引言
所有信號處理系統(tǒng)都要求混合信號器件,例如:模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和/或數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 等。對于寬動態(tài)范圍模擬信號處理的需求,要求必須使用高性能 ADC 和 DAC。要在高噪聲數(shù)字環(huán)境下保持性能,依賴于優(yōu)秀的電路設(shè)計方法,例如:正確的信號布局、去耦和接地等。
毫無疑問,在系統(tǒng)設(shè)計中,接地是我們討論最多的話題之一。盡管基本概念十分簡單,但實現(xiàn)起來卻并不容易。就線性系統(tǒng)而言,接地是信號建立的參考基準(zhǔn),而不幸的是,它也成為單極電源系統(tǒng)中電源電流的返回通路。錯誤的接地方法會降低高精度線性系統(tǒng)的性能。沒有哪一種教程能夠保證一定能獲得理想的結(jié)果,但我們可以注意幾個容易引發(fā)問題的方面。
本系列文章將為您詳細(xì)介紹混合信號系統(tǒng)使用的一些接地方法,它共分兩個部分,本文為第一部分。第 1 部分為您解釋說明一些常用的術(shù)語和接地層,并介紹劃分方法。第2部分探討分割接地層的一些方法,包括每種方法的利弊。它還介紹了使用多轉(zhuǎn)換器和多板的一些系統(tǒng)的接地情況。第2部分將出現(xiàn)在《模擬應(yīng)用期刊》的后續(xù)期刊中。
在系統(tǒng)設(shè)計中經(jīng)常使用的一個術(shù)語是星形接地。這個術(shù)語的意思是,某個電路中所有電壓均指一個單接地點,也即星形接地點。它的關(guān)鍵特性是,在接地網(wǎng)絡(luò)中,對特定點的所有電壓進行測量,而不僅僅是某個非定義接地(不管探針定在何處)。特別需要指出,這種方法實現(xiàn)起來很困難。例如,在一個星形接地系統(tǒng)中,為了最小化信號相互作用和高阻抗信號或接地通路產(chǎn)生的效應(yīng)而擬定出所有信號通路,會帶來實現(xiàn)問題。當(dāng)給電路添加電源時,它們會增加非理想接地通路,或者其現(xiàn)有接地通路中電源電流較強或噪聲較多,以致于破壞信號傳輸。
圖 1 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的 AGND 和 DGND 引腳
混合信號器件中AGND和DGND引腳解釋
數(shù)字和模擬設(shè)計工程師們往往會從各個不同角度來查看混合信號器件,但每名使用混合信號器件的工程師都會注意到模擬接地 (AGND) 和數(shù)字接地 (DGND)。對于如何處理這些接地,許多人感到困惑,而多數(shù)困惑均來自于如何標(biāo)示ADC接地引腳。注意,引腳名稱AGND和DGND是指該組件的內(nèi)部情況,并不必然表明你應(yīng)該在外部如何操作。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表通常建議將模擬和數(shù)字接地捆綁在器件上。但是,設(shè)計人員有時想而有時又不想讓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器成為系統(tǒng)的星形接地點。我們應(yīng)該如何做呢?
如圖1所示,混合信號IC內(nèi)的接地一般會保持獨立,目的是避免數(shù)字信號耦合進入模擬電路。對于連接芯片上焊墊至封裝引腳相關(guān)的內(nèi)部電感和電阻(相比電感可忽略不計),IC設(shè)計人員沒有一點辦法??焖僮兓臄?shù)字電流在數(shù)字電路中產(chǎn)生電壓(di/dt),其不可避免地會通過雜散電容耦合進入模擬電路。
若不考慮這類耦合,IC可以工作得很好。但是,為了防止進一步的耦合,我們應(yīng)使用最短的導(dǎo)線,從外部把AGND和DGND引腳接合到一起,連接同一低阻抗接地層。DGND連接中任何一點外部阻抗都會引起更多的數(shù)字噪聲,而其反過來又會通過雜散電容讓更多的數(shù)字噪聲耦合進入模擬電路。
模擬還是數(shù)字接地層,又或者兩者兼有?
為什么需要接地層?如果一條總線線路用作接地而非層,則必須進行計算才能確定總線線路的壓降,因為大多數(shù)邏輯轉(zhuǎn)換等效頻率的阻抗。這種壓降造成系統(tǒng)最終精確度誤差。要實現(xiàn)一個接地層,雙面PCB的一面由連續(xù)銅材料組成,用作接地。由于使用大面積、扁平化導(dǎo)體方式,大量金屬材料實現(xiàn)最低程度電阻和電感。
接地層起到一個低阻抗返回通路的作用,旨在去耦快速數(shù)字邏輯引起的高頻電流。另外,它還最小化了電磁干擾/射頻干擾(EMI/RFI)產(chǎn)生的輻射。由于接地層的屏蔽行為,電路對于外部EMI/RFI的敏感性降低了。接地層還允許高速數(shù)字或者模擬信號通過傳輸線路(微波傳輸帶或者帶狀線)方法進行傳輸,其要求受控阻抗。
如前所述,AGND和DGND引腳必須在器件上接合到一起。如果必須隔離模擬和數(shù)字接地,那么我們應(yīng)該將它們連接到模擬接地層、數(shù)字接地層還是兩個都連呢?
請記住,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器是模擬的!因此,AGND和DGND引腳應(yīng)連接至模擬接地層。如果它們被連接至數(shù)字接地層,則模擬輸入信號將出現(xiàn)數(shù)字噪聲,因為它可能為單端,并且參考模擬接地層。連接這兩個引腳至靜態(tài)模擬接地層,會把少量數(shù)字噪聲注入其中,并降低輸出邏輯的噪聲余量。這是因為,輸出邏輯現(xiàn)在參考模擬接地層,并且所有其它邏輯均參考數(shù)字接地層。但是,這些電流應(yīng)為非常小,并且通過確保轉(zhuǎn)換器輸出不驅(qū)動大扇出得到最小化。
可能的情況是,設(shè)計使用器件的數(shù)字電流可低可高。兩種情況的接地方案并不相同。一般而言,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器常常被看作為低電流器件(例如:閃存ADC)。但是,今天的一些擁有片上模擬功能的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,正變得越來越數(shù)字化。隨著數(shù)字電路的增加,數(shù)字電流和噪聲也隨之增加。例如,∑-△ADC包含一個復(fù)雜的數(shù)字濾波器,其相當(dāng)大地增加了器件的數(shù)字電流。
低數(shù)字電流數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器接地
正如我們講的那樣,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(或者任何混合信號器件)均為模擬。在所有系統(tǒng)中,模擬信號層都位于所有模擬電路和混合信號器件放置的地方。同樣,數(shù)字信號層擁有所有數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理電路。模擬與數(shù)字接地層應(yīng)有同各自信號層相同的尺寸和形狀。
圖2概述了低數(shù)字電流混合信號器件接地的方法。該模擬接地層沒有被損壞,因為小數(shù)字瞬態(tài)電流存在于本地去耦電容器VDig和DGND(綠線)之間的小型環(huán)路中。圖2還顯示了一個位于模擬和數(shù)字電源之間的濾波器。共有兩類鐵氧體磁珠:高Q諧振磁珠和低Q非諧振磁珠。低Q磁珠常用于電源濾波,其與電源連接點串聯(lián)。
圖 2 低內(nèi)部數(shù)字電流數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器接地
高數(shù)字電流數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器接地
圖2所示電路靠VDig和DGND之間的去耦電容器來使數(shù)字瞬態(tài)電流隔離在小環(huán)路中。但是,如果數(shù)字電流足夠大,并且有組件在DC或者低頻下,則該去耦電容器可能必須非常的大,而這是不實際的。VDig和DGND之間環(huán)路之外的任何數(shù)字電流,必須流經(jīng)模擬接地層。這可能會降低性能,特別是在高分辨率系統(tǒng)中更是如此。圖3顯示了一種適用于強數(shù)字電流混合信號器件的替代接地方法。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的AGND引腳連接至模擬接地層,而DGND引腳則連接至數(shù)字接地層。數(shù)字電流也隔離于模擬接地層,但兩個接地層之間的噪聲卻直接作用于器件的AGND和DGND引腳之間。模擬和數(shù)字電路必須獲得有效的隔離。AGND和DGND引腳之間的噪聲必須不能過大,否則會降低內(nèi)部噪聲余量,或者引起內(nèi)部模擬電路損壞。
模擬和數(shù)字接地層的連接
圖2和3顯示了連接模擬和數(shù)字接地層的備選背靠背肖特基二極管。該肖特基二極管防止大DC電壓或者低頻電壓尖峰在兩個層之間形成。如果其超出0.3V,這些電壓可能會損壞混合信號IC,因為它們直接出現(xiàn)在AGND和DGND引腳之間。
作為一種背靠背肖特基二極管的替代方法,鐵氧體磁珠可以在兩個層之間提供一個DC連接,并在數(shù)兆赫茲頻率時對其進行隔離,此時鐵氧體磁珠電阻增加。這種方法可防止IC受到AGND和DGND之間DC電壓的損壞,但是這種鐵氧體磁珠提供的DC連接會引入討厭的DC接地環(huán)路,其可能不適合于高分辨率系統(tǒng)。只要在高數(shù)字電流IC特殊情況下AGND和DGND引腳被隔離,則在必要時應(yīng)將它們連接在一起。
跳線和/或帶選項允許我們嘗試兩種方法,以驗證哪種方法能夠獲得最佳總系統(tǒng)性能。
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