LED外延片（外延片）
LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）方法。
MOCVD
金屬有機物化學氣相淀（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱MOCVD），1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、電腦多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極體芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。
LED芯片的生產(chǎn)過程
LED外延片的生產(chǎn)制作過程比較復(fù)雜：
1.展完外延片后在每張外延片隨意抽取九點做測試。符合要求的為良品，其他為不良品（電壓偏差很大，波長偏短或偏長等）。
2.良品的外延片要做電極（P極，N極）。接下來就用鐳射切割外延片，然后100％分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，形成LED芯片（方片）。
3.最后還要進行目測，把有缺陷或者電極有磨損的分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合出貨要求的芯片，這些就成了邊片或毛片等。不良品的外延片，一般不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不用做分檢，這些就是目前市場上的LED大圓片。
外延片技術(shù)的成功需要具備以下三個條件：
1.對設(shè)備的精確掌握。MOVCD由于各項成本很高，保養(yǎng)周期以及配件的準備充分都很重要。
2.外延原理的掌握，材料的成長需要具備物理、材料學和分析技術(shù)三項基本功夫，能掌握這些，材料的生長就可具備一定的能力。
3.持之以恒的實驗精神，外延結(jié)果需要恒心的等待，因為除了基本的分析外，結(jié)果的觀察與紀錄，做成LED芯片結(jié)果的分析，都需要耐心與恒心。