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全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T及其應(yīng)用

2009年07月29日 12:09 本站整理 作者:佚名 用戶(hù)評(píng)論(0
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全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2030T及其應(yīng)用

1前言

飛利浦公司利用“BCD750功率邏輯工藝方法”制造的UBA2030T,是為驅(qū)動(dòng)全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的功率MOSFET而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的高壓IC。UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可組成高強(qiáng)度放電(HID)燈電子鎮(zhèn)流器電路,并且為HID燈驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了解決方案。

2封裝、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能

UBA2030T采用24腳SO封裝,頂視圖如圖1所示。

UBA2030T芯片集成了自舉二極管振蕩器、高壓和低壓電平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驅(qū)動(dòng)器及控制邏輯等電路,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。

表1列出了UBA2030T的引腳功能。

2主要參數(shù)及特點(diǎn)

2.1主要參數(shù)

UBA2030T的主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)如表2所列。

2.2主要特點(diǎn)

圖1SO24封裝頂視圖

UBA2030T的主要特點(diǎn)如下:

內(nèi)置自舉二極管,用作驅(qū)動(dòng)全橋電路可使外部元件減少到最低限度;

高壓輸入直達(dá)570V,為驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路和全橋

圖2UBA2030T的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

表1引腳功能

腳號(hào) 符號(hào) 功能描述
1 GLR 低端右邊MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出
2 PGND 低端左、右MOSFET的源極功率地
3 GLL 低端左邊MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出
4,6,9,16,17,19 n.c. 不連接
5 RC 內(nèi)部振蕩器RC輸入
7 BE 控制輸入使能
8 BER 橋路參考輸入使能
10 FSL 浮置電源電壓左邊輸出
11 GHL 高端左邊MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器輸出
12 SHL 高端左邊MOSFET源極
13 SHR 高端右邊MOSFET源極
14 GHR 高端右邊MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器輸出
15 FSR 浮置電源電壓右邊輸出
18 HV 高壓電源輸入
20 EXO 外部振蕩器輸入
21 SD 關(guān)閉輸入
22 DTC 死區(qū)時(shí)間控制輸入
23 VDD 內(nèi)部(低壓)電源
24 SGND 信號(hào)

表2主要參數(shù)及參考數(shù)據(jù)

符號(hào) 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
高壓
VHV 高壓電源(電壓)   0 570 V
啟動(dòng)(經(jīng)腳HV施加)
Istrtu 啟動(dòng)電流   0.7 1.0 mA
Vth(osc,strt) 啟動(dòng)振蕩門(mén)限電壓 在fbridge=500Hz下,無(wú)載 14.0 15.5 17.0 V
Vth(osc,strt) 停止振蕩門(mén)限電壓 在fbridge=500Hz下,無(wú)載 11.5 13.0 14.5 V
輸出驅(qū)動(dòng)器
Io(source) 輸出源電流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V 140 190 240 mA
Io(sink) 輸出灌電流 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V 200 260 320 mA
內(nèi)部振蕩器
fbridge 橋路振蕩器頻率 EXQ腳連接到SGND 50 50000 Hz
外部振蕩器
fosc(ext) 外部振蕩器頻率 RC腳連接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 100 100000 Hz
死區(qū)時(shí)間
tdead 死區(qū)時(shí)間控制范圍(外部可調(diào))   0.4 4 μs
橋路使能
IIH 高電平輸入電流 使能激活 100 700 μA
IIL 低電平輸入電流 使能堵塞 0 20 μA
關(guān)閉
VIH 高電平輸入電壓 關(guān)閉激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms 4.5 VDD? V
VIL 低電平輸入電壓 關(guān)閉阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms 0 0.5 V
II(SD) 輸入電流   0 50 μA
?VDD范圍:0V~18V

中的MOSFET,IC提供自己產(chǎn)生的低電源電壓;

利用在DTC腳和SGND腳之間連接的電阻器RDT來(lái)設(shè)定死區(qū)時(shí)間tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的單位為kΩ時(shí),tdead的單位為μs);

振蕩器頻率可調(diào),當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路(bridge)頻率可利用外部電阻ROSC和電容器COSC設(shè)定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;

內(nèi)置PMOS高壓移相器,以控制橋路使能功能;

具有關(guān)閉功能,只要在SD腳上的輸入達(dá)到4.5V,全橋中的4只MOSFET則被關(guān)斷。

3應(yīng)用介紹

UBA2030T典型應(yīng)用主要是在高壓的(HPS)燈和金屬鹵燈這類(lèi)HID燈電子鎮(zhèn)流器電路中作為全橋驅(qū)動(dòng)器。

3.1基本應(yīng)用電路

用UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器和HID燈為負(fù)載的全橋基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示。在這個(gè)應(yīng)用電路中,

圖3UBA2030T作驅(qū)動(dòng)器、HID燈為負(fù)載的全橋基本電路

圖4帶外部控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

圖5控制電路以橋路高端作參考的HID燈驅(qū)動(dòng)器電路

圖6用低壓DC電源為內(nèi)部電路

供電流的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路

BER腳、BE腳、EXO腳和SD腳都接系統(tǒng)地,沒(méi)有使用橋路使能和關(guān)閉功能。當(dāng)使用內(nèi)部振蕩器時(shí),橋路換向頻率由ROSC和COSC的取值決定。當(dāng)HV施加電壓超過(guò)振蕩觸發(fā)門(mén)限(典型值是15.5V)時(shí),振蕩器開(kāi)始振蕩。如果在HV腳上的電壓降至振蕩器停止門(mén)限(典型值是13V)電壓,IC將重新進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)。

一旦IC開(kāi)始正常工作,在功率開(kāi)關(guān)HL(Q1)和LR(Q4)導(dǎo)通時(shí),HR(Q3)和LL(Q2)則截止;當(dāng)HR(Q3)和LL(Q2)導(dǎo)通時(shí),HL(Q1)和LR(Q4)則截止。UBA2030T提供的換向邏輯,保證了在HID燈中能產(chǎn)生交變電流。

  HID燈的啟動(dòng)需要施加一個(gè)3kV~10kV的高壓脈沖。由帶負(fù)阻特性的觸發(fā)元件、電容器和升壓線(xiàn)圈等組成的點(diǎn)火器電路,在通電之后能產(chǎn)生足夠使HID燈擊穿的高電壓,使燈引燃。為防止HID燈出現(xiàn)“聲共振”現(xiàn)象,導(dǎo)致電弧不穩(wěn),燒壞燈管,對(duì)于HID燈驅(qū)動(dòng)電路,往往還要采取“聲共振”抑制措施。

3.2帶外部振蕩器控制的應(yīng)用電路

圖4示出的是帶外部振蕩器控制電路的HID燈全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在該應(yīng)用電路中,UBA2030T的RC腳、BER腳和BE腳連接系統(tǒng)地,橋路換向頻率由外部振蕩器決定,關(guān)閉輸入腳(SD腳)可以用作關(guān)斷全橋電路中的全部MOSFET。

3.3控制電路以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路

UBA2030T在驅(qū)動(dòng)HID燈全橋系統(tǒng)中作為換向器元件使用。HID燈的使用壽命依賴(lài)于通過(guò)石英壁的鈉遷移量。為使鈉遷移比率減至最小,HID燈以系統(tǒng)地為參考時(shí),必須在負(fù)壓下工作。圖5示出的是控制單元以橋路高端作參考的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)器電路。在該應(yīng)用電路中,BER腳和HV腳都連接到系統(tǒng)地。

圖6所示的以橋路高端作為參考的又一種HID燈全橋驅(qū)動(dòng)電路。BER腳連接系統(tǒng)地,通過(guò)HV腳流入IC內(nèi)部低壓電路的電流可以由低壓DC電源(如電池)提供,如圖6中虛線(xiàn)所示。RDT的數(shù)值在50kΩ與1000kΩ之間。當(dāng)RDT=220KΩ時(shí),死區(qū)時(shí)間tdead是1μs.

在任何應(yīng)用中,在IC腳HV上的電壓不能低于在VDD腳上的電壓。否則,不論是在啟動(dòng)狀態(tài)還是進(jìn)入正常工作期間,全橋都不會(huì)正確工作。在啟動(dòng)階段,IC的EXO腳和SD腳都應(yīng)處于低電平。在EXO腳和SD腳的電壓為時(shí)間函數(shù)時(shí),其變化速率應(yīng)大于5V/ms。

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