第四部分：針對DS18B20的單片機編程
針對DS18B20的編程，可以理解為總線控制器通過相關(guān)指令操作器件或者器件中的相應(yīng)寄存器，從而完成器件也總線控制器的數(shù)據(jù)通信，所以要真正搞定 DS18B20的通訊編程，還需要詳細的了解該芯片的各種寄存器結(jié)構(gòu)、寄存器數(shù)據(jù)格式和相關(guān)的指令系統(tǒng)，下面我們就結(jié)合上面圖示，說說DS18B20的內(nèi) 部存儲器結(jié)構(gòu)。
DS18B20的每個暫存器都有8bit存儲空間，用來存儲相應(yīng)數(shù)據(jù)，其中byte0和byte1分別為溫度數(shù)據(jù)的低位 和高位，用來儲存測量到的溫度值，且這兩個字節(jié)都是只讀的;byte2和byte3為TH、TL告警觸發(fā)值的拷貝，可以在從片內(nèi)的電可擦可編程只讀存儲器 EEPROM中讀出，也可以通過總線控制器發(fā)出的［48H］指令將暫存器中TH、TL的值寫入到EEPROM，掉電后EEPROM中的數(shù)據(jù)不會丟 失;byte4的配置寄存器用來配置溫度轉(zhuǎn)換的精確度（最大為12位精度）;byte5、6、7為保留位，禁止寫入;byte8亦為只讀存儲器，用來存儲 以上8字節(jié)的CRC校驗碼。
參考上面的DS18B20通訊指令圖，即為DS18B20芯片中主要寄存器的數(shù)據(jù)格式和必要的個別標識位說 明，只要做到對寄存器數(shù)據(jù)精準的控制，就可以很容易的完成DS18B20的程序編寫，而對于總線控制器發(fā)出的控制指令，我們需要知道，DS18B20的指 令包括ROM指令和功能指令，其中ROM指令用來進行ROM的操作，而功能指令則可以控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換，寄存器操作等功能性工作。一旦總線 控制器檢測到一個存在脈沖，它就會發(fā)出一條 ROM指令，如果總線上掛載多只DS18B20，這些指令將利用器件獨有的64位ROM片序列碼選出特定的要進行操作的器件，同樣，這些指令也可以識別哪 些器件符合報警條件等。在總線控制器發(fā)給要連接的DS18B20一條ROM指令后，就可以發(fā)送一條功能指令完成相關(guān)的工作了，也就是說，總線控制器在發(fā)起 一條DS18B20功能指令前，需要首先發(fā)出一條ROM指令。了解了這些功能指令的功能和用法，再對DS18B20編程就容易多了！~
第五部分：DS18B20芯片的兩點使用心得
（1）對TH（高溫觸發(fā)寄存器）和TL（低溫觸發(fā)寄存器）的操作心得
針對于DS18B20中TH（高溫觸發(fā)寄存器）和TL（低溫觸發(fā)寄存器），可以找到的代碼資料很少，而如果在某一測溫系統(tǒng)中需要用到TH和TL寄存器 時，其實不必覺得無從下手，參見本帖中的“DS18B20寄存器結(jié)構(gòu)”，總線控制器的讀操作將從位0開始逐步向下讀取數(shù)據(jù)，直到讀完位8，而且TH和TL 寄存器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)格式和片內(nèi)其他寄存器是相同的，當然，針對TH和TL寄存器的讀寫和其他片內(nèi)寄存器的讀寫也是相同的，所以在實際應(yīng)用中，當 DS18B20初始化完成后，首先通過總線控制器發(fā)出的［B8H］指令將EEPROM中保存的數(shù)據(jù)召回到暫存器的TH和TL中，然后通過總線控制器發(fā)出的 “讀時隙”對器件暫存器進行讀操作，只要將讀到的每8bit數(shù)據(jù)及時獲取，就可以很容易地通過總線控制器讀出TH和TL寄存器數(shù)據(jù);總線控制器對器件的寫 操作原理亦然，換句話說，只要掌握了其他寄存器的操作編程，就完全可以很容易地對TH和TL這兩個報警值寄存器進行讀寫操作。同時，可以通過［48H］指 令將TH和TL寄存器數(shù)據(jù)拷貝到EEPROM中進行保存。
?。?）對DS18B20通訊時隙的掌握心得
在由 DS18B20芯片構(gòu)建的溫度檢測系統(tǒng)中，采用達拉斯公司獨特的單總線數(shù)據(jù)通訊方式，允許在一條總線上掛載多個DS18B20，那么，在對DS18B20 的操作和控制中，由總線控制器發(fā)出的時隙信號就顯得尤為重要。如下圖所示，分別為DS18B20芯片的上電初始化時隙、總線控制器從DS18B20讀取數(shù) 據(jù)時隙、總線控制器向DS18B20寫入數(shù)據(jù)時隙的示意圖，在系統(tǒng)編程時，一定要嚴格參照時隙圖中的時間數(shù)據(jù)，做到精確的把握總線電平隨時間（微秒級）的 變化，才能夠順利地控制和操作DS18B20。另外，需要注意到不同單片機的機器周期是不盡相同的，所以，程序中的延時函數(shù)并不是完全一樣，要根據(jù)單片機 不同的機器周期有所改動。在平常的DS18B20程序調(diào)試中，若發(fā)現(xiàn)諸如溫度顯示錯誤等故障，基本上都是由于時隙的誤差較大甚至時隙錯誤導(dǎo)致的，在對 DS18B20編程時需要格外注意。
上電初始化時隙圖
數(shù)據(jù)讀取時通訊總線的時隙圖
數(shù)據(jù)寫入時通訊總線的時隙圖
好了，帖子寫到這里，基本上算是告一段落了，我們描述了DS18B20測溫芯片的封裝、管腳定義、電路連接方式、內(nèi)部寄存器的結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)格式、通信時隙和功能/控制指令，最后希望這篇帖子可以幫助到正在或者將要使用到DS18B20測溫芯片的壇友，謝謝大家！