TIP122是一個 達林頓對 NPN 晶體管 ，由一對達林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:45
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達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53513 
8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結溫。圖2. 進度表
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計算的積分公式使晶體管工作會產(chǎn)生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開關電路，試計算當5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管開關電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅(qū)動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態(tài)工作點。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內(nèi)部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關晶體管。 6．達林頓管的選用達林頓管廣泛應用于音頻功率輸出、開關控制、電源調(diào)整、繼電器驅(qū)動、高增益放大等電路中。 繼電器驅(qū)動電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結溫。圖2. 進度表
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
ULN2000、ULN2800是高壓大電流達林頓晶體管陣列系列產(chǎn)品,具有電流增益高、工作電壓高、溫度范圍寬、帶負載能力強等特點
2011-05-31 13:46:55
?！ NP+NPN的接法與此類同?！ ∪缦聢D所示，兩級放大器元件同為NPN型晶體管，將前級晶體管的射極電流直接引入下一級的基極，當作下級的輸入?！竿瑯O型達林頓」連接,是使用相同類型的晶體管.而「異極型
2019-08-06 11:02:53
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應用。住友電工嚴格
2021-03-30 11:21:24
概述：M54585FP是三菱半導體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它為20腳封裝。
2021-05-19 07:59:41
M54585P是三菱半導體公司生產(chǎn)的一款8 UNIT 500毫安的達林頓晶體管陣列與鉗位二極管。它分別雙列18腳和20腳封裝。
2021-04-22 07:40:27
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
電流。為了使基極電流在 PNP 晶體管中流動，基極必須比發(fā)射極（電流必須離開基極）更負，對于硅器件大約 0.7 伏，對于鍺器件，基極電流和集電極電流的負值約為0.3 伏，用于計算基極電阻、基極電流或
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
2003 音頻IC可替換型號：ULN2003 UF2003 QL2003 VTSR2003概述與特點 2003是一個單片高電壓、高電流的達林頓晶體管陣列集成電路。它是由7對NPN達林頓管組成的，它
2010-10-27 10:20:32
了功率晶體管的性能。如 (1)開關晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術上的簡化， (3)晶體管的復合——達林頓， (4)用于大功率開關的基極驅(qū)動技術的進步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
作放大器來提供增益。一旦您需要額外的增益，那么這些晶體管就會像放大器一樣發(fā)揮更好的作用。
功率晶體管
這些晶體管適用于使用大量功率的情況。該晶體管的集電極端子與金屬基極端子相連，因此它就像散熱器一樣可以
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現(xiàn)這一點，這導致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
10K 1LED 1JST 連接器 01x02 1測試點 1電路說明：請注意，該電路是使用 KiCAD EDA 設計的。兩個晶體管相互連接以充當達林頓對。晶體管Q1首先放大增益，然后進一步放大并由
2022-08-30 07:23:58
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點是什么？ULN2003達林頓晶體管集成電路有哪些應用？怎樣去設計一種ULN2003達林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
的典型結構，其結構和符號如圖1所示。這種結構的優(yōu)點是結面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結構及符號圖2、達林頓GTR結構(a
2018-01-15 11:59:52
的典型結構，其結構和符號如圖1所示。這種結構的優(yōu)點是結面積較大，電流分布均勻，易于提高耐壓和耗散熱量；缺點是電流增益較低，一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結構及符號圖2、達林頓GTR結構(a
2018-01-25 11:27:53
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
多種多樣。（六）按功能和用途分類晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏
2012-07-11 11:36:52
必須將基端子接地，如圖6所示?！ D6.PNP晶體管的開關電路 用于計算集電極電流、基極電阻和電壓的PNP晶體管方程與NPN計算中使用的公式相同。區(qū)別在于開關電流。對于PNP，開關電流是源電流
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
還可以分別測量兩個PN結的正向電阻。正向電阻較大的一個是發(fā)射極，另一個是集電極?！ V 達林頓 T檢測方法 1. 普通達林頓晶體管的檢測 在普通達林頓晶體管的內(nèi)部結構中，兩個或多個晶體管集電極
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管 高電壓、放大 (Comp.to MPSA43) [73KB]中、大功率管2N3055 NPN- 功率放大. (Comp. to MJE2955)2N6283 達林頓管, NPN-功率放大
2021-05-25 06:28:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
下面的關系式?！鰯?shù)字晶體管直流電流增益率的關系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
直流電流增益率的關系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發(fā)明晶體管的消息?！耙皇て鹎永恕?，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
ULN2803概述ULN2803，采用AP=DIP18,AFW=SOL18封裝方式。八路NPN達林頓連接晶體管陣系列特別適用于低邏輯電平數(shù)字電路（諸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS）和較高
2013-06-21 15:18:01
JFET與晶體管混合的達林頓電路圖
2009-08-08 16:35:251018 
采用達林頓晶體管的電燈開關電路圖
2009-08-15 17:12:112496 
晶體管的達林頓鏈接電路圖
2009-08-15 17:24:093008 
達林頓晶體管,達林頓晶體管是什么意思
達林頓管(Darlington Transistor)又稱復合管。它采用復合連接方式,將二只三極管適當?shù)倪B接在一起，以組成
2010-03-05 10:50:163525 ，其電流增益大得多，可用于需要電流放大或開關的應用。達林頓晶體管可以由兩個單獨連接的雙極晶體管或單個封裝的單個器件制成，標準配置為：基極，發(fā)射極和集電極連接引線，可提供多種外殼類型和電壓（和電流） NPN和PNP版本的評級。
2019-06-25 10:38:419439 
以其發(fā)明者Sidney Darlington命名的達林頓晶體管連接在一起的兩個標準NPN或PNP雙極結型晶體管（BJT）的排列。一個晶體管的發(fā)射極連接到另一個晶體管的基極，以產(chǎn)生更靈敏的晶體管，其電流增益大得多，可用于需要電流放大或開關的應用。
2020-08-04 08:00:00
0 PNP 達林頓晶體管-BCV46
2023-02-07 19:26:110 PNP 達林頓晶體管-BCV26_BCV46
2023-02-08 18:44:270 NPN達林頓晶體管-BCV47
2023-02-08 18:59:160 PNP 達林頓晶體管-BCV46-Q
2023-02-09 21:22:550 NPN達林頓晶體管-BCV47-Q
2023-02-15 18:39:410 達林頓晶體管，這是一種高增益的雙極型功率晶體管，其實質(zhì)是由兩只或更多晶體管復合組成的達林頓或超a對（darlington pair或Pmultip丨丨er ），復合對中一個晶體管的發(fā)射極連接到下一
2023-02-19 16:30:014444 
NPN達林頓晶體管-BCV27
2023-02-20 19:41:580 NPN達林頓晶體管-BSP51
2023-02-21 19:17:060 NPN達林頓晶體管-BSP50
2023-02-21 19:25:000 PNP 達林頓晶體管-BSP62
2023-02-21 19:30:450 PNP 達林頓晶體管-BSP61
2023-02-21 19:31:000 PNP 達林頓晶體管-BSP60
2023-02-21 19:31:130 NPN達林頓晶體管-BSP52
2023-02-23 18:55:330 達林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對雙極晶體管結型晶體管（BJT），設計用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細信息。
2023-06-29 10:06:49747 
達林頓晶體管除常用于步進電機驅(qū)動器外，還可以用于什么？ 達林頓晶體管是一種強大的電子元件，因其高增益和低輸入電阻而受到廣泛的應用。除了步進電機驅(qū)動器，它還可以用于許多其他應用。在本文中，我們將探討
2023-10-23 09:22:28452 許多達林頓陣列也可用，其中多個達林頓晶體管對包含在同一個封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因為它們通常用于驅(qū)動顯示器等。這使得達林頓晶體管對非常易于使用，并可集成到新的電子電路設計中。
2024-01-09 15:30:41243 
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