電荷藕合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，數(shù)字信號經(jīng)過壓縮以后由相機(jī)內(nèi)部的閃速存儲器或內(nèi)置硬盤卡保存，因而可以輕而易舉地把數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，并借助于計(jì)算機(jī)的處理手段，根據(jù)需要和想像來修改圖像。
CCD傳感器分類
面陣CCD
面陣CCD：允許拍攝者在任何快門速度下一次曝光拍攝移動物體。面陣CCD的結(jié)構(gòu)一般有3種。
第一種是幀轉(zhuǎn)性CCD。它由上、下兩部分組成，上半部分是集中了像素的光敏區(qū)域，下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存儲區(qū)域。其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)較簡單并容易增加像素?cái)?shù)，缺點(diǎn)是CCD尺寸較大，易產(chǎn)生垂直拖影。
第二種是行間轉(zhuǎn)移性CCD。它是目前CCD的主流產(chǎn)品，它們是像素群和垂直寄存器在同一平面上，其特點(diǎn)是在1個單片上，價格低，并容易獲得良好的攝影特性。
第三種是幀行間轉(zhuǎn)移性CCD。它是第一種和第二種的復(fù)合型，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，但能大幅度減少垂直拖影并容易實(shí)現(xiàn)可變速電子快門等優(yōu)點(diǎn)。
線陣CCD
線陣CCD：用一排像素掃描過圖片，做三次曝光——分別對應(yīng)于紅、綠、藍(lán) 三色濾鏡，正如名稱所表示的，線性傳感器是捕捉一維圖像。初期應(yīng)用于廣告界拍攝靜態(tài)圖像，線性陣列，處理高分辨率的圖像時，受局限于非移動的連續(xù)光照的物體。
三線傳感器CCD
三線傳感器CCD：在三線傳感器中，三排并行的像素分別覆蓋RGB濾鏡，當(dāng)捕捉彩色圖片時，完整的彩色圖片由多排的像素來組合成。三線CCD傳感器多用于高端數(shù)碼相機(jī)，以產(chǎn)生高的分辨率和光譜色階。
交織傳輸CCD：這種傳感器利用單獨(dú)的陣列攝取圖像和電量轉(zhuǎn)化，允許在拍攝下一圖像時在讀取當(dāng)前圖像。交織傳輸CCD通常用于低端數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)和拍攝動畫的廣播拍攝機(jī)。
全幅面CCD
全幅面CCD：此種CCD具有更多電量處理能力，更好動態(tài)范圍，低噪音和傳輸光學(xué)分辨率，全幅面CCD允許即時拍攝全彩圖片。全幅面CCD由并行浮點(diǎn)寄存器、串行浮點(diǎn)寄存器和信號輸出放大器組成。全幅面CCD曝光是由機(jī)械快門或閘門控制去保存圖像，并行寄存器用于測光和讀取測光值。圖像投攝到作投影幕的并行陣列上。此元件接收圖像信息并把它分成離散的由數(shù)目決定量化的元素。這些信息流就會由并行寄存器流向串行寄存器。此過程反復(fù)執(zhí)行，直到所有的信息傳輸完畢。接著，系統(tǒng)進(jìn)行精確的圖像重組。
CCD傳感器結(jié)構(gòu)
CCD是由許多個光敏像元按一定規(guī)律排列組成的。每個像元就是一個MOS電容器（大多為光敏二極管），它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～1500A的SiO2，再在SiO2表面蒸鍍一金屬層（多晶硅），在襯底和金屬電極間加上1個偏置電壓，就構(gòu)成1個MOS電容器。當(dāng)有1束光線投射到MOS電容器上時，光子穿過透明電極及氧化層，進(jìn)入P型Si襯底，襯底中處于價帶的電子將吸收光子的能量而躍入導(dǎo)帶。光子進(jìn)入襯底時產(chǎn)生的電子躍遷形成電子－空穴對，電子－空穴對在外加電場的作用下，分別向電極的兩端移動，這就是信號電荷。這些信號電荷儲存在由電極形成的“勢阱”中。
MOS電容器的電荷儲存容量可由下式求得：
QS=Ci×VG×A
式中： QS是電荷儲存量；
Ci是單位面積氧化層的電容；
VG是外加偏置電壓；
A是MOS電容柵的面積。
由此可見，光敏元面積越大，其光電靈敏度越高。1個3相驅(qū)動工作的CCD中電荷轉(zhuǎn)移的過程。
?。╝）初始狀態(tài)；（b）電荷由①電極向②電極轉(zhuǎn)移；（c）電荷在①、②電極下均勻分布；（d）電荷繼續(xù)由①電極向②電極轉(zhuǎn)移；（e）電荷完全轉(zhuǎn)移到②電極；（f）3相交疊脈沖。
假設(shè)電荷最初存儲在電極①（加有10V電壓）下面的勢阱中，如圖（a）所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱最深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時，①、②兩個電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個電極下面均勻分布，（b）和（c）所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，（d）和（e）所示，這時電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時序的驅(qū)動脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時鐘驅(qū)動的CCD稱為3相CCD。