GaN FET：提供AEC-Q101級耐用性

功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對于汽車應(yīng)用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。

Nexperia的GaN FET技術(shù)目前專注于650V的高功率應(yīng)用。包括AC/DC、PFC、OBC和DC/DC轉(zhuǎn)換，覆蓋電信、服務(wù)器、存儲、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場領(lǐng)域，該技術(shù)在這些領(lǐng)域具有高效率水平。但更重要的是，應(yīng)用還包括汽車電源轉(zhuǎn)換和牽引逆變器，因此器件需要符合AEC-Q1O1耐用性水平。

以下產(chǎn)品參數(shù)來自我們的50mΩ/650V器件(GAN063-650WSA)，但其它產(chǎn)品也具有以下的規(guī)格。

高可靠性柵極結(jié)構(gòu)(± 20 V)和高閾值電壓(4 V)為Vgs瞬態(tài)尖峰提供了安全裕量

高Vds瞬態(tài)電壓規(guī)格,可以處理高達800V的開關(guān)瞬態(tài)尖峰

-55至175°C工作溫度范圍,使其非常適合惡劣環(huán)境

極低的Vf (1.3 V @ 12 A),可實現(xiàn)類似硅Mosfet的反向續(xù)流能力,同時Qrr非常低

從上述產(chǎn)品參數(shù)可以看出，Nexperia GaN產(chǎn)品具有出色的耐用性。當(dāng)然，我們?nèi)孕柰ㄟ^重要的測試證明該耐用性符合AEC-Q101標(biāo)準。

確保GaN符合所需標(biāo)準

汽車市場的一些標(biāo)準堪稱嚴苛，Nexperia的650V GaN FET已通過AEC-Q101 Rev D級別的認證測試。為了滿足這一嚴格標(biāo)準，產(chǎn)品需要通過各種測試，包括：高溫反向偏壓(HTRB)測試、高低溫循環(huán)測試、柵極偏壓測試、偏壓和無偏壓的濕度測試、Nexperia的高溫工作壽命(HTOL)測試。最近的一份白皮書“650 V GaN FET可提供出色效率，以及AEC-Q101認證所需的耐用性”中，Nexperia展示了一些測試結(jié)果，清楚地詮釋了我們的GaN FET符合甚至超越了當(dāng)前測試標(biāo)準。

HTRB測試期間的動態(tài)Rdson測量值

強調(diào)一點，在50mΩ/650V器件GAN063-650WSA的測試中，通過AEC-Q101 Rev D認證的條件是Rds(on)的偏移不超過20%。圖1顯示了測試器件的動態(tài)RDS(on)的偏移，最大偏移小于15%。

審核編輯：郭婷