65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技術(shù)迭代。2018 年,氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室,正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域,讓大功率充電器迅速小型化,體積僅有傳統(tǒng)硅(Si)功率器件充電器一半大小,氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù),當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
的顯著增長。當(dāng)前出現(xiàn)的另一個(gè)商機(jī)是氮化鎵已逐漸成為射頻能量領(lǐng)域的主流應(yīng)用。射頻能量應(yīng)用的整個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)范圍非常龐大。拿微波爐市場(chǎng)為例,MACOM 估計(jì)每年全球微波爐的銷量在7000萬臺(tái)以上。消費(fèi)品微波爐
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃,這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn),未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?;统錾\(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AD8221是什么?它有什么作用?AD8221主要有哪些特點(diǎn)?AD8221主要有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?基于AD8221的交流耦合儀用放大器該怎么去設(shè)計(jì)?
2021-04-14 06:05:29
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
DSP是如何定義的?DSP芯片有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-10-15 08:02:52
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α1痉謺?huì)的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造,氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
LED柔性燈帶常用于勾畫各種建筑物的輪廓,對(duì)各種室內(nèi)裝修、家庭美化等起照明裝飾作用。當(dāng)前,LED燈帶主要有兩大應(yīng)用領(lǐng)域,一是室內(nèi)裝飾照明,主要用于天花暗槽、電視背景墻、酒柜、衣柜門框等裝飾或照明使用;二是戶外裝飾照明,可應(yīng)用于樓房輪廓亮化、招牌點(diǎn)閃等。使用規(guī)模以戶外裝飾照明為主。
2020-10-30 09:42:20
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
,3000多種產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域,2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向,與很多公司的氮化鎵采用碳化硅(SiC)做襯底
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上,MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示,硅襯底有一些優(yōu)勢(shì),材料便宜,散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
MCU為何如此重要?MCU主要有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?其優(yōu)點(diǎn)是什么?
2021-06-26 06:58:43
MEMS傳感器的主要分類MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2020-12-03 07:28:39
智能手環(huán)是什么?MMA9555的主要功能是什么?MMA9555有哪些核心優(yōu)勢(shì)?MMA9555有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-08-06 07:04:48
測(cè)試背景地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化鎵半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
Python是什么?Python的特點(diǎn)是什么?Python有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-09-18 06:19:01
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
請(qǐng)教各位大神,ibeacon在近年來漸漸雄起,請(qǐng)問你們覺得ibeacon的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?給一些使用的例子。。。
2016-08-16 09:05:09
plc是什么?plc的特點(diǎn)有哪些?plc的應(yīng)用領(lǐng)域主要在哪些地方?
2021-07-05 07:35:41
Canaccord Genuity預(yù)計(jì),到2025年,電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點(diǎn)碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
包含關(guān)鍵的驅(qū)動(dòng)、邏輯、保護(hù)和電源功能,消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計(jì)復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時(shí)能提供高頻率和高效率,實(shí)現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
單片機(jī)可以做什么?單片機(jī)主要有哪些應(yīng)用領(lǐng)域呢?
2022-01-17 06:23:54
單片機(jī)的應(yīng)用范圍十分廣泛,主要的應(yīng)用領(lǐng)域有:(1) 工業(yè)控制。單片機(jī)可以構(gòu)成各種工業(yè)控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等。如數(shù)控機(jī)床、自動(dòng)生產(chǎn)線控制、電機(jī)控制、溫度控制等。(2) 儀器儀表。如智能儀器、醫(yī)療器械
2022-02-25 07:40:17
可穿戴設(shè)備有哪些應(yīng)用?有哪些功能?低功耗藍(lán)牙的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-06-27 07:22:21
的測(cè)試,讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題,泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課,氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
通過低內(nèi)阻和高開關(guān)速度,減小了損耗,降低了散熱要求。變壓器的縮小,以及無需散熱措施,氮化鎵的應(yīng)用大幅減小了充電器的體積。鋰電池作為現(xiàn)代便攜設(shè)備的主要能量來源,出貨量非常巨大。隨著現(xiàn)在手機(jī)和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
柚比、Zendure征拓、等等都在著力布局氮化鎵市場(chǎng)總結(jié)2020年USB PD快充在手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、汽車、生活家電等領(lǐng)域的滲透率已經(jīng)呈現(xiàn)出復(fù)合級(jí)增長趨勢(shì),USB-C接口的普及,讓原本復(fù)雜
2021-04-16 09:33:21
對(duì)嵌入式存儲(chǔ)LPDDR需求為什么越來越高?嵌入式存儲(chǔ)芯片LPDDR的應(yīng)用領(lǐng)域主要有哪些?
2021-06-18 09:03:04
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體,于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
核電池都有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-03-11 06:16:10
請(qǐng)問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
,降低LED的光度。學(xué)術(shù)界希望把硅和氮化鎵整合在一起,但是有困難,主要困難是鎵與硅之間的大晶格失配。由于很高的缺陷密度,54%的熱膨脹系數(shù),外延膜在降溫過程中產(chǎn)生裂紋。金屬架直接與硅襯底結(jié)束時(shí)會(huì)有化學(xué)
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
群體智能系統(tǒng)具有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
2021-12-20 07:46:16
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”?! ∫了孤兔资怖菍?duì)的。氮化鎵的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量)和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力,制造性能空前的器件?! ∪缃?,氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)(6V DRV)? 集成高壓?jiǎn)?dòng)(700V)? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
應(yīng)用。 “不同類型的應(yīng)用層出不窮,”Steve說,“我們以無人機(jī)為例。目前,無人機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域主要是滿足人們業(yè)余愛好的需要,但是有了GaN后,我們也許能夠?qū)⑺鼈冇糜诟由虡I(yè)化和工業(yè)化的應(yīng)用?!标P(guān)鍵是電池
2018-08-30 15:05:50
晶振的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2022-07-20 17:47:014148 卻可以實(shí)現(xiàn)更高的性能。那么氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些呢? 而隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展,氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域。 新型電子器件 GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器
2023-02-05 14:30:082810 簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比,氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況,重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域,消費(fèi)類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
2023-02-14 09:27:011045 什么是測(cè)量光幕?主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2023-06-24 10:15:10602
評(píng)論
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