在電阻型放大電路中，如PGA,LDO等，常常會(huì)出現(xiàn)如下穩(wěn)定性問題：單獨(dú)仿真的穩(wěn)定性很好的運(yùn)放接入電阻反饋網(wǎng)絡(luò)后環(huán)路穩(wěn)定性變差很多。
2022-12-01 17:13:49
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，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
% 的峰值效率，以及 19dB 的增益。在無線基站市場，該性能使得氮化鎵可以撼動(dòng)LDMOS在基站功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位，并對(duì)基站性能和運(yùn)營成本產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵提供的顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率
2017-08-15 17:47:34
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
法蘭盤封裝形式，能夠?qū)崿F(xiàn)最好電力設(shè)備和熱穩(wěn)定性。特征7.9–8.4GHz工作80WPOUT（典型值）>13dB功率增益值33%典型線性PAE50Ω內(nèi)部搭配<0.1dB功率
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
測試通過率、問題分布、在各個(gè)測試終端上的問題分布情況。
點(diǎn)擊測試設(shè)備后的查看詳情按鈕，可以查看測試任務(wù)詳情信息，如測試截屏、資源軌跡、異常信息和日志信息。
穩(wěn)定性測試
穩(wěn)定性測試主要驗(yàn)證
2023-12-25 10:56:58
LDO穩(wěn)定性分析
2012-08-16 00:40:07
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
，3000多種產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域，2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向，與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-09-04 15:02:41
嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，干擾或者惡劣環(huán)境常影響嵌入式系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。Reset是維護(hù)系統(tǒng)穩(wěn)定的一個(gè)關(guān)鍵因素，正確地設(shè)計(jì)復(fù)位電路，巧妙地應(yīng)用復(fù)位操作，能使整個(gè)系統(tǒng)更可靠、穩(wěn)定地運(yùn)行。本文結(jié)合實(shí)際項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)分析Reset的相關(guān)應(yīng)用與設(shè)計(jì)，展示Reset對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性的重要性。?
2020-03-11 07:53:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
電源和信號(hào)，一直是業(yè)界無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)楣杵骷拈_關(guān)速度太慢，而且存在驅(qū)動(dòng)器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器，導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
帶寬更高，這一點(diǎn)很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
關(guān)于電源/負(fù)載電路組合的穩(wěn)定性分析
2021-05-11 06:22:04
請(qǐng)問這句話怎么理解：從理論上說，由波特圖得到系統(tǒng)幅頻和相頻的特性，并根據(jù)這一特性和Barkhausen 判據(jù)來判定系統(tǒng)的穩(wěn)定性是不可取的，因?yàn)锽arkhausen 判據(jù)為系統(tǒng)穩(wěn)定的必要非充分條件，即
2021-06-24 07:14:32
通過對(duì)噪聲增益及CF的研究側(cè)重探討如何實(shí)現(xiàn)電容性負(fù)載的穩(wěn)定性
2021-04-06 08:26:31
雖然在較低頻率下可以較輕松地檢查一個(gè)簡單放大器的穩(wěn)定性，但評(píng)估一個(gè)較為復(fù)雜的電路是否穩(wěn)定，難度可能會(huì)大得多。本文使用常見的Pspice宏模型結(jié)合一些簡單的電路設(shè)計(jì)技巧來提高設(shè)計(jì)工程師的設(shè)計(jì)能力，以確保其設(shè)計(jì)的實(shí)用性與穩(wěn)定性。
2019-06-26 07:22:46
如何保證二階系統(tǒng)的穩(wěn)定性？
2021-06-24 06:59:48
：示波器MSO56+5-PWR+電源探頭。第五步：環(huán)路分析和優(yōu)化穩(wěn)定的反饋環(huán)路對(duì)開關(guān)電源非常重要，本場直播為大家?guī)硐到y(tǒng)中反饋環(huán)路的作用，并詳細(xì)介紹了系統(tǒng)穩(wěn)定性的要求和系統(tǒng)在實(shí)際應(yīng)用中的性能指標(biāo)，突出
2020-11-18 06:30:50
如何實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘晶振的高穩(wěn)定性運(yùn)用？
2021-06-08 06:52:24
如何實(shí)現(xiàn)電容性負(fù)載的穩(wěn)定性？反相噪聲增益及CF和非反相噪聲增益及CF的區(qū)別在哪里？
2021-04-21 06:11:28
電感接在LB1和GND之間；怎么提高這個(gè)電路振蕩頻率的穩(wěn)定性。
2021-05-11 15:20:56
如題、如何提高lwip的穩(wěn)定性，目前用的是f107+lwip1.4.1目前系統(tǒng)運(yùn)行一段時(shí)間后lwip就掛掉啦（時(shí)間很不固定）問題；應(yīng)主要從那幾個(gè)方面來提高穩(wěn)定性，懇請(qǐng)大家指點(diǎn)一二，小弟在此不勝感激
2019-07-09 23:36:50
PHP-FPM是什么？怎么實(shí)現(xiàn)nginx與php-fpm的通信？如何提高unix socket的穩(wěn)定性？
2021-06-10 08:27:31
原子哥你好：我咨詢下您，用STM32移植LWIP的話，就你的經(jīng)驗(yàn)。穩(wěn)定性好不好？我發(fā)送大一點(diǎn)的數(shù)據(jù)包。比喻我不斷發(fā)送1500Byte左右的數(shù)據(jù)包。用tcp調(diào)試助手接收。這個(gè)通信 速率您測試過沒有呢？會(huì)不會(huì)不穩(wěn)定啊？我的目的是想用LWIP cpu是stm32 傳輸大數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)量是200KB/s。謝謝！
2019-07-12 04:36:07
在厚銅PCB的設(shè)計(jì)和制造過程中，確保電路連接穩(wěn)定性非常重要。電路連接的質(zhì)量和穩(wěn)定性直接影響到PCB的性能和可靠性，那如何確保厚銅PCB的電路連接的穩(wěn)定性呢？
2023-04-11 14:35:50
如何確保模數(shù)轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性？如何優(yōu)化模擬前端？
2021-04-20 06:47:19
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，干擾或者惡劣環(huán)境常影響嵌入式系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。Reset是維護(hù)系統(tǒng)穩(wěn)定的一個(gè)關(guān)鍵因素，正確地設(shè)計(jì)復(fù)位電路，巧妙地應(yīng)用復(fù)位操作，能使整個(gè)系統(tǒng)更可靠、穩(wěn)定地運(yùn)行
2021-12-20 07:28:27
給出。 二、Bode圖的基礎(chǔ)：由上文知我們可以通過環(huán)增益GH的頻率特性來判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性，而回路增益|GH|以及回路相位差∠GH的頻率特性可以用Bode圖(見圖2)來表示，并且系統(tǒng)的穩(wěn)定性可以通過
2018-12-24 18:35:59
SPICE是一種檢查電路潛在穩(wěn)定性問題的有用工具 。本文將介紹一種使用SPICE工具來檢查電路潛在穩(wěn)定性的簡單方法。
2021-04-06 08:10:19
按照下面的推薦步驟順序能夠解決電源/負(fù)載電路的穩(wěn)定性問題。
2021-05-11 06:42:29
控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性
2013-04-10 20:59:20
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
李雅普諾夫穩(wěn)定性理論1892年，俄國Lyapunov在《運(yùn)動(dòng)穩(wěn)定性的 一般問題》中提出了穩(wěn)定性理論主要內(nèi)容：李氏第一法（間接法）：求解特征方程 特征值李氏第二法（直接法）：利用經(jīng)驗(yàn)和技巧來構(gòu)造L函數(shù)
2009-05-26 11:50:48
esp now 和 ble mesh 哪個(gè)穩(wěn)定性更高？
2023-02-13 08:52:02
環(huán)路穩(wěn)定性原理與DCDC Buck環(huán)路穩(wěn)定性這個(gè)文章是之前寫的，但是自己對(duì)于這部分理解又忘記了，所以在此發(fā)布下，大家都可以看看有哪些問題存在。
2021-11-17 08:26:41
45度相位及環(huán)路增益帶寬準(zhǔn)則，考察了在Aol曲線與1/β曲線以及環(huán)路增益曲線Aolβ中的極點(diǎn)與零點(diǎn)之間的互相轉(zhuǎn)化關(guān)系。用于環(huán)路增益穩(wěn)定性分析的頻率“十倍頻程準(zhǔn)則”。
2021-04-06 07:09:05
穩(wěn)定性分析所需的一些基本知識(shí)，并定義了將在整個(gè)系列中使用的一些術(shù)語。
2021-04-06 08:55:16
電力系統(tǒng)中的電壓穩(wěn)定性定義為電力系統(tǒng)在正常條件下和受到干擾后在系統(tǒng)中的所有總線上保持可接受電壓的能力。在正常工作條件下，電力系統(tǒng)的電壓是穩(wěn)定的，但是當(dāng)系統(tǒng)中發(fā)生故障或干擾時(shí)，電壓變得不穩(wěn)定，這會(huì)
2023-04-21 16:14:04
實(shí)際測試過程中應(yīng)注意的環(huán)節(jié)是注入電阻的位置，以及阻值大小。為了減小測量誤差，實(shí)測一般選取10～100Ω的電阻；干擾信號(hào)的大小一般要求其幅度不能超過輸出電壓的5%，否則測出來的結(jié)果是不準(zhǔn)確的。環(huán)路穩(wěn)定性
2018-11-08 11:28:00
電路設(shè)計(jì)不僅有很多技巧，同樣也存在很多誤區(qū)，本文將介紹電路穩(wěn)定性設(shè)計(jì)當(dāng)中的常見誤區(qū)。
2021-02-24 06:19:53
電路設(shè)計(jì)不僅有很多技巧，同樣也存在很多誤區(qū)。本文將介紹電路穩(wěn)定性設(shè)計(jì)當(dāng)中的十個(gè)誤區(qū)。
2021-03-02 07:21:29
閉環(huán)系統(tǒng)的開環(huán)傳遞函數(shù)可以用來判斷閉環(huán)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，也就是奈奎斯特穩(wěn)定性判據(jù)。第一種說法：如果開環(huán)傳遞函數(shù)穩(wěn)定（S復(fù)平面不存在右極點(diǎn)），若頻率特性圖不包圍（-1，j0)點(diǎn)，那么閉環(huán)系統(tǒng)穩(wěn)定，否則閉環(huán)
2012-09-05 17:04:34
不同的恒定溫度或變化溫度以及配合不同濕度的環(huán)境，其執(zhí)行技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參照 《GB10586-2006濕熱箱技術(shù)條件》制造。適用于制藥企業(yè)藥品及新藥品的穩(wěn)定性考察試驗(yàn)，滿足GMP,FDA,ICH原則中規(guī)定
2017-06-22 16:29:00
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
LSM6DSR 陀螺儀和加速度計(jì)的偏置運(yùn)行穩(wěn)定性/不穩(wěn)定性是多少？
2023-01-10 06:21:34
請(qǐng)問NanoPi NEO2穩(wěn)定性如何？大家分享下經(jīng)驗(yàn)~怎么燒寫android 鏡像到NanoPi NEO2？
2019-04-01 07:57:03
esp now 和 ble mesh 哪個(gè)穩(wěn)定性更高？
2023-03-06 08:04:15
請(qǐng)問1）慣性陀螺儀或加速度計(jì)的零偏穩(wěn)定性(bias stability)與零偏不穩(wěn)定性(bias instability)指的是同一個(gè)指標(biāo)嗎？2）零偏穩(wěn)定性的測量與計(jì)算的？謝謝！
2018-08-03 07:29:18
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
跨阻放大器的穩(wěn)定性看完你就懂了
2021-04-25 08:04:14
運(yùn)放穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)及測試環(huán)路增益穩(wěn)定性舉例
2021-04-06 06:30:52
連續(xù)時(shí)間LTI系統(tǒng)的穩(wěn)定性.ppt連續(xù)時(shí)間LTI系統(tǒng)的穩(wěn)定性.ppt一．系統(tǒng)穩(wěn)定性的定義系統(tǒng)穩(wěn)定定義為任何有界的輸入將引起有界的輸出，簡稱BIBO穩(wěn)定（Bounded Input Bounded
2009-09-16 08:41:42
運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性:本系列的第4部分著重討論了環(huán)路穩(wěn)定性的主要技巧與經(jīng)驗(yàn)。首先，我們將討論45度相位及環(huán)路增益帶寬準(zhǔn)則，考察了在Aol 曲線與1/β曲線以及環(huán)路增益曲線Aolβ中
2009-09-25 08:25:36
39 電容性負(fù)載的穩(wěn)定性:從穩(wěn)定性分析工具套件中，我們可以看到，具有雙通道反饋的RISO 技術(shù)由一階分析得出，經(jīng)Tina SPICE環(huán)路穩(wěn)定性仿真確認(rèn)，并由Tina SPICE 中的Vout/Vin AC 傳輸函數(shù)分
2009-09-25 09:41:5618 運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性第4部分：環(huán)路穩(wěn)定性主要技巧與經(jīng)驗(yàn)
本系列的第4部分著重討論了環(huán)路穩(wěn)定性的主要技巧與經(jīng)驗(yàn)。首先，我們將討論45度相位及環(huán)路增益帶
2010-03-17 17:58:4542 穩(wěn)定性是表示電感線圈參數(shù)隨環(huán)境條件變化而改變的程度。通常用電感溫度系數(shù)αL 來評(píng)定線圈的穩(wěn)定程度，它表示電感量相對(duì)淚度的穩(wěn)定性，其用下式計(jì)算:
2009-06-15 19:29:172075 電感的穩(wěn)定性
穩(wěn)定性是表示電感線圈參數(shù)隨環(huán)境條件變化而改變的程度。通常用電感溫度系數(shù)αL 來評(píng)定線圈的穩(wěn)定程度，它表示電感量相對(duì)淚度的穩(wěn)定
2009-08-22 14:33:021466 美國國家半導(dǎo)體（NS）不斷擴(kuò)大太陽能系統(tǒng)解決方案的應(yīng)用領(lǐng)域，日前，該公司推出一系列共10款全新的SolarMagic IC芯片，其優(yōu)點(diǎn)是可以降低光伏系統(tǒng)的發(fā)電成本，提高其穩(wěn)定性并簡化相
2011-06-29 10:30:19649 穩(wěn)定性與魯棒性的理論基礎(chǔ)2003-2-科學(xué)出版社-黃琳。
2016-04-12 13:41:490 現(xiàn)代控制理論-5.系統(tǒng)的穩(wěn)定性
2016-12-13 22:20:480 魯棒性和穩(wěn)定性都是反應(yīng)控制系統(tǒng)抗干擾能力的參數(shù)。那么關(guān)于魯棒性和穩(wěn)定性的區(qū)別有哪些，我們先來看看兩者的定義。 定義上 所謂魯棒性，是指控制系統(tǒng)在一定（結(jié)構(gòu)，大小）的參數(shù)攝動(dòng)下，維持其它某些性能的特性
2017-11-29 09:39:44243940 諧振放大器的穩(wěn)定性跟穩(wěn)定系數(shù)s有關(guān)，提高其穩(wěn)定性措施有中和法和失配法兩種。
2018-01-04 14:05:1119547 
嵌入式系統(tǒng) 的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，干擾或者惡劣環(huán)境常影響嵌入式系統(tǒng)運(yùn)行的 穩(wěn)定性 和可靠性。 Reset 是維護(hù)系統(tǒng)穩(wěn)定的一個(gè)關(guān)鍵因素，正確地設(shè)計(jì)復(fù)位電路，巧妙地應(yīng)用復(fù)位操作，能使整個(gè)系統(tǒng)更可靠、穩(wěn)定地運(yùn)行。本文結(jié)合實(shí)際項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)分析Reset的相關(guān)應(yīng)用與設(shè)計(jì)，展示Reset對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性的重要性。
2018-02-07 09:04:431833 
在規(guī)定的條件下，熱電特性變化大即表明穩(wěn)定性差，變化小則表明穩(wěn)定性良好。熱電偶的穩(wěn)定性好壞會(huì)直接影響到熱電偶測量的準(zhǔn)確性，因此，穩(wěn)定性是衡量熱電偶性能的一個(gè)重要指標(biāo)。
2019-12-31 09:19:542210 
如何判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性 系統(tǒng)的四個(gè)性質(zhì)即線性、時(shí)不變性、因果性和穩(wěn)定性都很重要，上次王英吉同學(xué)問到系統(tǒng)穩(wěn)定性的判斷問題，下面進(jìn)行進(jìn)一步的介紹。 對(duì)于連續(xù)系統(tǒng)和離散系統(tǒng)的判斷，教材中的敘述如下：如果連續(xù)
2021-05-06 09:12:2728092 環(huán)路穩(wěn)定性原理與DCDC Buck環(huán)路穩(wěn)定性這個(gè)文章是之前寫的，但是自己對(duì)于這部分理解又忘記了，所以在此發(fā)布下，大家都可以看看有哪些問題存在。2019-10-312019馬上結(jié)束了...
2021-11-10 11:05:5977 從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域，消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
2023-02-06 15:19:353693 
射頻芯片的穩(wěn)定性是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)和性能指標(biāo)，它描述了芯片在工作過程中的信號(hào)穩(wěn)定性和性能的一致性。射頻芯片的穩(wěn)定性主要包括以下幾個(gè)方面。
2023-06-13 12:40:17694 大多數(shù)生物制藥產(chǎn)品會(huì)隨著時(shí)間的增長而發(fā)生變化。然而，只要它們保持其特性或效力，它們就能保持穩(wěn)定。該穩(wěn)定期也稱為保質(zhì)期。每種產(chǎn)品的保質(zhì)期將根據(jù)穩(wěn)定性測試中收集的數(shù)據(jù)而有所不同。穩(wěn)定性測試是用于數(shù)據(jù)收集
2022-06-27 09:41:37347 
摘要：本文敘述了 FPGA 的亞穩(wěn)定性，敘述了它是如何發(fā)生的，是如何導(dǎo)致設(shè)計(jì)失效的。文
中說明了如何計(jì)算亞穩(wěn)定性能的 MTBF 值，并解釋了器件和設(shè)計(jì)性能的變化將會(huì)如何影響該
值。
2023-08-07 15:34:570 怎么分析電路的穩(wěn)定性？? 電路的穩(wěn)定性是指電路在不同條件下保持穩(wěn)定的能力。穩(wěn)定性是電路設(shè)計(jì)中十分重要的一個(gè)方面，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">穩(wěn)定的電路能夠提供可靠和一致的性能。在其他條件恒定的情況下，最穩(wěn)定的電路可以提供
2023-09-17 16:44:38973 ，廣泛應(yīng)用于放大、濾波、比較等各種應(yīng)用領(lǐng)域。然而，運(yùn)放電路的閉環(huán)穩(wěn)定性卻是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的問題。閉環(huán)穩(wěn)定性指的是當(dāng)將運(yùn)放電路接入反饋回路后，整個(gè)系統(tǒng)的輸出是否保持穩(wěn)定，不會(huì)發(fā)生不可預(yù)期的振蕩、震蕩或不穩(wěn)定的現(xiàn)象。 閉環(huán)
2023-11-06 10:20:19921 直接影響到電子系統(tǒng)的工作性能以及整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。以下是影響晶振頻率穩(wěn)定性的主要因素和相應(yīng)的解決方法。 1. 環(huán)境溫度變化：環(huán)境溫度的變化會(huì)導(dǎo)致晶振器內(nèi)部晶片的溫度變化，進(jìn)而影響晶振頻率的穩(wěn)定性。為了解決這個(gè)問題，
2024-01-23 16:43:03208 什么是晶振的頻率穩(wěn)定性？如何確保晶振的穩(wěn)定性呢？ 晶振的頻率穩(wěn)定性是指晶振在工作過程中頻率的變化程度。對(duì)于許多電子設(shè)備和系統(tǒng)而言，晶振頻率的穩(wěn)定性是非常重要的，因?yàn)樗苯佑绊懙皆O(shè)備的精確性、穩(wěn)定性
2024-01-24 16:11:40201 晶振的頻率容差的定義 振蕩器穩(wěn)定性的重要性 影響頻率穩(wěn)定性的因素以及提高晶振耐受性和穩(wěn)定性的方法 晶振是一種利用晶體材料振蕩產(chǎn)生固定頻率的設(shè)備。在電子設(shè)備中，晶振被廣泛應(yīng)用于時(shí)鐘信號(hào)源、頻率合成
2024-01-26 17:12:34187 什么是熱電偶穩(wěn)定性？影響熱電偶穩(wěn)定性的主要因素 熱電偶熱穩(wěn)定性怎樣檢測？ 熱電偶穩(wěn)定性是指熱電偶在一定時(shí)間范圍內(nèi)的溫度測量值的穩(wěn)定程度。在實(shí)際應(yīng)用中，熱電偶的穩(wěn)定性非常重要，因?yàn)樗苯佑绊懙綔y量數(shù)據(jù)
2024-03-08 15:32:4777 BOSHIDA 模塊電源的應(yīng)用領(lǐng)域分析 穩(wěn)定電源供電 提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性 模塊電源是指在一個(gè)自封裝的模塊中集成了多種功能的電源電路，可以為其他電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)。模塊電源應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
2024-03-21 09:44:3618
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