硅MOSFET功率晶體管多年來(lái)一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)
2018-08-30 15:28:30
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
? 01晶體管測(cè)量模塊在 淘寶購(gòu)買(mǎi)到的晶體管測(cè)試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測(cè)試線(xiàn)是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管低頻電壓放大電路:實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.加深理解放大電路的工作原理； 2.掌握放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)整和測(cè)量方法； 3.學(xué)會(huì)測(cè)量電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及頻率特性。 實(shí)驗(yàn)原理&
2009-09-08 08:54:00
"。功率計(jì)算的積分公式計(jì)算基于電流I和電壓V的a-b間的積分功率導(dǎo)通電阻元件溫度計(jì)算方法什么是晶體管？目錄晶體管?由來(lái)概略晶體管數(shù)字晶體管的原理MOSFET特性導(dǎo)通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計(jì)算方法負(fù)載開(kāi)關(guān)常見(jiàn)問(wèn)題
2019-04-15 06:20:06
什么是電阻測(cè)量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
用。基極電壓源通過(guò)電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開(kāi)關(guān)工作，需要提供一個(gè)電壓源，并將其通過(guò)電阻與基極相連接。如果要使開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，基極電壓源通過(guò)電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導(dǎo)
2017-03-28 15:54:24
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管放大器設(shè)計(jì)掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法、放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響及放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。[重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn)：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設(shè)置
2009-03-20 10:02:58
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過(guò)一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或導(dǎo)通/關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱(chēng)為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒(méi)有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱(chēng)為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒(méi)有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說(shuō)表達(dá)順序反了，不過(guò)近年來(lái)，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
對(duì)于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會(huì)有兩個(gè)分壓電阻，用來(lái)控制給基極一個(gè)合適的電平，保證晶體管的基極能導(dǎo)通，這兩個(gè)分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級(jí)別的阻值，原因是什么？ 理論依據(jù)是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話(huà)研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線(xiàn)金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
GaN設(shè)備的一個(gè)不太明顯的優(yōu)勢(shì)就是，能夠?qū)崿F(xiàn)給定RF功率水平，可能是4 W。晶體管尺寸將會(huì)更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的每級(jí)增益。這將帶來(lái)更少的設(shè)計(jì)級(jí)，最終實(shí)現(xiàn)更高效率。這些級(jí)聯(lián)放大器技術(shù)的挑戰(zhàn)在于，在不顯著降低
2018-10-17 10:35:37
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實(shí)現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對(duì)大信號(hào)RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測(cè)試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGN2856S40產(chǎn)品名稱(chēng)：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測(cè)試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng)，即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿(mǎn)足客戶(hù)最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
、發(fā)射極和集電極。為了識(shí)別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對(duì)端子必須在兩個(gè)方向上測(cè)試電阻值，總共進(jìn)行六次測(cè)試。這種方法對(duì)于快速識(shí)別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對(duì)終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
是降低電子導(dǎo)帶的一種有效方法。我們?cè)谶@方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了離子注入技術(shù)以形成高摻雜的AlGaN/GaN區(qū)域，并在GaN晶體管中實(shí)現(xiàn)了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開(kāi)發(fā)出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻
2023-02-21 16:01:16
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱(chēng)為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類(lèi)型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
電流，進(jìn)而改變流過(guò)給定晶體管的集電極電流?！ ∪绻覀冞_(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開(kāi)關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
8.04Vpp的最大輸出擺幅。這使得CMOS驅(qū)動(dòng)器能夠直接連接并驅(qū)動(dòng)LDMOS和GaN等功率晶體管。該驅(qū)動(dòng)器的最大導(dǎo)通電阻為4.6Ω。2.4GHz時(shí)所測(cè)量的占空比控制范圍為30.7%到71.5%。采用通過(guò)
2019-07-31 06:07:48
還可以分別測(cè)量兩個(gè)PN結(jié)的正向電阻。正向電阻較大的一個(gè)是發(fā)射極，另一個(gè)是集電極?！ V 達(dá)林頓 T檢測(cè)方法 1. 普通達(dá)林頓晶體管的檢測(cè) 在普通達(dá)林頓晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)或多個(gè)晶體管集電極
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響此前的傳遞函數(shù)推導(dǎo)中，并沒(méi)有考慮過(guò)開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)晶體管）導(dǎo)通電阻的影響。但是眾所周知，實(shí)際上是肯定存在開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻的，而且對(duì)實(shí)際運(yùn)行也是有影響的。所以本次將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
1、使用加速電容在基極限流
電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流
電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在
晶體管由
導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子（因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開(kāi)關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)硅MOSFET產(chǎn)品。 GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開(kāi)關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿(mǎn)足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此，開(kāi)始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級(jí)GaN IC的框圖和實(shí)際芯片照片。將這種單片集成電路的實(shí)驗(yàn)測(cè)量效率（如圖8所示）與使用具有相同導(dǎo)通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進(jìn)行比較，并由uPI半導(dǎo)體uP1966
2023-02-24 15:15:04
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
。在這次活動(dòng)中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強(qiáng)氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強(qiáng)型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
設(shè)計(jì)工程師可以考慮的選項(xiàng)之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時(shí)，也帶來(lái)了電路設(shè)計(jì)層面的挑戰(zhàn)?！ 〔⒙?lián)晶體管的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) 在應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)時(shí)，首先需要考慮的是并聯(lián)晶體管的通態(tài)電阻
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
“ OFF”，從而允許它用于各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它也可以驅(qū)動(dòng)在其線(xiàn)性有源區(qū)用于功率放大器。由于其較低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗，以及在高頻段切換高電壓而不損壞的能力，使得絕緣柵雙極性晶體管成為驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的理想選擇，如
2022-04-29 10:55:25
，重要的特性——低導(dǎo)通電阻、柵極電荷量與耐壓在本質(zhì)上存在權(quán)衡取舍的關(guān)系。在功率元器件中有成為單元的晶體管，將多個(gè)單元晶體管并聯(lián)可獲得低導(dǎo)通電阻。但這種做法需要同時(shí)并聯(lián)寄生于晶體管的電容，導(dǎo)致柵極電荷量
2019-07-08 06:09:02
進(jìn)一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測(cè)量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
，其實(shí)是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓維持在0.6V左右。Q3的導(dǎo)通真的消除了Q2的基極激勵(lì)了嗎？好像并沒(méi)有，對(duì)不對(duì)?！這個(gè)“過(guò)流”保護(hù)電路的關(guān)鍵就是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓，為了簡(jiǎn)單分析
2016-06-03 18:29:59
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì)
2019-04-02 11:32:36
，充電電壓接近VCC。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，C再經(jīng)過(guò)電阻R放電。通過(guò)RCD阻尼電路吸收了一定的功率，從而減輕了開(kāi)關(guān)管的負(fù)擔(dān)。充放電型RCD吸收電路損耗較大，不太適合較高頻率場(chǎng)合下的應(yīng)用。 4、放電阻塞型RCD
2020-11-26 17:26:39
MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET的結(jié)構(gòu) 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖1所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率mos管相同
2023-02-27 11:52:38
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）?！?因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場(chǎng)要求。
2013-06-09 10:18:37
1842 當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您的測(cè)量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的最佳實(shí)踐方法。
2017-04-18 12:34:042857 
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 DC/DC轉(zhuǎn)換器功率降額規(guī)范中的挑戰(zhàn)和替代方法
2023-11-23 09:08:06209 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論