用7個(gè)恒流
二極管均壓，總會(huì)出現(xiàn)其中某一個(gè)
二極管分的電壓格外多，70
V的電壓每一個(gè)
二極管端電壓應(yīng)該是10
V左右，但是其中一個(gè)
二極管端電壓
40V，其他6個(gè)
二極管端電壓才5
V，將端電壓是
40V的
二極管拆下來以后，這種現(xiàn)象會(huì)轉(zhuǎn)移到旁邊的
二極管上，
二極管沒有問題，請問這是什么原因啊，請指教?。?/div>
2019-06-19 19:50:01
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
如題。整流二極管的IF=3A,VB>40V，Ir
2021-04-02 13:57:56
參照如下的簡單電路在該電路中，D1和D2是不同的二極管，D1的反向漏電流為0.1pA，D2的反向漏電流為5pA，電壓V為3V。需要求出兩個(gè)二極管的電流及電壓。 考慮到兩個(gè)二極管是串聯(lián)的，所以經(jīng)過兩個(gè)
2018-10-09 14:18:09
發(fā)光二極管的波長一般為650~700nm，琥珀色發(fā)光二極管的波長一般為630~650nm，橙色發(fā)光二極管的波長一般為610~630nm擺布，黃色發(fā)光二極管的波長一般為585nm擺布，綠色發(fā)光二極管的波長一般為
2018-04-03 11:33:11
發(fā)光二極管的波長一般為650~700nm，琥珀色發(fā)光二極管的波長一般為630~650nm，橙色發(fā)光二極管的波長一般為610~630nm擺布，黃色發(fā)光二極管的波長一般為585nm擺布，綠色發(fā)光二極管的波長一般為
2018-09-07 11:29:24
在看IGBT這一節(jié)的時(shí)候，提到了加速二極管，新手沒看懂，請大神賜教。書上說圖中的VD2是加速二極管。
2015-01-08 15:10:57
（16A400V）只能做一下幾種封裝：TO-220的鐵封和塑封、TO-252。Type封裝所屬分類MUR1640FCTITO-220AB快恢復(fù)二極管MUR1640CTTO-220AB快恢復(fù)二極管
2016-12-14 11:45:54
1.典型back電路（1）二極管的選用：可選用快恢復(fù)二極管、肖特基二極管，不適用硅二極管（如1N4007）的原因：1KHZ以上時(shí)，不能正常進(jìn)行半波整流，會(huì)反相導(dǎo)通。常用為SS14,SS34,SS54
2021-12-28 07:03:10
穩(wěn)壓二極管1）DO-41封裝：1N4728A-Z1330A、1N5919B-1N5956B;2）SMA/DO-214AC封裝：SMA4728A-SZ1330A、SMA5919B-SMA5956B;3
2021-09-27 17:25:16
92-02參數(shù)描述型號：D92-02封裝：TO-247/3P特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，200V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個(gè)數(shù)：2正向電壓(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
泄露電流 高浪涌特性 外延芯片結(jié)構(gòu) 工作結(jié)溫度175℃ 功耗低，射頻干擾和電磁干擾少 600V30A二極管主要參數(shù) 600V30A二極管特性曲線 600V30A二極管封裝結(jié)構(gòu)
2020-09-24 16:10:01
快恢復(fù)二極管HFD15U12SC2可完全替換DSEI12-12A/STTH1512二極管，電流15A，電壓1200V，TO-220封裝。開關(guān)特性好，低反向漏電流，低熱阻，低開關(guān)損耗，高浪涌特性
2020-09-24 16:00:29
升壓等開關(guān)電源應(yīng)用1）如下圖是BOOST升壓電路，F(xiàn)R154為400V/1.5A快恢復(fù)二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應(yīng)用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-16 14:56:38
升壓等開關(guān)電源應(yīng)用1）如下圖是BOOST升壓電路，F(xiàn)R154為400V/1.5A快恢復(fù)二極管，起到防止電流倒灌作用2）在RCD等鉗位吸收回路應(yīng)用，如下圖D1/UF4007與R1、C2組成吸收回路二
2023-02-20 15:22:29
耐壓100V大電流（大于80A)的肖特基二極管很貴，也很少(有性價(jià)比好的請推薦)。相對來說一個(gè)封裝里2個(gè)40A的管子很好買，能當(dāng)一個(gè)80A的管子用么?大概50Khz開關(guān)頻率,導(dǎo)通時(shí)間小于10%。
2016-01-12 15:21:01
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2
2016-04-19 14:24:47
整流二極管M7與A7，都是整流二極管，在電子電路中的應(yīng)用有哪些區(qū)別呢？M7和A7最大的區(qū)別在于封裝形式，二極管M7封裝是SMA/DO-214AC，二極管A7封裝是SOD-123FL，M7的體積要比
2022-04-29 11:49:16
整流二極管的工作頻率小于3KHz。全密封金屬結(jié)構(gòu)封裝和塑料封裝是整流二極管常見的封裝方式，其中正向額定電流在1A以上的整流管采用...
2021-11-16 08:17:29
,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關(guān)二極管
2020-03-16 17:20:18
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為
2019-06-12 02:34:10
浙江地區(qū)回收INFINEON英飛凌IGBT模塊收購INFINEON英飛凌IGBT模塊長期大量回收IC,三極管,單片機(jī),IGBT模塊浙江安徽省回收三菱功率模塊,回收英飛凌二極管模塊,回收西門康可控硅
2021-02-24 17:06:50
技術(shù)參數(shù)RoHS：ROHS無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求封裝：管件說明：DIODE ULT FAST 1200V 60A TO247標(biāo)準(zhǔn)包裝：30類別：分立式導(dǎo)體產(chǎn)品家庭：單二極管/整流器
2019-04-26 10:01:34
、節(jié)材、可靠性提高，是高頻逆變電路和斬波電路不可缺少的關(guān)健配套器件，隨著我國***節(jié)能政策的進(jìn)一步落實(shí)，快恢復(fù)二極管模塊必將獲得更大的發(fā)展。DSEI2x121-02A特征芯片與底板電氣絕緣2500V
2019-04-18 18:11:18
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換DSEI12-12A二極管海飛樂技術(shù)15A 1200V二極管可替換DSEI12-12ADSEI12-12A二極管參數(shù)制造商:IXYS產(chǎn)品種類:整流器RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格
2020-06-29 17:26:18
`海飛樂技術(shù)快恢復(fù)二極管現(xiàn)貨替換DSEI2x61-10B。我國一般快恢復(fù)二極管的水平與國際先進(jìn)水平相差無幾。國產(chǎn)器件不但在國內(nèi)市場占有80%以上的份額，而且還有越來越多的出口。為區(qū)別于一般快恢復(fù)
2019-04-16 09:37:22
`用于保護(hù)VFD/IGBT逆變器的TVS二極管AK3-380C在幾乎所有的工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻器(VFD)/逆變器通常安裝在電機(jī)的前端，以便調(diào)節(jié)速度和節(jié)約能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為
2021-07-23 14:47:02
的最高耐壓值，如：G×××150××、××N120x××就分別表示最高耐壓值為1．5kV、1．2kV。3．管子型號后綴字母含“D”則表示該管內(nèi)含阻尼二極管。但未標(biāo)“D”并不一定是無阻尼二極管，因此在檢修
2012-03-22 19:09:22
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2020-12-24 14:55:58
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！ESD二極管規(guī)格書下載：
2021-12-30 17:52:36
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管1D20065K（650V/20A），電流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢復(fù)二極管（環(huán)境溫度25℃） 碳化硅肖特基二極管（環(huán)境溫度25℃） 硅快恢復(fù)二極管在
2023-02-28 16:34:16
穩(wěn)壓二極管的功率一般不是很大。常用穩(wěn)壓二極管包括1W、2W等，其功率由允許溫升決定。事實(shí)上，它是穩(wěn)定電壓和電流的產(chǎn)物。例如穩(wěn)壓二極管1n4742a，其最大功率僅為1W，其穩(wěn)壓值為12V，因此通過它
2021-12-21 11:16:32
肖特基二極管DSS32 DSS34 DSS36 D36 DSS38DSS310 DFLS230-7肖特基 二極管, Io=1A, Vrev=30V, 2引腳 PowerDI 123封裝
2020-11-02 10:14:46
的。肖特基二極管是屬于一種低功耗、超高速、反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管，所以肖特基二極管的用途有很多種，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，在通信電路中作整流二極管、小信號檢波二極管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01
的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有 A~19 種管腳引出方式。 3、常用的肖特基二極管 常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等
2021-06-30 16:48:53
測試二極管MUR3040PT的數(shù)量為40個(gè)。測試表格如下序號反向擊穿1（V）反向擊穿2（V）正向壓降1(V)正向壓降2(V
2015-08-14 09:53:53
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
菜鳥一枚，請問下面5V穩(wěn)壓電路中的二極管D2是什么作用？是開關(guān)二極管？還是穩(wěn)壓二極管？
2017-06-21 17:39:13
最近在對比研究不同類型二極管，發(fā)現(xiàn)有些二極管的反向耐壓值一般（VRRM=30V/40/100V）,但也有二極管的VRRM能達(dá)到1000V，對此有如下疑問：二極管的反向耐壓值具體受什么因素影響呢？工藝
2021-02-09 10:35:14
二極管（H.V.）以及瞬間突波電壓吸收二極管（TVS）穩(wěn)壓二極管（ZENER）等各種系列多種封裝形式的二極管,并大量生產(chǎn)SMA|SMB|SMC|SOD-123FL|SOD-123|SOD-323系列片
2013-08-02 16:17:14
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
在下面的圖中（假設(shè)二極管為理想二極管,正向?qū)娮铻?）,為什么二極管D1先導(dǎo)通,請解釋得清楚合理些,不要光說V1比V2電壓高所以二極管D1先導(dǎo)通,請?jiān)敿?xì)給出個(gè)合理好理解的解釋.
2016-05-24 11:05:43
請教高手如下電路中二類二極管組合的作用：1. D1~D5這5個(gè)二極管的組合，并在二個(gè)電路之間，從這些二極管方向看，在任何時(shí)候都不會(huì)導(dǎo)通，不知起到什么作用？2.圖片中部的Q6 BAV199的二個(gè)串聯(lián)
2020-04-08 22:01:04
型號：DH40-18A封裝：TO-247特性：大功率快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：40A1800V正向電流(Io)：40A正向電壓(VF)：1.38V浪涌電流Ifsm：400A漏電流(Ir)：100uA反向恢復(fù)時(shí)間（Trr
2021-07-30 14:36:39
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
SBR40U200CTBQ產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBR40U200CTBQ 采用堅(jiān)固的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TO263AB (D2PAK) 封裝，在高溫下提供極低的 VF 和出色的反向泄漏穩(wěn)定性。它們非常
2023-06-16 14:00:57
CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
3697 
D2PAK 中的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:59
0 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。 日前發(fā)布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封
2023-05-26 03:05:02358 
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