美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是具有高輸入阻抗和大雙極性電流能力的少數(shù)載流子功率器件。由于這些特性，IGBT非常適合電力電子中的許多應用，尤其是電機驅動器、不間斷電源（UPS）、可再生能源
2013-07-16 14:42:102094 
全球知名半導體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關版）”，共21種機型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:467742 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結的耐壓，主要取決于PN結的摻雜濃度。
2023-12-01 15:23:09693 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
3AC400V變頻異步電機，連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢？
比如說，變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下，3AC400V的電機能受得了嗎？
2024-01-09 07:20:21
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
2023-03-27 13:17:29
在內(nèi)的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產(chǎn)品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
作者：Fabio Necco和Roy Davis安森美半導體的650V汽車認證裸片IGBT針對正在開發(fā)汽車牽引逆變器先進方案的電源模塊制造商。IGBT產(chǎn)品系列PCGAXX0T65DF8包括160
2019-07-17 07:51:53
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型號的IGBT，耐壓650V，在實現(xiàn)軟開關時，開關電壓上升時有十分明顯的震蕩，分析過電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題，用仿真軟件仿真過能得到結果，但是實物實驗時就會出現(xiàn)圖中的問題。求助?。?！
2017-01-12 11:00:12
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
設計用于驅動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側驅動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
650V IGBT4，旨在提供更大的設計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關斷軟度，并且由于關斷電流變化率di/dt的降低，帶來了更低的關斷電壓尖峰。該器件專門設計用于中高電流應用。相對于
2018-12-07 10:16:11
高壓的二極管相串聯(lián)，但是，串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式，減少器件的同時，還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
系列（650V）*開發(fā)中下一篇將介紹剩下的兩種：Presto MOSTM 高速trr SJ-MOSFET和Hybrid MOS。關鍵要點:?SJ-MOSFET的種類因特性而異。?SJ-MOSFET
2018-12-03 14:27:05
供應SGTP40V65FDR1P7 絕緣柵雙極型晶體管耐壓650V、40A，提供SGTP40V65FDR1P7關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:29:51
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導通損耗和開關損耗，SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18862 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002053 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 視頻簡介：這視頻介紹我們?nèi)碌腝0和Q2系列功率模塊，應用于太陽能逆變器，額定功率超過100kVA。Q0PACK模塊包括一個T-NPC拓撲結構，具有65A / 1200V IGBT、60A
2019-03-14 06:12:004628 
意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:533363 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導損耗，有助于提高應用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:002601 
TRENCHSTOP IGBT7現(xiàn)在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現(xiàn)簡單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303189 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應加熱系統(tǒng)中的關鍵
2021-06-01 14:56:251829 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
現(xiàn)在主流400V架構中，電驅動的功率管主要采用IGBT器件，但IGBT耐壓值通常不高于650V，基本不能用于800V架構。即便采用超級結工藝的高耐壓IGBT，工作電壓也不超過900V，而且成本高不說，其體積也要比普通IGBT大很多，這無疑為車內(nèi)空間布置及散熱設計帶來困難。
2022-08-17 11:12:303877 Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 畢竟選擇一款650V、40A的IGBT，還能替代仙童FGH40N60SFD型號參數(shù)的國產(chǎn)IGBT還是值得考慮的。
2023-01-14 10:38:391252 關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時，警報輸出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05515 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 
非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40558 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16639 
供應SVSP14N65FJHE2超結mos耐壓650V14A，適用于硬/軟開關拓撲，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:27:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507 供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結mos管，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:350 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
近日，國內(nèi)半導體功率器件領軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19564 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580
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