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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>英飛凌會去美國建SiC廠嗎?

英飛凌會去美國建SiC廠嗎?

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2020-05-09 15:07:504268

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已成為半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)突破的關(guān)鍵環(huán)節(jié)

全球SiC的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司占據(jù)了全球SiC市場約70%的份額,其中科銳、羅姆實現(xiàn)了從SiC襯底、外延、設(shè)計、器件及模塊制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。
2020-09-26 10:14:562013

臺積電將在美國建設(shè)5nm晶圓廠,計劃2024年量產(chǎn)

作為全球半導(dǎo)體技術(shù)最先進的國家,美國本土最新工藝還是14nm,已經(jīng)落后于臺積電了。今年5月份臺積電宣布在美國建設(shè)5nm晶圓廠,總投資120億美元,現(xiàn)在已經(jīng)開始啟動招聘了。
2020-11-04 10:00:111432

臺積電赴美國建5nm廠各項規(guī)劃已逐漸清晰

據(jù)臺媒報道,臺積電赴美國建 5nm 廠各項規(guī)劃已逐漸清晰。 臺積電規(guī)劃明年二月動工,2023 年正式裝機試產(chǎn) 5nm、2024 年量產(chǎn)。臺積電敲定中科廠十五 A 廠長林廷皇及技術(shù)處資深處長吳怡璜二大
2020-11-11 17:42:241317

英飛凌簽約GT Advanced Technologies,擴大碳化硅供應(yīng)

英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。
2020-11-13 11:48:48992

車廠逐漸導(dǎo)入,SiC晶圓供不應(yīng)求

近日,英飛凌與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無疑是看到了SiC廣闊的市場規(guī)模,據(jù)Yole預(yù)測,SiC
2020-12-29 16:12:162786

臺積電去日本投資,或影響其美國建廠?

臺積電最近興高采烈,因為業(yè)績太好了,利潤破紀(jì)錄,與此同時,臺積電正考慮在日本建芯片研發(fā)基地,業(yè)界推測這是為后續(xù)建工廠做準(zhǔn)備??墒?,臺積電之前一再談要去美國建芯片工廠,難道臺積電要同時在美國、日本建芯片廠?這無疑引發(fā)了業(yè)內(nèi)高度關(guān)注。
2021-01-11 13:59:141763

臺積電美國建5nm工廠基建成本高6倍

2020年5月15日,之前一直否認(rèn)去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠,生產(chǎn)5nm工藝。 臺積電表示,此座將設(shè)立于亞利桑那州的廠房將采用臺積公司的5nm制程技術(shù)生產(chǎn)
2021-02-24 11:09:391450

臺積電在美國建晶圓代工廠成本高達6倍

2020年5月15日,之前一直否認(rèn)去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠,生產(chǎn)5nm工藝。
2021-02-24 12:03:011855

臺積電將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠

2020年5月15日,之前一直否認(rèn)去美國建廠的臺積電突然宣布,將投資120億美元在美國建設(shè)晶圓代工廠,生產(chǎn)5nm工藝。
2021-02-24 12:01:251753

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687

英飛凌與Stellantis就SiC芯片長期供貨簽署諒解備忘錄

即將開展為期多年的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體供應(yīng)合作。英飛凌將預(yù)留產(chǎn)能,并在2025年至2030年間向Stellantis的一級Tier 1供應(yīng)商提供CoolSiC?裸片。此次協(xié)議潛在的采購量和產(chǎn)能儲備
2022-12-27 10:30:58333

未來五到十年供應(yīng)都會緊缺?國產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎?

當(dāng)前從目前的供應(yīng)情況來看,車規(guī)級SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應(yīng),供不應(yīng)求現(xiàn)象較為嚴(yán)重。另一方面來說,國內(nèi)也有不少SiC器件廠商推出了車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品
2023-01-30 16:18:27545

英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

【 2023 年 02 月 09 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體
2023-02-09 17:51:29535

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479

英飛凌SiC芯片嵌入PCB提高效率

英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作,將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB),以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518

SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎?

眾所周知,“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒T诠杌a(chǎn)品時代,英飛凌的溝槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代,市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞,而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”,就不會干別的了嗎?非也。因為SiC材料獨有的特性,Si
2023-01-12 14:34:01630

英飛凌SiC MOS需要負壓嗎

IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT
2023-07-31 17:30:06847

追加400億!英飛凌又要擴產(chǎn)了!

據(jù)“行家說三代半”此前報道,2022年2月,英飛凌宣布將投資超過20億歐元(合計約144億人民幣)擴大SiC 和 GaN半導(dǎo)體的產(chǎn)能,他們將在其馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)。
2023-08-04 14:59:26517

英飛凌將在馬來西亞建新廠,與意法正面硬鋼

8月11日報導(dǎo)顯示,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域競爭升級,英飛凌(Infineon)宣布將在馬來西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠,為長期合約訂單背書,此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸
2023-08-11 16:16:47341

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687

SiC產(chǎn)業(yè)鏈與SiC戰(zhàn)略初探

。從Wolfspeed 計劃在德國建設(shè)全球最大的 SiC 工廠,到三菱計劃在日本建設(shè)8 英寸 SiC 晶圓廠,這些項目不僅涉及氣候變化,還涉及緩和全球緊張局勢和保障芯片供應(yīng)。 我們在美國政府為其國內(nèi)芯片制造提供的 527 億美元補貼計劃中看到了這一點,作為其“芯
2023-10-16 18:38:22406

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英飛凌已經(jīng)從6家原始設(shè)備制造商(OEMs)和5家主要客戶那里獲得了總計約50億歐元的設(shè)計勝利。
2023-11-27 10:25:06183

英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部:做更可靠的SiC解決方案提供商

,GreenIndustrialPower)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關(guān)鍵產(chǎn)品,一直以來英飛凌SiC產(chǎn)品在多個關(guān)鍵應(yīng)用市場推進付出了諸多
2024-01-10 08:13:51152

20+個汽車設(shè)計定點!該SiC企業(yè)再簽供應(yīng)商

2023年5月,英飛凌與天科合達簽訂了長期協(xié)議,以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應(yīng)。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底,同時還將提供8英寸碳化硅材料,助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:33388

英飛凌與碳化硅供應(yīng)商SK Siltron CSS達成協(xié)議

英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228

英飛凌再添一家SiC晶圓供應(yīng)商

近日,英飛凌SiC晶圓供應(yīng)商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。
2024-01-19 10:00:07218

英飛凌與Wolfspeed擴大并延長晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技(Infineon Technologies)與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布,雙方將擴大并延長現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系,以滿足市場對碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52441

英飛凌與Wolfspeed延長硅碳化(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌技術(shù)公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產(chǎn)碳化硅(SiC)材料和功率半導(dǎo)體器件的制造商 — 已經(jīng)擴大并延長了他們的現(xiàn)有長期150毫米碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)
2024-01-30 17:06:00180

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00382

英飛凌聯(lián)手安克創(chuàng)新與盛弘電氣,加速SiC與GaN技術(shù)應(yīng)用

近期,英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作,共同推動SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能,為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和價值。
2024-02-02 15:06:34304

英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134

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