dòng)通訊領(lǐng)域的觸摸屏的生產(chǎn)的高技術(shù)產(chǎn)品。
2020-01-25 17:28:004604 通信、數(shù)據(jù)中心、激光、紅外、精密光學(xué)、鏡頭及模組、機(jī)器視覺、光電傳感等版塊。其中，專業(yè)的外延片生產(chǎn)廠商-西安唐晶量子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“唐晶量子”）連續(xù)3年參展，本次帶來(lái)其主打的兩款高端GaAs外延片產(chǎn)品VCSEL和HBT。
2020-09-15 10:11:053517 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 ）和外延。 薄膜混合集成電路需要用的基片有多種，一般用得最多的是玻璃基片，其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片，有時(shí)也用藍(lán)寶石和單晶硅基片。 薄膜工藝中包括了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相淀積等。特點(diǎn)為電阻、電容數(shù)值控制較精確。 在薄膜電路
2021-12-22 16:41:067760 ，這種腐蝕與玻璃中氧化錫層的分層有關(guān)，這是由于氧化錫與玻璃界面附近的鈉積累以及水分從邊緣進(jìn)入PV模塊引起的。通過改變氧化錫的生長(zhǎng)條件或通過使用氧化鋅作為透明的導(dǎo)電性氧化物電極，可以顯著降低薄膜光伏組件中的這種腐蝕。
2022-01-17 13:27:47589 
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長(zhǎng)生產(chǎn)的材料，商業(yè)上可用于許多不同的電子應(yīng)用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質(zhì)晶片)制成?？捎米饕r底的“外延”晶片的選擇有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
高效薄膜太陽(yáng)能電池需要具有高吸收、低缺陷、透明導(dǎo)電的吸收層 氧化物(TCO)薄膜，透過率超過80%，導(dǎo)電率高。 此外，光可以通過玻璃捕獲并送至光吸收層以提高效率。 本文研究了玻璃表面形貌的形式利用
2022-03-08 11:52:411214 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽(yáng)能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度
2022-04-13 15:24:371392 
摘要 在先進(jìn)的p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，SiGe溝道可用于提高空穴遷移率和定制閾值電壓偏移。在這種器件的源極/漏極區(qū)中SiGe:B的低溫選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:24973 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:571531 
固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 取決于銀粉的含量和顆粒形態(tài)、樹脂種類及固化條件。選用密度小且呈片狀銀粉，適當(dāng)提高固化溫度，延長(zhǎng)固化時(shí)間能提高電導(dǎo)率。 2.導(dǎo)電銀漿由銀或氧化銀粉、玻璃料及樹脂等調(diào)制而成，有高溫銀漿、中溫銀漿、銀鈀漿料及鉑銀漿料等多種，可涂敷或印刷，附
2022-11-17 20:42:322180 碳納米管具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，碳納米管導(dǎo)電薄膜具有通電加熱快速升溫、斷電快速將的特點(diǎn)。紅外和遠(yuǎn)紅外輻射，發(fā)熱效率高，傳熱快，重復(fù)穩(wěn)定性好，性能穩(wěn)定，是非常好的加熱導(dǎo)熱材料之一。
2022-11-21 10:01:141788 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長(zhǎng)，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長(zhǎng)。
2022-11-29 16:05:151708 作者通過退火和濃鹽酸處理去除制備出的MWCNT薄膜的不導(dǎo)電的無(wú)定形碳和金屬氧化物，從而有效的提升了薄膜的導(dǎo)電性。然后為了MXCNT擁有更致密的結(jié)構(gòu)和更高的結(jié)晶度，作者采用CSA進(jìn)行了進(jìn)一步處理。
2023-01-31 09:43:48684 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 迄今為止， 石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、液相剝離法、碳化硅外延法、化學(xué)氣相沉積法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制備的石墨烯薄膜，尤其是在銅等金屬襯底上生長(zhǎng)的石墨烯薄膜，具有質(zhì)量高和可控性好的優(yōu)點(diǎn)，越發(fā)受到科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。
2023-02-22 11:28:291120 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32277 SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
薄膜開關(guān)的導(dǎo)電漿料由導(dǎo)電載體、膠粘劑、溶劑、助劑四部分組成
2023-03-29 17:12:13488 
? 導(dǎo)電薄膜指的是具有導(dǎo)電性質(zhì)的薄膜材料，它可以使得電信號(hào)在平面上傳遞，同時(shí)還具有透光性和柔韌性。導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于觸摸屏、電池、顯示器等電子產(chǎn)品中，是現(xiàn)代科技發(fā)展的重要組成部分。 01 導(dǎo)電薄膜
2023-06-30 15:38:36959 液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
原位拉曼系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)過程，并且通過監(jiān)控不同的生長(zhǎng)因素
2023-08-14 10:02:34465 
針對(duì)測(cè)量ITO導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用場(chǎng)景，CP200臺(tái)階儀能夠快速定位到測(cè)量標(biāo)志位；輕松實(shí)現(xiàn)一鍵多點(diǎn)位測(cè)量；能直觀測(cè)量數(shù)值變化趨勢(shì)。
2023-06-27 10:49:44715 
薄膜和多層中的應(yīng)力會(huì)降低性能，甚至導(dǎo)致技術(shù)應(yīng)用中的故障，通過諸如破裂、彎曲或分層的機(jī)制。然而，在某些情況下，應(yīng)力是理想的，因?yàn)樗梢杂脕?lái)提高涂層的特定性能，例如導(dǎo)電性，熱穩(wěn)定性，機(jī)械強(qiáng)度或磁性。由于這個(gè)原因，評(píng)估和控制薄膜和涂層的應(yīng)力狀態(tài)具有技術(shù)重要性。
2023-09-28 10:04:13197 
?外延片指的是在村底上生長(zhǎng)出的半導(dǎo)體薄膜,薄膜主要由P型、量子阱、N型三個(gè)部分構(gòu)成。
2023-10-20 17:43:520 HVPE主要是利用生長(zhǎng)過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，一般用來(lái)制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081220 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽(yáng)能光伏玻璃及其薄膜的開發(fā)與應(yīng)用(四).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:12:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽(yáng)能光伏玻璃及其薄膜的開發(fā)與應(yīng)用（一）.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:18:030 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
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