晶體管的輸出特性曲線中有四個(gè)區(qū):飽和區(qū),線性區(qū),截止區(qū)和雪崩區(qū).晶體管在前三個(gè)區(qū)的工作狀態(tài)在許多電路中
2010-11-13 17:16:38
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前段時(shí)間我們學(xué)習(xí)了三極管的工作原理，今天我們來(lái)學(xué)習(xí)三極管的輸入、輸出特性，但不少人看到三極管輸入、輸出特性曲線都會(huì)一臉蒙圈，不知如何分析，為了便于理解我們以共射NPN型晶體管放大電路為例，具體講述三極管的輸入、輸出特性曲線。
2023-02-22 14:02:2320040 
TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:451724 
輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
2023-12-01 14:13:131564 
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53513 
晶體三極管輸出特性分為三個(gè)區(qū)分別是什么？電動(dòng)勢(shì)存在哪里？單相整流電路負(fù)載上到的電壓是什么？
2021-09-24 06:07:04
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
Ω左右小 500KΩ-5MΩ大 三、圖解法所謂圖解法，就是利用晶體管輸入和輸出的特性曲線，通過(guò)作圖來(lái)分析放大器性能的方法，圖解法能直觀和全面地表明三極管放大的工作過(guò)程，并能計(jì)算放大器的某些性能指標(biāo)，現(xiàn)舉例
2021-06-02 06:14:09
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
? 01晶體管測(cè)量模塊在 淘寶購(gòu)買到的晶體管測(cè)試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測(cè)試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號(hào)的高反壓大功率開(kāi)關(guān)晶體管。 6．達(dá)林頓管的選用達(dá)林頓管廣泛應(yīng)用于音頻功率輸出、開(kāi)關(guān)控制、電源調(diào)整、繼電器驅(qū)動(dòng)、高增益放大等電路中。 繼電器驅(qū)動(dòng)電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個(gè)工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：達(dá)林頓晶體管陣列 驅(qū)動(dòng)電路 ULN2003 ULN2000系列 ULN2800系列功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,以便于驅(qū)動(dòng)各種類型的負(fù)載。功率驅(qū)動(dòng)電路是功率電子設(shè)備輸出電路
2011-05-31 13:46:55
達(dá)林頓」連接，是使用NPN與PNP晶體管相互串接達(dá)成達(dá)林頓的特性?！ ⊥瑯O型達(dá)林頓管 異極型達(dá)林頓管典型應(yīng)用1、用于大功率開(kāi)關(guān)電路、電機(jī)調(diào)速、逆變電路?！ ?、驅(qū)動(dòng)小型繼電器 利用CMOS電路
2019-08-06 11:02:53
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問(wèn)下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫(kù)里沒(méi)找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥(niǎo)了，請(qǐng)見(jiàn)諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
概述：M54585FP是三菱半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達(dá)林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它為20腳封裝。
2021-05-19 07:59:41
M54585P是三菱半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達(dá)林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它分別雙列18腳和20腳封裝。
2021-04-22 07:40:27
MOS晶體管等效電路的電學(xué)特性的的PSPICE仿真該如何去做？、有啥思路？[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
目標(biāo)：設(shè)計(jì)一共射極直流增益β>150的NPN雙極型晶體管，并分析其輸入特性和輸出特性。1）MDRAW工具設(shè)計(jì)一個(gè)雙極型晶體管（平面工藝）；2）在MDRAW下對(duì)器件必要的位置進(jìn)行網(wǎng)格加密；3
2014-05-26 19:51:59
，因?yàn)殡娏鞅仨氹x開(kāi)基極。通常，PNP晶體管可以替代大多數(shù)電子電路中的NPN晶體管;主要區(qū)別在于電壓和電流流向的極性。七、PNP晶體管電路PNP 晶體管的輸出特性曲線與等效的 NPN 晶體管的輸出特性曲線
2023-02-03 09:44:48
的高電壓輸出特性和陰極箝位二極管可以轉(zhuǎn)換感應(yīng)負(fù)載。單個(gè)達(dá)林頓對(duì)的集電極電流是500mA。達(dá)林頓管并聯(lián)可以承受更大的電流。 2003的每對(duì)達(dá)林頓管都有一個(gè)2.7k?串聯(lián)電阻，可以直接和TTL或5V
2010-10-27 10:20:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
用multisim仿真高頻振蕩器，晶體管集電極輸出為12v,哪位高手幫我看看
2019-01-14 22:50:32
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管等?！?函數(shù)和用法根據(jù)功能和用途，晶體管可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高背壓晶體管、帶阻晶體管、阻尼晶體管、微波晶體管、光學(xué)晶體管和磁性晶體管等多種
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測(cè)量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過(guò)檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來(lái)確定的。通過(guò)按下移動(dòng)設(shè)備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點(diǎn)是什么？ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用？怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個(gè)或多個(gè)晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動(dòng)管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個(gè)或多個(gè)晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動(dòng)管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-25 11:27:53
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn)，主要分為兩種：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET)。對(duì)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路，它從輸出晶體管器件開(kāi)始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。
2014-09-22 17:14:04
還可以分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)PN結(jié)的正向電阻。正向電阻較大的一個(gè)是發(fā)射極，另一個(gè)是集電極?！ V 達(dá)林頓 T檢測(cè)方法 1. 普通達(dá)林頓晶體管的檢測(cè) 在普通達(dá)林頓晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)或多個(gè)晶體管集電極
2023-02-14 18:04:16
晶體管 高電壓、放大 (Comp.to MPSA43) [73KB]中、大功率管2N3055 NPN- 功率放大. (Comp. to MJE2955)2N6283 達(dá)林頓管, NPN-功率放大
2021-05-25 06:28:22
特性 NPN 晶體管可能具有公共基極 （CB） 或共發(fā)射極 （CE） 配置，每種配置都有自己獨(dú)特的輸入和輸出。在常見(jiàn)的發(fā)射極設(shè)置中，從基極（V是） 和收集器 （V菲爾.A 電壓 VE然后離開(kāi)發(fā)射極并進(jìn)
2023-02-17 18:07:22
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測(cè)定方法測(cè)定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
跟著導(dǎo)通， C4 迅速放電，一個(gè)循環(huán)結(jié)束，下一個(gè)循環(huán)周期接著開(kāi)始。在一個(gè)循環(huán)過(guò)程中，C4每充電一次，VT2 的發(fā)射極電壓下降一級(jí)，這樣就在R4 的輸出端形成階梯波，這一階梯波被加在晶體管的基極。
2008-07-25 13:34:04
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時(shí)，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開(kāi)通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過(guò)程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號(hào)注意，它的三個(gè)電極分別為門極G、集電極C、發(fā)射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實(shí)際上，它相當(dāng)于把MOS管和達(dá)林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
晶體管晶體管的輸出特性，但是像金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET 一樣被控制。IGBT 晶體管的主要優(yōu)點(diǎn)之一是簡(jiǎn)單，通過(guò)施加一個(gè)正的柵極電壓可以驅(qū)動(dòng)“ ON”，或者通過(guò)使柵極信號(hào)為零或略為負(fù)來(lái)開(kāi)關(guān)
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
晶體管中，輸入回路負(fù)載線與輸入特性曲線的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
`如圖所示，使用STM32輸出通過(guò)光耦驅(qū)動(dòng)晶體管陣列MC1413(同ULN2003)，但是輸出端測(cè)不到，求指教電路是否合適，謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
ULN2803概述ULN2803，采用AP=DIP18,AFW=SOL18封裝方式。八路NPN達(dá)林頓連接晶體管陣系列特別適用于低邏輯電平數(shù)字電路（諸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS）和較高
2013-06-21 15:18:01
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
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三極管的輸出特性
當(dāng)ＩＢ不變時(shí), 輸出回路中的電流ＩＣ與電壓ＵＣＥ之間的關(guān)系曲線稱為輸出特性, 即
2008-07-14 10:51:2210569
JFET與晶體管混合的達(dá)林頓電路圖
2009-08-08 16:35:251018 
晶體管的達(dá)林頓鏈接電路圖
2009-08-15 17:24:093008 
達(dá)林頓晶體管,達(dá)林頓晶體管是什么意思
達(dá)林頓管(Darlington Transistor)又稱復(fù)合管。它采用復(fù)合連接方式,將二只三極管適當(dāng)?shù)倪B接在一起，以組成
2010-03-05 10:50:163525 以其發(fā)明者Sidney Darlington命名的達(dá)林頓晶體管連接在一起的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)NPN或PNP雙極結(jié)型晶體管（BJT）的排列。一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到另一個(gè)晶體管的基極，以產(chǎn)生更靈敏的晶體管
2019-06-25 10:38:419439 
ULN2003是一個(gè)單片高電壓、高電流的達(dá)林頓晶體管陣列集成電路。它是由7對(duì)NPN達(dá)林頓管組成的，它的高電壓輸出特性和陰極箝位二極管可以轉(zhuǎn)換感應(yīng)負(fù)載。單個(gè)達(dá)林頓對(duì)的集電極電流是500mA。達(dá)林頓
2019-08-08 17:54:3120 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46
2023-02-07 19:26:110 NPN達(dá)林頓晶體管-BCV47
2023-02-08 18:59:160 PNP 達(dá)林頓晶體管-BCV46-Q
2023-02-09 21:22:550 NPN達(dá)林頓晶體管-BCV47-Q
2023-02-15 18:39:410 電流增益是晶體管最重要的特性，用hFE表示。當(dāng)達(dá)林頓晶體管導(dǎo)通時(shí)，電流通過(guò)負(fù)載提供給電路：負(fù)載電流=i/p電流X晶體管增益
2023-02-19 16:18:411816 
達(dá)林頓晶體管，這是一種高增益的雙極型功率晶體管，其實(shí)質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達(dá)林頓或超a對(duì)（darlington pair或Pmultip丨丨er ），復(fù)合對(duì)中一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到下一
2023-02-19 16:30:014444 
NPN達(dá)林頓晶體管-BCV27
2023-02-20 19:41:580 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP51
2023-02-21 19:17:060 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP50
2023-02-21 19:25:000 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP62
2023-02-21 19:30:450 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP61
2023-02-21 19:31:000 PNP 達(dá)林頓晶體管-BSP60
2023-02-21 19:31:130 NPN達(dá)林頓晶體管-BSP52
2023-02-23 18:55:330 達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:49747 
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