Corporation，簡(jiǎn)稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
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IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來(lái)看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢復(fù)過(guò)程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開(kāi)關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:3814750 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過(guò)減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動(dòng)態(tài)特性:反向恢復(fù)時(shí)間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開(kāi)啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng)，專注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09
電壓(VDSS)：600V柵源電壓(VGS)：±30V導(dǎo)通電阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.5V漏源擊穿電流(IDSS)：1uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：648NS工作溫度
2021-12-16 16:58:19
電壓(VDSS)：800V柵源電壓(VGS)：±30V導(dǎo)通電阻(RDS(on))：1.9Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.4V漏源擊穿電流(IDSS)：10uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：320NS工作溫度
2021-12-01 16:42:02
實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內(nèi)部二極管的trr高速化有助于實(shí)現(xiàn)逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的高效化與小型化。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
通電阻RDSON，注意：不是電流很多時(shí)候工程師關(guān)心RDSON，是因?yàn)镽DSON和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、溫升越低。同樣的，工程師盡可能沿用
2017-11-15 08:14:38
到地面更有意義。增強(qiáng)型（“正常關(guān)閉”） P 溝道 MOSFET 類似于倒置的 N 溝道 MOSFET。如果柵極相對(duì)于電源具有足夠高的負(fù)電壓，則激活。您可以通過(guò)將源連接到VCC （+） 和接地
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
檢測(cè)（AOI）系統(tǒng)對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行目視檢查，并有助于提高焊點(diǎn)可靠性。此外，東芝已驗(yàn)證其可在貼裝溫度循環(huán)測(cè)試中承受3000次循環(huán)，并獲得了相關(guān)數(shù)據(jù)，從而讓客戶能夠完全放心地使用該QFN封裝。與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，通過(guò)
2023-02-28 14:11:51
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
% 。這些改進(jìn)有助于顯著提高設(shè)備效率。對(duì)于使用東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22的空調(diào)PFC電路，其工作頻率低于40kHz。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通過(guò)降低
2023-03-09 16:39:58
這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。3）開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)通損耗：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見(jiàn)下
2021-08-29 18:34:54
；該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開(kāi)關(guān)波形（1）：實(shí)驗(yàn)電路（2）：因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開(kāi)關(guān)波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導(dǎo)通損耗該公式對(duì)控制
2021-09-05 07:00:00
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質(zhì)量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠(yuǎn)小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻也遠(yuǎn)大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
引起的MOSFET開(kāi)關(guān)波形（1）：實(shí)驗(yàn)電路（2）：因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開(kāi)關(guān)波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導(dǎo)通損耗該公式對(duì)控制整流和同步整流均適用該公式在體二極管導(dǎo)通時(shí)適用（2
2018-10-25 16:11:27
靜態(tài)反向電壓階段。參數(shù)性能仿真研究人員利用SPICE模型，通過(guò)商業(yè)PSpice軟件對(duì)功率二極管反向恢復(fù)特性進(jìn)行了仿真。功率二極管型號(hào)1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二極管
2023-02-14 15:46:54
ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低
2018-12-04 10:23:36
的區(qū)別是以熱量的形式在電源中浪費(fèi)和損失的功率。計(jì)算電路效率的基本公式為：器件導(dǎo)通通道的電阻越低，電路的效率就越高。這樣，電子元件將散發(fā)更少的熱量并且工作得更好。使用的電子元件 對(duì)于我們的測(cè)試和模擬，我們
2023-02-02 09:23:22
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
只有0.2V，但它不僅影響功率快恢復(fù)二極管的效率，而且影響快恢復(fù)二極管的溫升，所以如果條件允許時(shí)，盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流為實(shí)際電流兩倍的快恢復(fù)二極管。 2、快恢復(fù)二極管型號(hào)大全之快恢復(fù)二極管
2021-07-30 14:33:17
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
Q2的P-N結(jié)增加儲(chǔ)存電荷。在t4~t5時(shí)段，MOSFET Q1通道導(dǎo)通，流過(guò)非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電流引起。這不是偶然的直通，因?yàn)楦?、低?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
過(guò)由于“電導(dǎo)調(diào)制”現(xiàn)象的存在，PiN二極管完全導(dǎo)通后，內(nèi)部的N-基區(qū)充滿了大量的自由載流子。而二極管的反向恢復(fù)過(guò)程就是將N-基區(qū)的這些載流子的移出過(guò)程，因?yàn)橹挥袑⑦@些載流子清除完后，N-基區(qū)才能夠形成承受
2020-12-08 15:44:26
`羅姆低門驅(qū)動(dòng)電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動(dòng)類型。 這種廣泛的驅(qū)動(dòng)器類型范圍支持從小信號(hào)到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小有助于
2021-02-02 09:55:16
ROHM此次開(kāi)發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET中，采用了新工藝、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。2、具備
2021-07-14 15:17:34
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導(dǎo)通電阻。此外，可以看到，與150℃時(shí)的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導(dǎo)通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
提升導(dǎo)通能量，當(dāng)柵極電阻降低時(shí)，導(dǎo)通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關(guān)系曲線當(dāng)橫跨柵極電阻器的壓降超過(guò)了半橋轉(zhuǎn)換器上MOSFET的閾值電壓，就會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通，即米勒效應(yīng)。此時(shí)，反向恢復(fù)能量（Err
2019-07-09 04:20:19
面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性的不同首先，反向恢復(fù)或恢復(fù)是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時(shí)，無(wú)法立即完全關(guān)斷，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
【實(shí)例分析】抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中，存在反向恢復(fù)現(xiàn)象。這會(huì)引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
，在結(jié)構(gòu)上有的采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)，可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的正向壓降。它從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)，前者的反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)．后者則在100ns以下，大大提高了電源的效率
通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
什么是反向恢復(fù)過(guò)程？二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過(guò)程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開(kāi)關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開(kāi)關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
，存儲(chǔ)的電荷越多，耗盡時(shí)間越長(zhǎng)，反向恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng)。3、半導(dǎo)體材料的載流子復(fù)合效率越低，壽命越長(zhǎng)，電荷耗盡時(shí)間越長(zhǎng)，反向恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng)。前期回顧：二極管擴(kuò)散電容和勢(shì)壘電容
2021-10-18 10:28:06
存在反向恢復(fù)電流?？梢钥紤]降低電源二極管的最大額定電流，使用尺寸更小的二極管。電源更緊湊，功率密度更高，可以提高開(kāi)關(guān)頻率，功耗更低。SiC技術(shù)之所以能夠提供這些優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)樵谡?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通器件，不會(huì)累積反向恢復(fù)電荷。缺點(diǎn)是價(jià)格比較高。原作者：蝸牛 硬件筆記本
2023-02-15 14:24:47
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
有助于提高效率。另一方面需注意電感的ESR，ESR過(guò)大會(huì)降低效率。 4 過(guò)溫保護(hù) :芯片內(nèi)部集成過(guò)溫保護(hù)，當(dāng)芯片溫度高過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)（典型值為 150 度）時(shí)，系統(tǒng)會(huì)關(guān)斷功率管，從而限制輸入功率，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。十 ESOP8 封裝參數(shù)圖
2019-09-30 11:17:15
的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導(dǎo)通電阻比高邊 MOSFET的低，這會(huì)導(dǎo)致焊盤區(qū)的大小不一致。事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓
2013-12-23 11:55:35
的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)
2019-04-04 06:30:00
。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓器IC具有低的高側(cè)導(dǎo)通電阻和低側(cè)導(dǎo)通電阻以及大負(fù)載輸出電流能力。該芯片高側(cè)和低側(cè)導(dǎo)通電阻值典型值均為0.35Ω，輸出電流范圍為-1.0A到1.0A。它的輸入電壓范圍為2.7V至
2019-04-28 05:31:27
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
?！ ∽詈螅cIGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時(shí)更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)。 3 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開(kāi)關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
：8A/72nS=55A/uS二極管反向恢復(fù)時(shí)間：44nS反向電壓：400V二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電流：0.5A二極管反向恢復(fù)時(shí)間：150nS二極管實(shí)測(cè)的性能優(yōu)于器件標(biāo)稱參數(shù)，性能不錯(cuò)！七：測(cè)量國(guó)產(chǎn)某個(gè)廠家
2015-03-05 09:30:50
出現(xiàn)電壓過(guò)沖，如圖4所示?！ D3：具有分立MOSFET的相節(jié)點(diǎn)電壓振鈴和電壓過(guò)沖 圖4：帶有電源模塊的清潔相位節(jié)點(diǎn)切換波形 低PCB損耗，PCB寄生電阻降低 功率塊有助于減少PCB中高電流
2018-10-19 16:35:33
時(shí)也不會(huì)出現(xiàn)電壓過(guò)沖，如圖4所示。 圖3：具有分立MOSFET的相節(jié)點(diǎn)電壓振鈴和電壓過(guò)沖 圖4：帶有電源模塊的清潔相位節(jié)點(diǎn)切換波形 低PCB損耗，PCB寄生電阻降低功率塊有助于減少PCB中高電流承載
2018-07-18 16:30:55
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
的頻率下操作，也就可以使用較小的電感器及電容器，同時(shí)可以提升電源供應(yīng)器的效率。小體積的肖特基二極管可工作在50GHz的頻率，因此是RF偵測(cè)器及mixer中的重要零件。</div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間`
2018-11-02 11:54:12
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
/252T屬性參數(shù)值商品目錄場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)[/td]類型N溝道漏源電壓(Vdss)650V連續(xù)漏極電流(Id)4A功率(Pd)50W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2A
2021-09-09 15:47:31
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開(kāi)關(guān)
2018-09-03 15:17:37
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
的課題。而超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個(gè)垂直PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，可保持耐壓的同時(shí)降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)與柵極電荷量Qg。另外，內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復(fù)時(shí)間trr是作為晶體管的關(guān)斷開(kāi)關(guān)特性的探討項(xiàng)目
2018-11-28 14:28:53
區(qū)產(chǎn)生N型導(dǎo)電溝道，同時(shí)，源極區(qū)的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面
2018-10-17 16:43:26
提高電源可靠性的關(guān)鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應(yīng)力，這主要是輸入電壓和所需功率的函數(shù)。不過(guò)，您可選擇有助于減輕這些應(yīng)力的拓?fù)?。同樣，雖然熱應(yīng)力是額定功率的函數(shù)，但電源效率也起著重要作用。因此
2019-05-22 06:30:00
較低的反向恢復(fù)電荷（Q RR ）和更穩(wěn)定的溫度導(dǎo)通電阻（R DS（開(kāi)啟） ），可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)速度。MOSFET在米勒高原停留的時(shí)間越短，功率損耗和自發(fā)熱就越低。TI 的UCC5870-Q1
2022-11-02 12:02:05
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高?！ ?nèi)建橫向電場(chǎng)MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:09
39 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 日前，東芝開(kāi)發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復(fù)特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會(huì)上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復(fù)時(shí)間。
2013-05-20 11:40:33885 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 本文重點(diǎn)介紹在調(diào)試FPGA系統(tǒng)時(shí)遇到的問(wèn)題及有助于提高調(diào)試效率的技術(shù)，針對(duì)Altera和Xilinx的FPGA調(diào)試提供了最新的方法和工具。
2018-11-28 08:43:002094 
有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此
2021-11-10 09:40:225677 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:041664 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲(chǔ)電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動(dòng)的時(shí)間稱為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開(kāi)始在24V至5V/4A電源轉(zhuǎn)換器中測(cè)量反向恢復(fù)。
2023-04-15 09:15:122505 
” 。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路 [1] 等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
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