IR2110其他電路應(yīng)用
?。?）帶電平箝位的IR2110驅(qū)動(dòng)電路
針對(duì)IR2110的不足，對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了改進(jìn)，可以采用在柵極限流電阻上反并聯(lián)一個(gè)二極管，但在大功率的環(huán)境下不太明顯。本文介紹的第一種方法就是下面如圖4所示電路。在關(guān)斷期間將柵極驅(qū)動(dòng)電平箝位到零電平。在橋臂上管開(kāi)通期間驅(qū)動(dòng)信號(hào)使Q1導(dǎo)通、Q2截止，正常驅(qū)動(dòng)。上管關(guān)斷期間，Q1截止，Q2柵極高電平，導(dǎo)通，將上管柵極電位拉到低電平（三極管的飽和壓降）。這樣，由于密勒效應(yīng)產(chǎn)生的電流從Q2中流過(guò)，柵極驅(qū)動(dòng)上的毛刺可以大大的減小。下管工作原理與上管完全相同，不再累述。
（2）IR2110負(fù)壓產(chǎn)生電路
在大功率IGBT場(chǎng)合，各路驅(qū)動(dòng)電源獨(dú)立，集成驅(qū)動(dòng)芯片一般都有產(chǎn)生負(fù)壓得功能，如EXB841系列，M57957系列等，在IGBT關(guān)斷期間柵極上施加一個(gè)負(fù)電壓，一般為－3～－5V。其作用也是為了增強(qiáng)IGBT關(guān)斷的可靠性。防止由于密勒效應(yīng)而造成的誤導(dǎo)通。IR2110芯片內(nèi)部雖然沒(méi)有產(chǎn)生負(fù)壓功能，但可以通過(guò)外加幾個(gè)無(wú)源器件來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生負(fù)壓得功能，如圖5所示。在上下管驅(qū)動(dòng)電路中均加上由電容和5V穩(wěn)壓管組成的負(fù)壓電路。
其工作原理為：電源電壓為20V，在上電期間，電源通過(guò)Rg給Cg充電，Cg保持5V的電壓，在LIN為高電平的時(shí)候，LO輸出0V，此時(shí)S2柵極上的電壓為－5V，從而實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷時(shí)負(fù)壓。
對(duì)于上管S1，HIN為高電平時(shí)，HO輸出為20V，加在柵極上的電壓為15V。當(dāng)HIN為低電平時(shí)，HO輸出0V，S1柵極為－5V。
IGBT為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，所以負(fù)壓負(fù)壓電容C5，C6上的電壓波動(dòng)較小，維持在5V，自舉電容上的電壓也維持在20V左右，只在下管S2導(dǎo)通的瞬間有一個(gè)短暫的充電過(guò)程。
IGBT的導(dǎo)通壓降一般小于3V，負(fù)壓電容C5的充電在S2導(dǎo)通時(shí)完成。對(duì)于C5，C6的選擇，要求大于IGBT柵極輸入寄生電容Ciss。自舉電容電電路中的二極管D1必須是快恢復(fù)二極管，應(yīng)留有足夠的電流余量。此電路與一般的帶負(fù)壓驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)生負(fù)壓原理相同，直流母線上疊加了5V的電壓。
?。?）IR2110結(jié)合隔離變壓器電路
上面2種方法已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，但是也有他的缺點(diǎn)，首先電路比最簡(jiǎn)單的應(yīng)用電路要復(fù)雜的多，其次所用的器件數(shù)目增多，成本增加，再次效果也并不是非常好，這主要是因?yàn)镮R2110芯片本身很容易受到開(kāi)關(guān)管的影響。
負(fù)載增大，電壓升高，IR2110的輸出波形就會(huì)變得很混亂，所以用常規(guī)的變壓器隔離和IR2110結(jié)合起來(lái)使用其電路圖如6所示，這種電路結(jié)合了經(jīng)典電路的部分內(nèi)容，大大地減小了負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響，可以用于大功率場(chǎng)合，電路也比較簡(jiǎn)單，非常實(shí)用。
其工作原理為：電源電壓為20V，在上電期間，電源通過(guò)Rg給Cg充電，Cg保持5V的電壓，在LIN為高電平的時(shí)候，LO輸出0V，此時(shí)S2柵極上的電壓為－5V，從而實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷時(shí)負(fù)壓。
對(duì)于上管S1，HIN為高電平時(shí)，HO輸出為20V，加在柵極上的電壓為15V。當(dāng)HIN為低電平時(shí)，HO輸出0V，S1柵極為－5V。
IGBT為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，所以負(fù)壓負(fù)壓電容C5，C6上的電壓波動(dòng)較小，維持在5V，自舉電容上的電壓也維持在20V左右，只在下管S2導(dǎo)通的瞬間有一個(gè)短暫的充電過(guò)程。
IGBT的導(dǎo)通壓降一般小于3V，負(fù)壓電容C5的充電在S2導(dǎo)通時(shí)完成。對(duì)于C5，C6的選擇，要求大于IGBT柵極輸入寄生電容Ciss。自舉電容電電路中的二極管D1必須是快恢復(fù)二極管，應(yīng)留有足夠的電流余量。此電路與一般的帶負(fù)壓驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)生負(fù)壓原理相同，直流母線上疊加了5V的電壓。