全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T及其應(yīng)用 1前言 飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅(qū)動(dòng)全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的高壓IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可組成高強(qiáng)度放電(HID)燈電子鎮(zhèn)流器電路,并且為HID燈驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了解決方案。 2封裝、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能 UBA2030T采用24腳SO封裝,頂視圖如圖1所示。 UBA2030T芯片集成了自舉二極管、振蕩器、高壓和低壓電平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驅(qū)動(dòng)器及控制邏輯等電路,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。 表1列出了UBA2030T的引腳功能。 2主要參數(shù)及特點(diǎn) 2.1主要參數(shù) UBA2030T的主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)如表2所列。 2.2主要特點(diǎn)
圖1SO24封裝頂視圖 UBA2030T的主要特點(diǎn)如下: 內(nèi)置自舉二極管,用作驅(qū)動(dòng)全橋電路可使外部元件減少到最低限度; 高壓輸入直達(dá)570V,為驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路和全橋
圖2UBA2030T的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖 表1引腳功能
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表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)
符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
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高壓 | ||||||
VHV | 高壓電源(電壓) | 0 | - | 570 | V | |
啟動(dòng)(經(jīng)腳HV施加) | ||||||
Istrtu | 啟動(dòng)電流 | - | 0.7 | 1.0 | mA | |
Vth(osc,strt) | 啟動(dòng)振蕩門(mén)限電壓 | 在fbridge=500Hz下,無(wú)載 | 14.0 | 15.5 | 17.0 | V |
Vth(osc,strt) | 停止振蕩門(mén)限電壓 | 在fbridge=500Hz下,無(wú)載 | 11.5 | 13.0 | 14.5 | V |
輸出驅(qū)動(dòng)器 | ||||||
Io(source) | 輸出源電流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V | 140 | 190 | 240 | mA |
Io(sink) | 輸出灌電流 | VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V | 200 | 260 | 320 | mA |
內(nèi)部振蕩器 | ||||||
fbridge | 橋路振蕩器頻率 | EXQ腳連接到SGND | 50 | - | 50000 | Hz |
外部振蕩器 | ||||||
fosc(ext) | 外部振蕩器頻率 | RC腳連接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 | 100 | - | 100000 | Hz |
死區(qū)時(shí)間 | ||||||
tdead | 死區(qū)時(shí)間控制范圍(外部可調(diào)) | 0.4 | - | 4 | μs | |
橋路使能 | ||||||
IIH | 高電平輸入電流 | 使能激活 | 100 | - | 700 | μA |
IIL | 低電平輸入電流 | 使能堵塞 | 0 | - | 20 | μA |
關(guān)閉 | ||||||
VIH | 高電平輸入電壓 | 關(guān)閉激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms | 4.5 | - | VDD? | V |
VIL | 低電平輸入電壓 | 關(guān)閉阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms | 0 | - | 0.5 | V |
II(SD) | 輸入電流 | 0 | - | 50 | μA |
中的MOSFET,IC提供自己產(chǎn)生的低電源電壓;
利用在DTC腳和SGND腳之間連接的電阻器RDT來(lái)設(shè)定死區(qū)時(shí)間tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的單位為kΩ時(shí),tdead的單位為μs);
振蕩器頻率可調(diào),當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路(bridge)頻率可利用外部電阻器ROSC和電容器COSC設(shè)定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;
內(nèi)置PMOS高壓移相器,以控制橋路使能功能;
具有關(guān)閉功能,只要在SD腳上的輸入達(dá)到4.5V,全橋中的4只MOSFET則被關(guān)斷。
3應(yīng)用介紹
UBA2030T典型應(yīng)用主要是在高壓的(HPS)燈和金屬鹵燈這類(lèi)HID燈電子鎮(zhèn)流器電路中作為全橋驅(qū)動(dòng)器。
3.1基本應(yīng)用電路
用UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器和HID燈為負(fù)載的全橋基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示。在這個(gè)應(yīng)用電路中,
圖3UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器、HID燈為負(fù)載的全橋基本電路
圖4帶外部控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
圖5控制電路以橋路高端作參考的HID燈驅(qū)動(dòng)器電路
圖6用低壓DC電源為內(nèi)部電路
提供電流的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路
BER腳、BE腳、EXO腳和SD腳都接系統(tǒng)地,沒(méi)有使用橋路使能和關(guān)閉功能。當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路換向頻率由ROSC和COSC的取值決定。當(dāng)HV施加電壓超過(guò)振蕩觸發(fā)門(mén)限(典型值是15.5V)時(shí),振蕩器開(kāi)始振蕩。如果在HV腳上的電壓降至振蕩器停止門(mén)限(典型值是13V)電壓,IC將重新進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)。
一旦IC開(kāi)始正常工作,在功率開(kāi)關(guān)HL(Q1)和LR(Q4)導(dǎo)通時(shí),HR(Q3)和LL(Q2)則截止;當(dāng)HR(Q3)和LL(Q2)導(dǎo)通時(shí),HL(Q1)和LR(Q4)則截止。UBA2030T提供的換向邏輯,保證了在HID燈中能產(chǎn)生交變電流。
HID燈的啟動(dòng)需要施加一個(gè)3kV~10kV的高壓脈沖。由帶負(fù)阻特性的觸發(fā)元件、電容器和升壓線(xiàn)圈等組成的點(diǎn)火器電路,在通電之后能產(chǎn)生足夠使HID燈擊穿的高電壓,使燈引燃。為防止HID燈出現(xiàn)“聲共振”現(xiàn)象,導(dǎo)致電弧不穩(wěn),燒壞燈管,對(duì)于HID燈驅(qū)動(dòng)電路,往往還要采取“聲共振”抑制措施。
3.2帶外部振蕩器控制的應(yīng)用電路
圖4示出的是帶外部振蕩器控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在該應(yīng)用電路中,UBA2030T的RC腳、BER腳和BE腳連接系統(tǒng)地,橋路換向頻率由外部振蕩器決定,關(guān)閉輸入腳(SD腳)可以用作關(guān)斷全橋電路中的全部MOSFET。
3.3控制電路以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路
UBA2030T在驅(qū)動(dòng)HID燈全橋系統(tǒng)中作為換向器元件使用。HID燈的使用壽命依賴(lài)于通過(guò)石英壁的鈉遷移量。為使鈉遷移比率減至最小,HID燈以系統(tǒng)地為參考時(shí),必須在負(fù)壓下工作。圖5示出的是控制單元以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路。在該應(yīng)用電路中,BER腳和HV腳都連接到系統(tǒng)地。
圖6所示的以橋路高端作為參考的又一種HID燈全橋驅(qū)動(dòng)電路。BER腳連接系統(tǒng)地,通過(guò)HV腳流入IC內(nèi)部低壓電路的電流可以由低壓DC電源(如電池)提供,如圖6中虛線(xiàn)所示。RDT的數(shù)值在50kΩ與1000kΩ之間。當(dāng)RDT=220KΩ時(shí),死區(qū)時(shí)間tdead是1μs.
在任何應(yīng)用中,在IC腳HV上的電壓不能低于在VDD腳上的電壓。否則,不論是在啟動(dòng)狀態(tài)還是進(jìn)入正常工作期間,全橋都不會(huì)正確工作。在啟動(dòng)階段,IC的EXO腳和SD腳都應(yīng)處于低電平。在EXO腳和SD腳的電壓為時(shí)間函數(shù)時(shí),其變化速率應(yīng)大于5V/ms。