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如何為應(yīng)用的實(shí)用性測(cè)試GaN的可靠性

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:網(wǎng)友電子設(shè)計(jì)發(fā)布 ? 作者:網(wǎng)友電子設(shè)計(jì)發(fā)布 ? 2021-11-23 14:36 ? 次閱讀

作者:Sandeep Bahl

最近,一位客戶問(wèn)我關(guān)于氮化鎵(GaN)可靠性的問(wèn)題:“JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件都應(yīng)通過(guò)這樣的測(cè)試。依我看,JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類測(cè)試。您說(shuō)呢?”

客戶的質(zhì)疑是對(duì)的。為使GaN被廣泛使用,其可靠性需要在預(yù)期應(yīng)用中得到證明,而不是僅僅通過(guò)硅材料配方合格認(rèn)證(silicon qualification recipe)即可。由于長(zhǎng)期的業(yè)界經(jīng)驗(yàn)和可靠性模型的驗(yàn)證,人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試用于硅材料的做法,不過(guò)也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)是在20世紀(jì)70年代末開(kāi)發(fā)的,但直到20世紀(jì)90年代初,JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。

標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用,但標(biāo)準(zhǔn)無(wú)需使技術(shù)可靠。這是對(duì)該項(xiàng)技術(shù)、其故障模式以及測(cè)試、合格標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品運(yùn)行知識(shí)的深刻理解。在德州儀器TI),我們要回歸基本面,創(chuàng)建一套能證明GaN合格的方法。JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)將最終涵蓋這類測(cè)試,但在此期間,請(qǐng)參閱我們的白皮書:《一套證明GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法》。

與應(yīng)用相關(guān)的合格標(biāo)準(zhǔn)特別重要。雖然JEDEC明確規(guī)定需要進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試,但它并未規(guī)定條件,也未列出在我們這個(gè)行業(yè)不斷演進(jìn)的應(yīng)用和材料集。我們的大多數(shù)客戶將把GaN用于電源轉(zhuǎn)換,因此,硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換是一個(gè)與應(yīng)用相關(guān)的基本事件。較之預(yù)燒板合格標(biāo)準(zhǔn),這產(chǎn)生了迥然不同的應(yīng)力,如白皮書中圖3、圖4所示。因此,我們已開(kāi)發(fā)出一種符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試工具(如圖1所示),以證明GaN用于硬開(kāi)關(guān)時(shí)完全合格。我們還在實(shí)際工作條件下運(yùn)行部件,以確定并修復(fù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)場(chǎng)故障機(jī)制。這使我們能證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中是可靠的。

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圖1:符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試工具適用于感應(yīng)開(kāi)關(guān)應(yīng)用測(cè)試

為GaN開(kāi)發(fā)基于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試需要花費(fèi)大量時(shí)間,不過(guò)我們正在積極開(kāi)發(fā)各種所需的測(cè)試,以證明GaN在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的可靠性。TI會(huì)用客戶認(rèn)為合理的方法測(cè)試GaN,即使在標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)做到這一點(diǎn)之前。

進(jìn)一步了解GaN技術(shù)

www.ti.com.cn/GaN

80V GaN半橋功率級(jí)

原文鏈接:http://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2015/05/26/how-is-gan-reliability-being-measured-for-application_2d00_relevance

編輯:jq

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