深度解析GaN功率晶體管技術(shù)及可靠性

編輯：黃飛

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晶體管(134507) 晶體管(134507)
GaN功率器件(5947) GaN功率器件(5947)

評(píng)論

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GaN FET在應(yīng)用中的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。

2022-07-18 10:06:19

779

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 11:27:11

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GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中

2020-09-23 10:46:20

GaN功率集成電路的可靠性系統(tǒng)方法

GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法

2023-06-19 06:52:09

GaN可靠性的測(cè)試

qualification recipe）即可。由于長(zhǎng)期的業(yè)界經(jīng)驗(yàn)和可靠性模型的驗(yàn)證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試用于硅材料的做法，不過(guò)也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2018-09-10 14:48:19

GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成實(shí)現(xiàn)高性能

極大地增加了GaN晶體管柵極的應(yīng)力。需要注意的一點(diǎn)是，任何FET的柵極上的過(guò)應(yīng)力都會(huì)對(duì)可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。柵極環(huán)路電感還會(huì)對(duì)關(guān)斷保持能力產(chǎn)生巨大影響。當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">管器件的柵極保持在關(guān)閉電壓時(shí)，并且高管器件接通

2018-08-30 15:28:30

可靠性是什么？

廠子，和用了5年后相比，它出故障的概率顯然小了很多。　　“規(guī)定功能”是指產(chǎn)品規(guī)定了的必須具備的功能及其技術(shù)指標(biāo)。所要求產(chǎn)品功能的多少和其技術(shù)指標(biāo)的高低，直接影響到產(chǎn)品可靠性指標(biāo)的高低。例如，電風(fēng)扇的主要功能有轉(zhuǎn)

2015-08-04 11:04:27

可靠性檢技術(shù)及可靠性檢驗(yàn)職業(yè)資格取證

中國(guó)電子電器可靠性工程協(xié)會(huì) 關(guān)于舉辦“可靠性檢技術(shù)及可靠性檢驗(yàn)職業(yè)資格取證”培訓(xùn)班的通知各有關(guān)單位： 根據(jù)《中華人民共和國(guó)勞動(dòng)法》勞動(dòng)和社會(huì)保障部《招用技術(shù)

2010-08-27 08:25:03

晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？

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2021-05-26 06:57:13

晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告

晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘　要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系

2012-08-02 23:57:09

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

`　　《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率

2019-03-06 17:29:48

晶體管電路設(shè)計(jì)

從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB

2018-12-13 09:04:31

晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？

晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？

2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大

2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。先來(lái)看一下晶體管的分類與特征

2020-06-09 07:34:33

晶體管的分類與特征

題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來(lái)看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)

2018-11-28 14:29:28

晶體管的開(kāi)關(guān)作用有哪些？

100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管

2018-10-25 16:01:51

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號(hào)的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散

2012-01-28 11:27:38

CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2晶體管

是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高

2018-08-13 10:58:03

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管

和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝

2020-12-03 11:46:10

Diodes Inc MMBT39x車(chē)用晶體管

的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它

2019-08-17 09:43:27

FHX35X高電子遷移率晶體管（HEMT）

金屬化技術(shù)，可靠性高噪聲系數(shù)NF典型值。（D b）1.2相關(guān)增益氣體典型值（D b）10漏極電壓VDS（V）2個(gè)漏極電流lDS（mA）10頻率f（GHz）12應(yīng)用低噪聲放大器筆記Tc（op）= + 25

2021-03-30 11:21:24

GaAs和GaN寬帶功率放大器電路設(shè)計(jì)考慮因素

GaN設(shè)備的一個(gè)不太明顯的優(yōu)勢(shì)就是，能夠?qū)崿F(xiàn)給定RF功率水平，可能是4 W。晶體管尺寸將會(huì)更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的每級(jí)增益。這將帶來(lái)更少的設(shè)計(jì)級(jí)，最終實(shí)現(xiàn)更高效率。這些級(jí)聯(lián)放大器技術(shù)的挑戰(zhàn)在于，在不顯著降低

2018-10-17 10:35:37

IB0810M210功率晶體管

脈沖功率。在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管

2021-04-01 10:07:29

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

500W的峰值脈沖功率。該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極

2021-04-01 09:41:49

IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

2021-04-01 10:29:42

IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管

至少800W的峰值脈沖功率。該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙

2021-04-01 10:11:46

IB3042-5晶體管

于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)

2019-05-14 11:00:13

IB3042-5晶體管

的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案

2019-04-15 15:12:37

IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管

基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測(cè)試IGN0450M250功率晶體管

2021-04-01 10:35:32

IGN1090M800雷達(dá)晶體管

Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS

2019-05-20 09:16:24

IGN2856S40晶體管現(xiàn)貨

和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGN2856S40產(chǎn)品名稱：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測(cè)試負(fù)柵電壓/偏置序列

2018-11-12 11:14:03

IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管

2021-04-01 09:57:55

IGT2731L120雷達(dá)晶體管現(xiàn)貨

9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)

2018-11-12 10:26:20

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的全鍍金制造工藝確保了產(chǎn)品的高性能和長(zhǎng)期可靠性。我們的雙極晶體管旨在為用戶嚴(yán)苛的應(yīng)用提供可靠的解決方案。射頻功率晶體管 - 硅MOSFETMACOM公司

2017-08-14 14:41:32

NPT2020射頻晶體管

化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz

2018-09-26 09:04:23

NPTB00025B射頻功率晶體管介紹

500-1000MHz的10W P3dB CW寬帶功率25W P3dB CW窄帶功率受EAR99出口管制無(wú)鉛高可靠性金金屬化工藝符合RoHS技術(shù)指標(biāo)電源電壓：28 VPSAT：25 W增益：13 dB測(cè)試

2019-11-01 10:46:19

PH1214-220M脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

和醫(yī)療應(yīng)用。我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長(zhǎng)期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達(dá)脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴(kuò)散發(fā)射器鎮(zhèn)流電

2018-05-21 15:49:50

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

2018-07-06 09:47:57

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

2018-07-06 09:46:43

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

應(yīng)用。我們所有的金金屬化制造工藝都能確保高性能和長(zhǎng)期可靠性。產(chǎn)品名稱: 雷達(dá)脈沖功率晶體管PH1214-220M產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)密封金屬/陶瓷封裝擴(kuò)散發(fā)射器鎮(zhèn)流電

2018-07-13 14:16:37

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

2018-11-12 11:02:34

QPD1020射頻功率晶體管

QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入

2018-07-27 11:20:12

RF功率晶體管耐用性的三個(gè)電氣參數(shù)驗(yàn)證

能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。

2019-06-26 07:11:37

SGNE045MK晶體管

電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作：VDS = 50V高功率：47.5dBm（典型值）@Psat高效率：55％（典型值）@Psat線性增益：16.0dB（典型值）@ f = 2.2GHz經(jīng)驗(yàn)證的可靠性頻率（GHz

2021-03-30 11:32:19

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充

2018-11-30 11:35:30

【PCB】什么是高可靠性？

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2020-07-03 11:09:11

【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總

放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)

2017-07-25 15:29:55

什么是GaN透明晶體管？

晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！　≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為

2020-11-27 16:30:52

什么是晶體管晶體管的分類及主要參數(shù)

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2023-02-03 09:36:05

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案？

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管

2019-08-22 08:14:59

什么是達(dá)林頓晶體管？

。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?！　∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950

2023-02-16 18:19:11

什么是高可靠性？

市場(chǎng)份額、提高經(jīng)濟(jì)效益。五、如何評(píng)估PCB是否具備高可靠性？高可靠性是結(jié)合“工程技術(shù)”與“管理藝術(shù)”的一種實(shí)踐科學(xué)，穩(wěn)健地產(chǎn)出高可靠PCB須建立一整套“規(guī)范、高效、協(xié)同、可控”的管理程序，要求工廠必須全方位管

2020-07-03 11:18:02

傳聲器管可靠性分析

:SUN:DSJS.0.2010-02-005【正文快照】：1可靠性概述長(zhǎng)期以來(lái),國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的駐極體電容傳聲器(簡(jiǎn)稱傳聲器),一直使用由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和正向箝位二極管D1組成的簡(jiǎn)單組合件[1

2010-04-22 11:29:53

單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率/密度和可靠性分析

單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性

2023-06-21 09:59:28

單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)

的可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)和軟件系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)的解決方法。可供單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員借鑒與參考。單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包括功能性設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)和產(chǎn)品化設(shè)計(jì)。其中，功能性是基礎(chǔ)，可靠性是保障，產(chǎn)品化是前途。因此，從事單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工作的設(shè)計(jì)人員必須掌握可靠性設(shè)計(jì)。

2021-02-05 07:57:48

基本晶體管開(kāi)關(guān)電路，使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。　　晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域　　圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和

2023-02-20 16:35:09

增強(qiáng)型GaN功率晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)的解決辦法

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。

2020-10-28 06:59:27

大功率白光LED的應(yīng)用及其可靠性研究

。大功率白光LED作為半導(dǎo)體光源，相比傳統(tǒng)照明光源，有節(jié)能、壽命長(zhǎng)、綠色環(huán)保、使用電壓低、開(kāi)光時(shí)間短等特點(diǎn)。大功率白光LED技術(shù)迅速發(fā)展，有著極為廣闊的應(yīng)用前景，而器件的可靠性是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的保證

2011-08-19 08:41:03

如何保證FPGA設(shè)計(jì)可靠性？

為了FPGA保證設(shè)計(jì)可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？

2019-08-20 05:55:13

如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

幾個(gè)月前，我還沒(méi)發(fā)現(xiàn)這一點(diǎn)，因?yàn)槲遗畠簡(jiǎn)栁?b class="flag-6" style="color: red">GaN長(zhǎng)什么樣子，我才意識(shí)到，在家中的節(jié)日彩燈中有數(shù)百個(gè)GaN啊：那是GaN LED里使用的GaN。GaN可靠性是一個(gè)不錯(cuò)的合作主題。即使GaN晶體管現(xiàn)在通過(guò)了

2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案

高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。

2021-03-18 07:49:20

如何提高微波功率晶體管可靠性？

什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？

2021-04-06 09:46:57

射頻功率晶體管究竟有多耐用？

2019-08-22 06:13:27

影響硬件可靠性的因素

一般來(lái)說(shuō)，系統(tǒng)總是由多個(gè)子系統(tǒng)組成，而子系統(tǒng)又是由更小的子系統(tǒng)組成，直到細(xì)分到電阻器、電容器、電感、晶體管、集成電路、機(jī)械零件等小元件的復(fù)雜組合，其中任何一個(gè)元件發(fā)生故障都會(huì)成為系統(tǒng)出現(xiàn)故障的原因

2021-01-25 07:13:16

數(shù)字隔離器的安全可靠性解析

數(shù)字隔離器的安全可靠性

2021-01-21 07:27:02

概述晶體管

2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？

效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率

2023-02-27 09:37:29

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊

2021-03-09 06:33:26

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

引起的拉應(yīng)力，限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底中的深度擊穿路徑，在兩者之間插入晶格緩沖層（圖2）。硅體和晶體管的有源頂側(cè)。　　圖2.格緩沖區(qū)　　該緩沖器在確定晶體管的關(guān)鍵可靠性特性中起著

2023-02-27 15:53:50

氮化鎵晶體管電路的布局需要考慮哪些因素？

電壓過(guò)沖提高系統(tǒng)可靠性。討論了使用GaN晶體管時(shí)重要的布局寄生效應(yīng);即共源電感、高頻功率環(huán)路電感和柵極環(huán)路電感。

2023-02-24 15:15:04

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管

的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該

2022-06-15 11:43:25

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

將會(huì)導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無(wú)法解決這些問(wèn)題，將可能導(dǎo)致晶體管損壞?！　”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟，但對(duì)于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及?？紤]到GaN器件驅(qū)動(dòng)的特殊性以及其高速開(kāi)關(guān)

2021-01-19 16:48:15

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型

2020-10-27 06:43:42

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。　　英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖

2018-11-29 11:38:26