貿(mào)澤電子即日起備貨Maxim Integrated 的DS28E39和DS28E84 DeepCover?認(rèn)證器。
2019-07-31 16:32:46
741 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)始備貨Osram Opto Semiconductors的Osconiq? S 3030 QD LED。該中功率LED采用量子點(diǎn) （QD） 可調(diào)諧光轉(zhuǎn)換技術(shù)。
2019-10-15 16:08:161135 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售NXP Semiconductors的Layerscape? LS1046A Freeway （FRWY-LS1046A） 評(píng)估板。
2019-10-30 17:19:511288 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)始供應(yīng)Osram Opto Semiconductors的Oslon? Pure 1010 LED。
2019-10-31 14:44:411502 貿(mào)澤電子即日起備貨NXP? Semiconductors i.MX 7ULP應(yīng)用處理器。
2019-11-12 14:11:581110 電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Samtec的5G汽車(chē)與交通運(yùn)輸連接解決方案，并可當(dāng)天發(fā)貨。
2019-12-13 14:28:35825 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。
2020-03-16 15:04:331201 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。
2020-10-15 14:17:12948 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)始備貨Laird Connectivity的FlexPIFA 6E天線。
2021-11-18 09:56:311679 
貿(mào)澤電子宣布即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ReRAM） 產(chǎn)品。
2021-12-13 14:06:53960 
（Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Vishay Intertechnology的VEMI256A-SD2雙通道EMI濾波器。
2022-02-08 11:18:401629 
80S51的IO該如何利用晶體管驅(qū)動(dòng)外圍設(shè)備？ 80C51單片機(jī)的P1、P2、P3都是準(zhǔn)雙向IO，P0是開(kāi)漏IO。對(duì)開(kāi)漏IO來(lái)說(shuō)，外接上拉電阻后，特性與準(zhǔn)雙向IO類(lèi)似。準(zhǔn)雙向IO的特點(diǎn)是，高電平
2012-08-17 21:33:22
80W晶體管與電子管混合純甲類(lèi)功放電路[hide]80W晶體管電子管混合純甲類(lèi)功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應(yīng)用提供的優(yōu)勢(shì)LDMOS的優(yōu)勢(shì)是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達(dá)60dB左右。這表明對(duì)于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型
2019-06-26 07:33:30
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)到EDVAC，這些計(jì)算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制的計(jì)算。然而電子管元件有許多明顯的缺點(diǎn)。例如，在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示?！ ?晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類(lèi)型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
如果說(shuō)起來(lái)，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對(duì)于音頻質(zhì)量有著極高要求的產(chǎn)品中，才會(huì)出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
2023年2月27日 – 專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨ams OSRAM的Mira220全局快門(mén)傳感器。此
2023-02-28 09:31:06
、航空航天和國(guó)防應(yīng)用提供產(chǎn)品和解決方案。高電壓、高功率、堅(jiān)固耐用的晶體管，具有無(wú)與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無(wú)可爭(zhēng)議且可靠的無(wú)線電覆蓋范圍？從我們專(zhuān)為 0.4-1 GHz 操作而設(shè)計(jì)的完整移動(dòng)
2021-06-28 18:02:51
于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專(zhuān)為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGT2731L120產(chǎn)品名稱(chēng)： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對(duì)SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
用于開(kāi)發(fā)穩(wěn)健的物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴應(yīng)用 2018年6月4日 – 專(zhuān)注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類(lèi)型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子即日起備貨 Semiconductor
2018-09-21 11:51:15
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開(kāi)。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
化鎵晶體管SGN36H120M1H砷化鎵晶體管SGNH360M1H砷化鎵晶體管SGN31E030MK砷化鎵晶體管SGK5254-30A-R砷化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:32:19
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
設(shè)計(jì)芯片和智能設(shè)備產(chǎn)品時(shí)，卻不得不考慮其影響?！ ⌒酒锍瘫怼 ∶髂崽K達(dá)大學(xué)電氣工程教授Chris H. Kim早在10多年前就開(kāi)始對(duì)晶體管老化對(duì)芯片和電子系統(tǒng)的影響開(kāi)始進(jìn)行研究和試驗(yàn)。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個(gè)電子，而單個(gè)電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫(kù)侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中
2023-02-03 09:36:05
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動(dòng)。當(dāng)務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
有誰(shuí)知道貿(mào)澤電子賣(mài)的運(yùn)放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無(wú)源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
低熱阻：0.2℃/W 運(yùn)用GaNonSiC高電子遷移率晶體管(HEMT)完成的零碎劣勢(shì)包括： 具有簡(jiǎn)化阻抗婚配的單端設(shè)計(jì)，替代需求額定分解的較低功率器件 最頂峰值功率和功率增益，可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:31
20 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類(lèi)型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴(kuò)
2010-03-05 16:22:596177 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261535 2013年12月6日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始供應(yīng)新一代具有 USB 3.0 和圖形支持的 Intel? Atom? 22nm 64 位多核處理器，該處理器旨在用于從智能手機(jī)到智能嵌入式系統(tǒng)的高性能低功耗應(yīng)用。
2013-12-09 09:56:531083 2013年12月24日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始供應(yīng) Analog Devices Inc （ADI） 的新型 ADuM144x 4 通道數(shù)字隔離器，堪稱(chēng)現(xiàn)在所有數(shù)字隔離器中功耗最低的隔離器。
2013-12-24 17:47:27829 貿(mào)澤電子（Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)NXP Semiconductors的 QN902x超低功耗藍(lán)牙片上系統(tǒng) （SoCs） 和 QN9020藍(lán)牙開(kāi)發(fā)套件。QN902x
2016-05-05 15:43:581159 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始供應(yīng)OSRAM Opto Semiconductors的SFH 4715AS和SFH 4716AS紅外LED （IRED），此為IR
2018-04-17 16:32:001055 貿(mào)澤電子(Mouser)即日起開(kāi)始供應(yīng)恩智浦(NXP)S32V234視覺(jué)與感測(cè)融合處理器。S32V234的設(shè)計(jì)可支援視覺(jué)與感測(cè)器融合應(yīng)用中的安全運(yùn)算應(yīng)用，包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、前方攝影機(jī)
2018-02-05 05:55:111219 最新半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 連接器
2018-04-25 14:32:00981 近日，半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 連接器
2018-04-17 17:48:001853 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics）即日起開(kāi)始備貨LTM8065 μModule降壓穩(wěn)壓器，這是Analog Devices， Inc旗下Linear Technology公司的一款
2018-04-28 10:52:001056 最新半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨NXP Semiconductors的S32R274雷達(dá)微控制器。S32R274結(jié)合了信號(hào)處理加速
2018-06-08 00:22:003246 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨NXP Semiconductors的S32R274雷達(dá)微控制器。S32R274結(jié)合了信號(hào)處理加速與多核架構(gòu)，其在工業(yè)和自動(dòng)化應(yīng)用中的性能最高可達(dá)前代產(chǎn)品的四倍，能滿足現(xiàn)代波束成形以及快速線性調(diào)頻雷達(dá)系統(tǒng)的高性能計(jì)算需求。
2018-05-04 15:27:001122 專(zhuān)注于新產(chǎn)品引入 （NPI） 并提供極豐富產(chǎn)品類(lèi)型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)TDK Group旗下子公司InvenSense
2018-05-10 17:15:001207 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 （IMS） 評(píng)估平臺(tái)。IMS評(píng)估平臺(tái)價(jià)格親民，對(duì)于汽車(chē)、消費(fèi)電子、工業(yè)和服務(wù)器或數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的功率系統(tǒng)而言，能夠改善熱傳導(dǎo)性能、提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。
2018-05-10 10:17:001473 貿(mào)澤電子（Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始備貨Silicon Labs的兩款全新zigbee互聯(lián)家居參考設(shè)計(jì)。zigbee智能插座參考設(shè)計(jì)和zigbee占位傳感器參考設(shè)計(jì)透過(guò)業(yè)界
2018-05-14 11:51:00864 最新半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨Renesas Electronics的RX130系列32位單片機(jī)。RX130單片機(jī)采用全新的電容式
2018-05-16 15:52:00716 最新半導(dǎo)體和電子元件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨STMicroelectronics （ST） 的ACEPACK? IGBT模塊。Adaptable
2018-05-16 15:11:001090 貿(mào)澤電子（ Mouser Electronics） 即日起備貨Maxim Integrated 的MAX77734 電源管理IC （PMIC）。此款超小尺寸、超低功耗的PMIC可幫助設(shè)計(jì)師延長(zhǎng)可穿戴設(shè)備以及耳戴式智能設(shè)備的鋰離子電池壽命。
2018-05-14 09:49:001262 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)售 Murata的DMH系列超級(jí)電容。此系列超級(jí)電容具有僅0.4mm的超薄身材，適用于可穿戴設(shè)備、醫(yī)療貼片、電子紙、智能卡和其他空間受限移動(dòng)裝置的峰值功率輔助。
2018-05-17 09:20:001147 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的半導(dǎo)體與電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨TE Connectivity (TE) 的ELCON Micro電源連接器。
2019-03-09 09:21:52705 即日起備貨NXP Semiconductors的i.MX RT117F跨界處理器。該處理器在NXP著名的EdgeReady產(chǎn)品組合基礎(chǔ)上加以擴(kuò)展，提供了安全的低成本嵌入式3D人臉識(shí)別解決方案。通過(guò)
2022-12-07 14:41:281533 2023 年9 月20 日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨NXP Semiconductors
2023-09-25 09:45:34112
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